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Todas las publicaciones de IMEC Belgium

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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

IC-Link de imec amplía la colaboración con TSMC para ofrecer a los clientes un acceso más rápido a infraestructura y soporte para el diseño de chips basado en las tecnologías más recientes.

IC-Link de imec amplía la colaboración con TSMC

En el marco de la «OIP Cloud Alliance» de TSMC, esta colaboración combina capacidades seguras de diseño en la nube con acceso a tecnología avanzada de nodos y soporte experto para ayudar a los innovadores a llevar chips al mercado más rápidamente.

1. IC-Link de imec y TSMC amplían su colaboración en…
Figura 1: Fotodiodo de avalancha Ge/Si, fabricado en la plataforma de fotónica de silicio de 300 mm de imec
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El novedoso APD fabricado en la plataforma de fotónica de silicio de 300 mm de imec sienta las bases para la próxima generación de conexiones ópticas en centros de datos de IA.

Imec presenta un fotodiodo de avalancha de Ge/Si de 100 GHz (APD), que permite una recepción de datos neta de 400 Gbit/s con solo 5 V

– Imec presenta el primer fotodiodo de avalancha (APD) de Ge/Si en el mundo, que combina una ancho de banda de 100 GHz, funcionamiento a baja tensión (5 V) y una sensibilidad de 1,8 A/W tanto en la banda O como en la banda C.
– En combinación con el modulador electroabsorptivo (EAM) de Ge/Si ya prese…
Figura 1 – Imagen TDSEM y TEM de un contacto Josephson de 2ML αSi-NbTiN Figura 2 – Imagen TEM de cables de 3ML NbTiN y pasantes Figura 3 – Comparación de la escala de cables entre los cables de NbTiN fabricados por imec y los cables superconductores de última generación. Imagen TEM de un cable de NbTiN de 50 nm de espesor y 30 nm de ancho (insertado)
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Un nuevo programa en el ámbito de la tecnología digital superconductora reúne a fundiciones, fabricantes de sistemas y hyperscalers para satisfacer las demandas del sector en las áreas de HPC de próxima generación, IA, computación cuántica, fotónica y computación neuromórfica.

Imec impulsa el desarrollo de tecnología de superconductores escalable con los primeros circuitos NbTiN del mundo y conexiones de 30 nm

– En la conferencia «Superconductividad Aplicada» 2026, imec presenta dos innovaciones mundiales: (1) un contacto Josephson basado en nitruro de niobio-titanio (NbTiN) con tres capas metálicas (3ML), que alcanza una densidad de circuitos de 3,8 millones de transiciones por cm2; y (2) una conducción…
Figura 1. Imágenes representativas de REM de obleas EUV con NA 0,55 que muestran la estructuración CAR en estructuras de metal lógico y vías con paso estrecho, incluyendo SRAM (AEI), PnR (AEI), prueba de meandro (ADI) y vías de lógica aleatoria de 28 nm C2C (ADI) (AEI = Inspección después del grabado; ADI = Inspección después del desarrollo).
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Imec y sus proveedores de materiales optimizan sus plataformas basadas en resistencias reforzadas químicamente (CAR) para el patrón de estructura única EUV con alta apertura numérica (NA) de estructuras lineales con un paso de 22 nm, que soportan diseños lógicos A14/A10

Imec demuestra la evolución de resistencias químicamente reforzadas para la litografía EUV con alta apertura numérica (NA)

– Imec optimiza la tecnología basada en CAR para los procedimientos de patrón único con alta NA en el rango EUV en varias capas de los nodos tecnológicos lógicos A14/A10.
– Se demostraron varias estructuras lógicas con espacios estrechos en líneas metálicas y contactos, incluyendo estructuras de prue…
Figura 1 – Comparación esquemática entre (izquierda) el enfoque convencional Figura 2 – Dependencia de la resistencia de la cadena de estructuras TSV/MOL-Via del error de superposición en una ventana de superposición de 30 nm. La línea negra sólida representa los resultados de la simulación; las líneas discontinuas indican una desviación del ±5 %.
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El nuevo enfoque de integración utiliza vías autoposicionadas en silicio con un ancho de estructura inferior a 100 nm, lo que permite conexiones de la parte frontal a la trasera, caracterizadas por una baja resistencia, bajos corrientes de fuga y una buena precisión de alineación.

Sony e imec presentan un módulo de alta densidad para la conexión trasera, que permite la integración de chips 3D de próxima generación

– Sony y imec presentan un módulo innovador para la integración de vías a través de Si (TSVs) traseros de alta densidad y sub-100 nm, basado en un proceso de autoalineación para aislamiento dieléctrico local en la parte trasera (local BDI).
– Los TSVs frontales a traseros resultantes tienen una relac…
Figura 1 – (A) Imagen de microscopía electrónica de barrido HAADF con corte en X de un elemento de construcción de WS₂ con un CPP de 50 nm, una longitud de contacto de 19 nm y un ancho de 256 nm después del grabado de la línea de conexión de la compuerta. Y (B) el análisis correspondiente de espectroscopía de rayos X dispersiva en energía (EDS). Figura 2 – MoS2-nFETs y WSe2-pFETs con una separación de contacto de 50 nm y un ancho de canal relajado (650 nm), integrados en la misma oblea de 300 mm, muestran una buena coincidencia en el voltaje de umbral.
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Un nuevo enfoque de integración de 300 mm para componentes basado en materiales 2D permite transistores n y p escalados con un paso de contacto de polímero de 50 nm.

ASML, TSMC y imec hacen que los transistores industriales de materiales 2D sean una realidad mediante una integración innovadora de 300 mm

– ASML, TSMC e imec presentan un proceso de integración innovador de 300 mm para transistores basado en materiales 2D, con el que por primera vez se fabrican transistores n y p escalados con una separación de contacto (CPP) de 50 nm, estructurados mediante litografía EUV.
– Se lograron buenos resulta…
MIMCAP de alta densidad en un interposer de silicio de 300 mm MIMCAP de alta densidad en un interposer de silicio de 300 mm
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Imec permite la integración de III-V-Chiplets en Si-CMOS. lo logra mediante el desarrollo de su plataforma de interposición de silicio RF de 300 mm con MIMCAPs de alta densidad, modelado pasivo y unión asistida por láser

– Imec desarrolla su interposer de silicio RF de 300 mm para convertirse en una plataforma única a nivel de sistema para la integración heterogénea de chiplets III-V en Si-CMOS, con el objetivo de cubrir aplicaciones en el rango de las comunicaciones de ondas milimétricas/sub-THz y aplicaciones de a…
Matriz de qubits funcional con distancias entre las puertas de plunger (P) y de barrera (B) de aproximadamente 6 nanómetros, posibilitada por la litografía EUV de alta NA. La imagen también muestra las puertas de acumulación (A) y de confinamiento (C).
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El sistema de litografía más avanzado, que será crucial para futuros memorias de alta rendimiento y chips de computadora, desempeñará un papel clave en el desarrollo de la tecnología cuántica.

Único en el mundo: imec presenta un bloque de qubits de puntos cuánticos fabricado con litografía EUV de alta NA

    1. Imec presenta mundialmente por primera vez un componente de qubit de puntos cuánticos fabricado mediante litografía EUV de alta NA.
2. Esta demostración es un hito en el camino hacia la escalabilidad industrial de qubits más fiables, las unidades básicas de cálculo de los ordenadores cuánticos…
Figura 1 – (a) Representación esquemática de la estructura 3D-CCD basada en tres líneas de palabra: puerta inferior (BG), puerta media (CG) y puerta superior (TG), donde la Fuente (S) está abajo y el Drenaje (D) arriba; (b) Imagen de sección transversal TEM que muestra tres capas de puerta con una separación de línea de palabra de 80 nm. Figura 2 – (a) Representación del esquema de control a través de tres compuertas para la transferencia de carga en serie en una memoria 3D-CCD con tres líneas de palabra; (b) Representación esquemática del funcionamiento del 3D-CCD, que ilustra la transferencia de electrones mediante la formación y desplazamiento de pozos de potencial bajo las compuertas. Figura 3 – (a) Curvas I-f de 7 componentes con diferentes diámetros de los agujeros de memoria (MH), medidos hasta 4 MHz; (b) el número de electrones transferidos por ciclo, determinado a partir de la pendiente de las curvas I-f correspondientes.
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La viabilidad de integrar un componente CCD (Charge Coupled Device) en una arquitectura similar a 3D-NAND allana el camino para una solución de almacenamiento económica con alta densidad de bits, para superar los límites de almacenamiento en cargas de tra

Imec presenta la primera implementación tridimensional de un elemento de circuito acoplado por carga para aplicaciones de memoria de IA

– Imec presenta la primera implementación en 3D de un sensor de imagen acoplado a carga (CCD) con un canal de óxido de indio-galio-zinc (IGZO), que ofrece potencial para aplicaciones de memoria de IA.
– Debido a su fabricación económica, alta densidad de bits y propiedad de direccionamiento por blo…
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El paso amplía la competencia mundial en el campo de los servicios ASIC y busca llevar a cabo los proyectos más exigentes de la industria en las áreas de IA, HPC, comunicaciones móviles y automoción.

IC-Link de imec se une a la Alianza TSMC 3DFabric® para impulsar innovaciones en tecnologías de empaquetado avanzadas y 3D-ICs

Imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en tecnologías avanzadas de semiconductores, anunció que IC-Link by imec, el proveedor de diseño y fabricación de imec para ASICs y silicio fotónico, se unió a la Alianza TSMC Open Innovation Platform® (OIP) 3DFabric®. Como parte del ecosis…
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