Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Hydroflex PMS C-Tec Piepenbrock
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje od IMEC Belgium

Abbildung 1 – Schematyczne porównanie między (z lewej) tradycyjnym podejściem „Via-Middle“ a (z prawej) podejściem „Local-BDI“-TSV przy założeniu wysokości komórki 115 nm i grubości krzemu 500 nm. Rysunek 2 – Zależność oporu łańcuchowego od struktur TSV/MOL-Via od błędu nakładania przy oknie nakładania o szerokości 30 nm. Ciągła czarna linia przedstawia wyniki symulacji; linie przerywane oznaczają odchylenie ±5 %.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowa koncepcja integracji wykorzystuje samodopasowujące się przezłączenia w krzemie o szerokości struktury poniżej 100 nm, umożliwiając połączenia od strony przedniej do tylnej, które charakteryzują się niskim oporem, małymi prądami upływu oraz dobrą dokładnością nakładania.

Sony i imec przedstawiają wysokiej gęstości moduł do połączeń tylnej strony, umożliwiający integrację chipów 3D następnej generacji

– Sony i imec przedstawiają nowy moduł do integracji gęstych, tylnych przez-krzemowych (TSV) o rozdzielczości poniżej 100 nm, oparty na samodzielnym procesie lokalnej dielektrycznej izolacji na tylnej stronie (local BDI).
– Powstałe w ten sposób front-to-back TSV wykazują korzystniejszy stosunek wymi…
Obraz 1 – (A) Zdjęcie mikroskopowe rasterowe X-Cut-HAADF z elektronami o rozdzielczości 50 nm, długości kontaktu 19 nm i szerokości 256 nm po wytrawieniu linii przyłączeniowej bramki. oraz (B) odpowiednia analiza spektroskopii rentgenowskiej dyspersji energii (EDS). Abbildung 2 – MoS2-nFETs i WSe2-pFETs z odstępem kontaktu 50 nm i rozluźnioną szerokością kanału (650 nm), zintegrowane na tym samym 300-mm waflu, wykazują dobrą dopasowanie napięcia progowego.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowatorskie podejście integracyjne o długości 300 nm dla elementów bazujących na materiałach 2D umożliwia skalowalne tranzystory n- i p- z kontaktem poly pitch wynoszącym 50 nm.

ASML, TSMC i imec sprawiają, że przemysłowe tranzystory z materiałów 2D stają się bardziej dostępne dzięki przełomowej integracji na 300 mm

– ASML, TSMC i imec prezentują innowacyjny, skalowalny proces integracji na 300 mm dla tranzystorów opartych na materiałach 2D, umożliwiający po raz pierwszy realizację zeskalowanych nFET-ów i pFET-ów z odstępem kontaktowym (CPP) wynoszącym 50 nm, które zostały wystrukturyzowane za pomocą litografii…
MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Imec umożliwia integrację III-V-Chiplets na Si-CMOS. umożliwia to poprzez dalszy rozwój swojej platformy 300-mm RF-silicon interposer z wysokiej gęstości MIMCAP, modelowaniem pasywnym i laserowym łączeniem

– Imec rozwija swój 300-mm RF-siliconowy interposer jako unikalną platformę na poziomie systemu do heterogenicznej integracji III-V chipletów na Si-CMOS, mając na celu pokrycie zastosowań w zakresie komunikacji mmWave/sub-THz oraz wysokiej przepustowości w centrach danych.
– Nowa architektura MIMCAP…
Działająca tablica kubitów z odległościami między bramkami plunger (P) i barierowymi (B) wynoszącymi zaledwie 6 nanometrów, umożliwiona przez litografię EUV o wysokiej numerycznej aperturze (High-NA). Na obrazku widać również bramki akumulacji (A) i zamknięcia (C).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Najbardziej zaawansowany system litograficzny, który będzie kluczowy dla przyszłych wysokowydajnych pamięci i układów komputerowych, odegra kluczową rolę w rozwoju technologii kwantowej.

Na skalę światową unikalne: imec prezentuje element kubitów punktów kwantowych, który został wyprodukowany za pomocą litografii EUV o wysokiej NA

    1. Imec po raz pierwszy na świecie prezentuje element kwantowego bitu (qubit) oparty na punkcie kwantowym, wyprodukowany za pomocą lithografii High-NA-EUV.
2. Ta demonstracja jest kamieniem milowym na drodze do przemysłowego skalowania bardziej niezawodnych qubitów, podstawowych jednostek obliczeni…
Rysunek 1 – (a) Schematyczne przedstawienie struktury 3D-CCD opartej na trzech liniach słowo: dolny bramkowy (BG), środkowy bramkowy (CG) i górny bramkowy (TG), przy czym źródło (S) znajduje się na dole, a dren (D) na górze; (b) przekrój TEM ukazujący trzy warstwy bramkowe z odstępem między liniami słowo wynoszącym 80 nm. Rysunek 2 – (a) Schemat przedstawiający schemat sterowania za pomocą trzech bramek dla przesyłu ładunku szeregowo w pamięci 3D-CCD z trzema liniami słów; (b) Schematyczne przedstawienie pracy 3D-CCD, ilustrujące transfer elektronów poprzez tworzenie i przesuwanie się zagłębień potencjału pod bramkami. Abbildung 3 – (a) Krzywe I-f dla 7 elementów składowych o różnych średnicach otworu pamięci (MH), mierzonych do 4 MHz; (b) liczba elektronów przenoszonych na cykl, wyznaczona na podstawie nachylenia odpowiednich krzywych I-f.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Wykonalność integracji układu CCD (Charge Coupled Device) w architekturę podobną do 3D-NAND toruje drogę do taniego rozwiązania pamięciowego o wysokiej gęstości bitów, aby pokonać granicę pamięci przy obciążeniach specyficznych dla AI

Imec przedstawia pierwszą trójwymiarową implementację elementu ładunkowo-sprzężonego do zastosowań pamięci AI

– Imec przedstawia pierwszą 3D implementację pamięci typu CCD z kanałem IGZO – obiecującą technologię dla zastosowań w pamięciach AI.
– Ze względu na niskie koszty produkcji, wysoką gęstość bitów oraz możliwość blokowego adresowania, moduł 3D-CCD jest obiecujący jako bufor typu Compute Express Link…
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Der Schritt erweitert die weltweite Kompetenz im Bereich ASIC-Dienstleistungen und strebt die Durchführung der branchenweit anspruchsvollsten Projekte in den Bereichen KI, HPC, Mobilfunk und Automotive an.

IC-Link od imec dołącza do TSMC 3DFabric® Alliance, aby promować innowacje w zakresie zaawansowanych technologii pakowania i 3D-ICs

Imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zaawansowanych technologiach półprzewodnikowych, ogłosił, że IC-Link by imec, dostawca usług projektowych i produkcyjnych dla ASIC-ów i fotoniki krzemowej, dołączył do Alliance TSMC Open Innovation Platform® (OIP) 3DFabric®. Jako część ekosystemu…
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Ein bedeutender Schritt auf dem Weg in das Ängström-Zeitalter

Imec otrzymuje najbardziej zaawansowany na świecie system EUV o wysokiej NA

— Imec ogłasza, że system litografii EUV ASML EXE:5200, najnowocześniejszy na świecie system litografii EUV z wysoką aperturą numeryczną (High NA), został dostarczony do jego czystego pomieszczenia o wymiarach 300 mm w Leuven.
— Wykorzystanie systemu High-NA EUV w bezpośrednim połączeniu z najnowocze…
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowoczesne, zaawansowane PDK interkonektów torują drogę do wysokiej gęstości i energooszczędnej integracji chipów.

NanoIC otwiera dostęp do pierwszych PDK-ów dla połączeń hybrydowych RDL o drobnej rozstawie i D2W

02 marca 2026 roku NanoIC-Pilotlinia, europejska inicjatywa koordynowana przez imec w celu przyspieszenia innowacji w dziedzinie technologii układów scalonych powyżej 2 nm, opublikowała dwa unikalne, zaawansowane zestawy narzędzi projektowych (PDK) dla technologii łączności: PDK dla warstw redystryb…
Od lewej do prawej: Patrick Vandenameele (CEO elect imec), Thomas Skordas (Komisarz Europejski), Luc Van den hove (CEO imec), Henna Virkkunen (Komisarz Europejski), Matthias Diependaele (Poseł do Parlamentu Flandrii), Jari Kinaret (Dyrektor Wykonawczy Chips JU), Christophe Fouquet (CEO ASML).
  • ‌
  • Nowa budowa

Imec wählt Europas NanoIC-Pilotlinie mit der offiziellen Eröffnung einer 2.000 m² großen Reinraum-Erweiterung auf seinem Campus in Leuven aus.

Imec waży NanoIC-Pilotlinie i przyspiesza innowacje w dziedzinie technologii systemów na chipie poniżej 2 nm

Wyposażony w najnowocześniejsze narzędzia, w tym system High-NA-EUV firmy ASML, cleanroom Imec jest filarem inicjatywy NanoIC, która zajmuje się rozwojem technologii chipów poniżej 2 nm. Dokładnie cztery lata po tym, jak przewodnicząca UE Von der Leyen ogłosiła European Chips Act, ambicje Europy w d…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

MT-Messtechnik Becker Berner International GmbH Systec & Solutions GmbH