Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Pfennig Reinigungstechnik GmbH Systec & Solutions GmbH PMS MT-Messtechnik
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje od IMEC Belgium

Rysunek 1 – Zdjęcie TDSEM i TEM kontaktu Josephsona z 2ML αSi-NbTiN Rysunek 2 – Zdjęcie TEM drutów 3ML NbTiN i przelotowych połączeń Rysunek 3 – Porównanie skalowania drutu między drutami NbTiN wyprodukowanymi przez imec a nowoczesnymi nadprzewodzącymi drutami. Zdjęcie TEM przedstawiające drut NbTiN o grubości 50 nm i szerokości 30 nm (wstawione)
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowy program w dziedzinie nadprzewodzącej technologii cyfrowej łączy fabryki, producentów systemów i hyperscalery, aby sprostać wymaganiom branży w obszarach HPC najnowszej generacji, AI, komputerów kwantowych, fotoniki i neuromorficznego obliczania.

Imec napędza rozwój skalowalnej technologii nadprzewodników z pierwszymi na świecie obwodami NbTiN i połączeniami o rozmiarze 30 nm

– Na konferencji „Applied Superconductivity“ 2026 imec zaprezentuje dwie światowe nowości: (1) kontakt Josephsona oparty na niob-tytanowym azotku (NbTiN) z trzema warstwami metalowymi (3ML), które osiągają gęstość przełączników 3,8 miliona na cm2; oraz (2) 3ML-ścieżkę NbTiN z nadprzewodzącymi drutam…
Rysunek 1. Reprezentatywne nagrania REM z EUV wafli z NA 0,55, pokazujące strukturację CAR na strukturach logiki metalowej i via z bliskim pitch, w tym SRAM (AEI), PnR (AEI), test Mander-E (ADI) oraz 28-nm-C2C-random-logic-vias (ADI) (AEI = inspekcja po wytrawianiu; ADI = inspekcja po rozwoju).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Imec i jego dostawcy materiałów optymalizują swoje platformy oparte na chemicznie wzmocnionych rezystach (CAR) dla pojedynczej struktury EUV z wysoką aperturą numeryczną (NA) do linii o rozstawie 22 nm, obsługujące projekty logiki A14/A10

Imec demonstruje dalszy rozwój chemicznie wzmocnionych rezystów do litografii EUV z wysoką aperturą numeryczną (NA)

– Imec optymalizuje technologię opartą na CAR dla metod pojedynczego wzoru z wysoką NA w zakresie EUV na kilku warstwach technologii logiki A14/A10.
– Zademonstrowano różne struktury logiki o wąskich odstępach w metalowych liniach i przezłączeniach, w tym struktury E typu meander i rozgałęzione, z od…
Abbildung 1 – Schematyczne porównanie między (z lewej) tradycyjnym podejściem „Via-Middle“ a (z prawej) podejściem „Local-BDI“-TSV przy założeniu wysokości komórki 115 nm i grubości krzemu 500 nm. Rysunek 2 – Zależność oporu łańcuchowego od struktur TSV/MOL-Via od błędu nakładania przy oknie nakładania o szerokości 30 nm. Ciągła czarna linia przedstawia wyniki symulacji; linie przerywane oznaczają odchylenie ±5 %.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowa koncepcja integracji wykorzystuje samodopasowujące się przezłączenia w krzemie o szerokości struktury poniżej 100 nm, umożliwiając połączenia od strony przedniej do tylnej, które charakteryzują się niskim oporem, małymi prądami upływu oraz dobrą dokładnością nakładania.

Sony i imec przedstawiają wysokiej gęstości moduł do połączeń tylnej strony, umożliwiający integrację chipów 3D następnej generacji

– Sony i imec przedstawiają nowy moduł do integracji gęstych, tylnych przez-krzemowych (TSV) o rozdzielczości poniżej 100 nm, oparty na samodzielnym procesie lokalnej dielektrycznej izolacji na tylnej stronie (local BDI).
– Powstałe w ten sposób front-to-back TSV wykazują korzystniejszy stosunek wymi…
Obraz 1 – (A) Zdjęcie mikroskopowe rasterowe X-Cut-HAADF z elektronami o rozdzielczości 50 nm, długości kontaktu 19 nm i szerokości 256 nm po wytrawieniu linii przyłączeniowej bramki. oraz (B) odpowiednia analiza spektroskopii rentgenowskiej dyspersji energii (EDS). Abbildung 2 – MoS2-nFETs i WSe2-pFETs z odstępem kontaktu 50 nm i rozluźnioną szerokością kanału (650 nm), zintegrowane na tym samym 300-mm waflu, wykazują dobrą dopasowanie napięcia progowego.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowatorskie podejście integracyjne o długości 300 nm dla elementów bazujących na materiałach 2D umożliwia skalowalne tranzystory n- i p- z kontaktem poly pitch wynoszącym 50 nm.

ASML, TSMC i imec sprawiają, że przemysłowe tranzystory z materiałów 2D stają się bardziej dostępne dzięki przełomowej integracji na 300 mm

– ASML, TSMC i imec prezentują innowacyjny, skalowalny proces integracji na 300 mm dla tranzystorów opartych na materiałach 2D, umożliwiający po raz pierwszy realizację zeskalowanych nFET-ów i pFET-ów z odstępem kontaktowym (CPP) wynoszącym 50 nm, które zostały wystrukturyzowane za pomocą litografii…
MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Imec umożliwia integrację III-V-Chiplets na Si-CMOS. umożliwia to poprzez dalszy rozwój swojej platformy 300-mm RF-silicon interposer z wysokiej gęstości MIMCAP, modelowaniem pasywnym i laserowym łączeniem

– Imec rozwija swój 300-mm RF-siliconowy interposer jako unikalną platformę na poziomie systemu do heterogenicznej integracji III-V chipletów na Si-CMOS, mając na celu pokrycie zastosowań w zakresie komunikacji mmWave/sub-THz oraz wysokiej przepustowości w centrach danych.
– Nowa architektura MIMCAP…
Działająca tablica kubitów z odległościami między bramkami plunger (P) i barierowymi (B) wynoszącymi zaledwie 6 nanometrów, umożliwiona przez litografię EUV o wysokiej numerycznej aperturze (High-NA). Na obrazku widać również bramki akumulacji (A) i zamknięcia (C).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Najbardziej zaawansowany system litograficzny, który będzie kluczowy dla przyszłych wysokowydajnych pamięci i układów komputerowych, odegra kluczową rolę w rozwoju technologii kwantowej.

Na skalę światową unikalne: imec prezentuje element kubitów punktów kwantowych, który został wyprodukowany za pomocą litografii EUV o wysokiej NA

    1. Imec po raz pierwszy na świecie prezentuje element kwantowego bitu (qubit) oparty na punkcie kwantowym, wyprodukowany za pomocą lithografii High-NA-EUV.
2. Ta demonstracja jest kamieniem milowym na drodze do przemysłowego skalowania bardziej niezawodnych qubitów, podstawowych jednostek obliczeni…
Rysunek 1 – (a) Schematyczne przedstawienie struktury 3D-CCD opartej na trzech liniach słowo: dolny bramkowy (BG), środkowy bramkowy (CG) i górny bramkowy (TG), przy czym źródło (S) znajduje się na dole, a dren (D) na górze; (b) przekrój TEM ukazujący trzy warstwy bramkowe z odstępem między liniami słowo wynoszącym 80 nm. Rysunek 2 – (a) Schemat przedstawiający schemat sterowania za pomocą trzech bramek dla przesyłu ładunku szeregowo w pamięci 3D-CCD z trzema liniami słów; (b) Schematyczne przedstawienie pracy 3D-CCD, ilustrujące transfer elektronów poprzez tworzenie i przesuwanie się zagłębień potencjału pod bramkami. Abbildung 3 – (a) Krzywe I-f dla 7 elementów składowych o różnych średnicach otworu pamięci (MH), mierzonych do 4 MHz; (b) liczba elektronów przenoszonych na cykl, wyznaczona na podstawie nachylenia odpowiednich krzywych I-f.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Wykonalność integracji układu CCD (Charge Coupled Device) w architekturę podobną do 3D-NAND toruje drogę do taniego rozwiązania pamięciowego o wysokiej gęstości bitów, aby pokonać granicę pamięci przy obciążeniach specyficznych dla AI

Imec przedstawia pierwszą trójwymiarową implementację elementu ładunkowo-sprzężonego do zastosowań pamięci AI

– Imec przedstawia pierwszą 3D implementację pamięci typu CCD z kanałem IGZO – obiecującą technologię dla zastosowań w pamięciach AI.
– Ze względu na niskie koszty produkcji, wysoką gęstość bitów oraz możliwość blokowego adresowania, moduł 3D-CCD jest obiecujący jako bufor typu Compute Express Link…
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Der Schritt erweitert die weltweite Kompetenz im Bereich ASIC-Dienstleistungen und strebt die Durchführung der branchenweit anspruchsvollsten Projekte in den Bereichen KI, HPC, Mobilfunk und Automotive an.

IC-Link od imec dołącza do TSMC 3DFabric® Alliance, aby promować innowacje w zakresie zaawansowanych technologii pakowania i 3D-ICs

Imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zaawansowanych technologiach półprzewodnikowych, ogłosił, że IC-Link by imec, dostawca usług projektowych i produkcyjnych dla ASIC-ów i fotoniki krzemowej, dołączył do Alliance TSMC Open Innovation Platform® (OIP) 3DFabric®. Jako część ekosystemu…
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Ein bedeutender Schritt auf dem Weg in das Ängström-Zeitalter

Imec otrzymuje najbardziej zaawansowany na świecie system EUV o wysokiej NA

— Imec ogłasza, że system litografii EUV ASML EXE:5200, najnowocześniejszy na świecie system litografii EUV z wysoką aperturą numeryczną (High NA), został dostarczony do jego czystego pomieszczenia o wymiarach 300 mm w Leuven.
— Wykorzystanie systemu High-NA EUV w bezpośrednim połączeniu z najnowocze…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

Piepenbrock Vaisala Becker ClearClean