Nieuw jaar, nieuwe baan? Bekijk de aanbiedingen! meer ...
Berner International GmbH Hydroflex C-Tec Becker
cleanroom online
Duits Engels Frans Hongaars Pools Tsjechisch Italiaans Spaans Nederlands

Alle publicaties van IMEC Belgium

  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

IC-Link van imec breidt de samenwerking met TSMC uit om klanten snellere toegang te bieden tot infrastructuur en ondersteuning voor chip-ontwerp op basis van de nieuwste technologieën.

IC-Link van imec breidt samenwerking met TSMC uit

In het kader van de „OIP Cloud Alliance“ van TSMC combineert deze samenwerking veilige, cloudgebaseerde ontwerpcapaciteiten met toegang tot geavanceerde node-technologie en deskundige ondersteuning, om innovators te helpen sneller chips op de markt te brengen.

1. IC-Link van imec en TSMC breiden hun…
Afbeelding 1: Ge/Si-avalanche-fotodiode, vervaardigd op het 300-mm siliciumfotonica-platform van imec
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

De nieuwe APD, vervaardigd op het 300-mm siliciumfotonica-platform van imec, vormt de basis voor de volgende generatie optische verbindingen in AI-datacenters.

Imec presenteert een 100-GHz Ge/Si-Avalanche-Photodiode (APD), die een netto gegevensontvangst van 400 Gbit/s mogelijk maakt bij slechts 5 V

– Imec presenteert de wereldwijde eerste GE/Si-Avalanche-Fotodiode (APD), die een bandbreedte van 100 GHz, laagspanningsbediening (5 V) en een gevoeligheid van 1,8 A/W combineert in zowel het O- als het C-band.
– In combinatie met de door imec reeds gepresenteerde Ge/Si-elektroabsorptiemodule (EAM) v…
Figuur 1 – TDSEM- en TEM-opname van een Josephson-contact uit 2ML αSi-NbTiN Figuur 2 – TEM-opname van 3ML NbTiN-draden en doorverbindingen Figuur 3 – Vergelijking van de draadskalering tussen NbTiN-draden geproduceerd door imec en geavanceerde supergeleidend draden. TEM-opname van een 50 nm dikke en 30 nm brede NbTiN-draad (in de afbeelding)
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Een nieuw programma op het gebied van supergeleidende digitale technologie brengt foundries, systeemfabrikanten en hyperscalers samen om te voldoen aan de eisen van de industrie op het gebied van next-generation HPC, AI, kwantumcomputing, fotonica en neuromorfisch computing.

Imec bevordert de ontwikkeling van schaalbare supergeleidertechnologie met 's werelds eerste NbTiN-circuits en 30-nm-verbindingen

– Tijdens de conferentie „Applied Superconductivity“ 2026 presenteert imec twee wereldprimeurs: (1) een Josephson-contact op basis van Niobium-Titan Nitrid (NbTiN) met drie metalenlagen (3ML), die een schakeldichtheid van 3,8 miljoen overgangen per cm2 bereikt; en (2) een 3ML-NbTiN-geleiding met sup…
Figuur 1. Representatieve REM-opnamen van EUV-wafels met 0,55 NA, die de CAR-structurering tonen op logische metalen en via-structuren met een smalle pitch, waaronder SRAM (AEI), PnR (AEI), Mander-E-test (ADI) en 28-nm-C2C-Random-Logic-Vias (ADI) (AEI = Inspectie na etsen; ADI = Inspectie na ontwikkeling).
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Imec en zijn materiaaltoeleveranciers optimaliseren hun op chemisch versterkte resistenties (CAR) gebaseerde platforms voor EUV-eenstructurering met hoge numerieke opening (NA) van lijnstructuren met een pitch van 22 nm, die A14/A10-logische ontwerpen ondersteunen

Imec demonstreert de verdere ontwikkeling van chemisch versterkte resiststoffen voor EUV-lithografie met hoge numerieke opening (NA)

– Imec optimaliseert de CAR-gebaseerde technologie voor de single-patterning-processen met hoge NA in het EUV-bereik bij meerdere lagen van de logische technologieknooppunten A14/A10.
– Er zijn verschillende logische structuren met nauwe afstanden bij metalen lijnen en doorcontacten gedemonstreerd, w…
Figuur 1 – Schematische vergelijking tussen (links) de traditionele „Via-Middle“-benadering en (rechts) de „Local-BDI“-TSV-benadering onder de aanname van een celhoogte van 115 nm en een siliciumdikte van 500 nm. Figuur 2 – Afhankelijkheid van de ketenweerstand van TSV/MOL-via-structuren van de overlayfout bij een overlay-venster van 30 nm. De doorlopende zwarte lijn geeft de simulatiegegevens weer; de gestippelde lijnen staan voor een afwijking van ±5 %.
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

De nieuwe integratiebenadering maakt gebruik van zelfgeoriënteerde doorverbindingen in silicium met een structuurbreedte van minder dan 100 nm, waardoor verbindingen van de voorzijde naar de achterzijde mogelijk zijn, gekenmerkt door lage weerstand, geringe lekstromen en een goede uitlijningsnauwkeurigheid.

Sony en imec presenteren een hoogdicht modul voor de achterzijdeverbinding, dat de integratie van 3D-chips van de volgende generatie mogelijk maakt

– Sony en imec presenteren een nieuw modul voor de integratie van hoogdichte, achterzijde-verbindingen met door-gaatjes (TSV's) onder de 100 nm, gebaseerd op een zelfuitgelijnde methode voor lokale diëlektrische isolatie aan de achterzijde (local BDI).
– De zo ontstane front-naar-achter TSV's vertone…
Figuur 1 – (A) X-Cut-HAADF- rasterelektronenmicroscopie-opname van een WS₂-constructie met een CPP van 50 nm, een contactlengte van 19 nm en een breedte van 256 nm na het etsen van de poortaansluitingsleiding. En (B) de bijbehorende energiedispersieve röntgenspectroscopie (EDS)-analyse. Figuur 2 – MoS<sub>2</sub>-nFETs en WSe<sub>2</sub>-pFETs met een contactafstand van 50 nm en een ontspannen kanaalbreedte (650 nm), geïntegreerd op dezelfde 300 mm wafer, vertonen een goede afstemming van de drempelspanning.
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Een nieuwe 300 mm-integratiebenadering voor componenten op basis van 2D-materialen maakt geschaalde n- en p-FETs mogelijk met een contactpoly-ruimte van 50 nm.

ASML, TSMC en imec maken industriële transistors uit 2D-materialen tastbaarder door baanbrekende 300-mm-integratie

– ASML, TSMC en imec presenteren een innovatieve 300-mm-integratieproces voor transistors op basis van 2D-materialen, waarmee voor het eerst geschaalde n- en p-FETs met een contactafstand (CPP) van 50 nm worden gerealiseerd, die met EUV-lithografie zijn gestructureerd.
– Bij de geschaalde nFETs (met…
MIMCAP met hoge dichtheid in een 300-mm silicium-interposer MIMCAP met hoge dichtheid in een 300-mm silicium-interposer
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Imec maakt de integratie van III-V-chiplets op Si-CMOS mogelijk. mogelijk door de verdere ontwikkeling van zijn 300-mm RF-silicium-interposer-platform met hoogdichte MIMCAPs, passieve modellering en laserondersteunde bonding

– Imec ontwikkelt zijn 300-mm RF-silicon interposer verder tot een uniek systeemplatform voor de heterogene integratie van III-V-chiplets op Si-CMOS, met als doel toepassingen op het gebied van mmWave-/Sub-THz-communicatie en high-speed toepassingen in datacenters te ondersteunen.
– Een nieuwe MIMCAP…
Figuur 1 – (a) Schematische weergave van de 3D-CCD-structuur gebaseerd op drie woordgeleiders: onderste poort (BG), middelste poort (CG) en bovenste poort (TG), waarbij de Source (S) onderaan en de Drain (D) bovenaan bevinden; (b) TEM-doorntsnede die drie poortlagen toont met een woordgeleiderafstand van 80 nm. Figuur 2 – (a) Weergave van het aansturingsschema via drie poorten voor de seriële ladingsoverdracht in een 3D-CCD-geheugen met drie woordlijnen; (b) Schematische weergave van de werking van de 3D-CCD, die de elektronenoverdracht illustreert door de vorming en verschuiving van potentiaalputten onder de poorten. Figuur 3 – (a) I-f-kenlijnen van 7 componenten met verschillende diameters van het Memory Hole (MH), gemeten tot 4 MHz; (b) het aantal elektronen dat per cyclus wordt overgedragen, bepaald uit de helling van de bijbehorende I-f-curve.
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

De haalbaarheid van de integratie van een CCD-onderdeel (Charge Coupled Device) in een 3D-NAND-achtige architectuur effent de weg voor een kosteneffectieve geheugenoplossing met een hoge bitsnelheid, om de geheugenlimiet bij AI-specifieke workloads te ove

Imec presenteert de eerste driedimensionale implementatie van een ladingsgekoppeld element voor KI-opslagtoepassingen

– Imec presenteert de eerste 3D-implementatie van een ladingsgekoppelde beeldsensor (CCD) met een kanaal uit Indium-Gallium-Zink-Oxide (IGZO), die potentieel biedt voor KI-opslagtoepassingen.
– Door de kostenefficiënte fabricage, de hoge bitsnelheid en de blokadresserende eigenschap is de 3D-CCD-onde…
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

De stap breidt de wereldwijde expertise op het gebied van ASIC-diensten uit en streeft naar de uitvoering van de meest veeleisende projecten in de sector op het gebied van AI, HPC, mobiele communicatie en automotive.

IC-Link van imec sluit zich aan bij de TSMC 3DFabric® Alliance om innovaties op het gebied van geavanceerde verpakkings- en 3D-IC-technologieën te stimuleren

Imec, een wereldwijd toonaangevend onderzoeks- en innovatiecentrum voor geavanceerde halfgeleidertechnologieën, kondigde aan dat IC-Link by imec, de ontwerp- en fabricagedienstverlener van imec voor ASICs en siliciumfotonica, lid is geworden van de TSMC Open Innovation Platform® (OIP) 3DFabric® Alli…
Een blik in de NIEUWSBRIEF

Beter geïnformeerd: Met het JAARBOEK, de NIEUWSBRIEF, NEWSFLASH, NEWSEXTRA en de EXPERTENGIDS

Blijf op de hoogte en abonneer u op onze maandelijkse e-mail NIEUWSBRIEF en NEWSFLASH en NEWSEXTRA. Krijg meer informatie over de reinruimtewereld met ons gedrukte JAARBOEK. En ontdek wie de experts op het gebied van reinruimtes zijn in onze gids.

HJM MT-Messtechnik Pfennig Reinigungstechnik GmbH Vaisala