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Toutes les publications de la rubrique Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Figure 1. Images représentatives en REM de wafers EUV avec NA 0,55, montrant la structuration CAR sur des structures métalliques logiques et des vias avec un pas étroit, y compris SRAM (AEI), PnR (AEI), test Mêlée-E (ADI) et vias de logique aléatoire C2C de 28 nm (ADI) (AEI = Inspection après gravure ; ADI = Inspection après développement).
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Imec et ses fournisseurs de matériaux optimisent leurs plateformes basées sur des résists renforcés chimiquement (CAR) pour la structuration individuelle EUV à haute ouverture numérique (NA)) de lignes avec un pas de 22 nm, supportant les conceptions logiques A14/A10

Imec démontre l'évolution des résists renforcés chimiquement pour la lithographie EUV à haute ouverture numérique (NA)

– Imec optimise la technologie basée sur la CAR pour les procédés de Single-Patterning à haute NA dans le domaine EUV sur plusieurs couches des nœuds technologiques logiques A14/A10.
– Différentes structures logiques avec des intervalles étroits pour les lignes métalliques et les vias ont été démontr…
Lecteur HFS E-Sign HERMOS (Copyright : HERMOS AG)
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  • Produits, appareils, systèmes, installations pour applications

Identification de l'opérateur RFID pour des processus sûrs dans la fabrication de semi-conducteurs

Le lecteur HERMOS HFS E-Sign

Dans la fabrication de semi-conducteurs, une traçabilité sans faille, une identification claire des opérateurs et des processus standardisés sont des conditions essentielles pour garantir une qualité de produit constante. En particulier sur les postes de travail manuels, l'identification fiable de l…
Représentation schématique d'une plateforme évolutive composée de sources de lumière quantique, intégrant des points quantiques positionnés avec précision dans des nano-résonateurs. Prof. Dr. Reitzenstein devant la chambre d'échantillonnage de la machine de lithographie par faisceau d'électrons, utilisée pour fabriquer des nanostructures de haute précision destinées à des sources de lumière quantique évolutives de nouvelle génération.
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  • Savoir-faire, Institut

Grâce à des points quantiques placés avec précision, il est possible d'intégrer pour la première fois des sources de lumière quantique évolutives et reproductibles sur des puces semi-conductrices

TU Berlin ouvre la voie à la fabrication en série de puces quantiques

Les puces quantiques optiques sont considérées comme des éléments clés des technologies de communication et d'informatique futures. Leur fabrication était jusqu'à présent complexe, car les sources nécessaires pour produire des particules de lumière individuelles – appelées points quantiques semi-con…
Entrée principale du site d'Erfurt de X-FAB
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  • Construction neuve

L'État fédéral et le Land de Thuringe soutiennent un projet clé pour l'avenir du site de microélectronique en Thuringe avec 127,4 millions d'euros

Notification de subvention : X-FAB transforme Erfurt en centre de microtechnologie

Une notification de subvention de 127,4 millions d'euros a été remise aujourd'hui à Erfurt par le Premier ministre de Thuringe, Mario Voigt, la ministre de l'Économie de Thuringe, Colette Boos-John, et le maire d'Erfurt, Andreas Horn, à la société X-FAB MEMS Foundry GmbH. Grâce au soutien financier…
Figure 1 – Comparaison schématique entre le modèle traditionnel « Via-Middle » (à gauche) et la méthode « Local-BDI » TSV (à droite) en supposant une hauteur de cellule de 115 nm et une épaisseur de silicium de 500 nm. Figure 2 – Dépendance de la résistance de la chaîne des structures TSV/MOL via de l'erreur de superposition à une fenêtre de superposition de 30 nm. La ligne noire continue représente les résultats de la simulation ; les lignes en pointillés indiquent une déviation de ±5 %.
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

La nouvelle approche d'intégration utilise des traversées auto-alignées dans le silicium avec une largeur de structure inférieure à 100 nm, permettant ainsi des connexions de face à face caractérisées par une faible résistance, de faibles courants de fuite et une bonne précision de superposition.

Sony et imec présentent un module à haute densité pour la connexion arrière, permettant l'intégration de puces 3D de nouvelle génération

– Sony et imec présentent un nouveau module pour l'intégration de vias traversants (TSVs) à haute densité, postérieurs à la face arrière, inférieurs à 100 nm, basé sur une méthode auto-alignante pour l'isolation diélectrique locale à l'arrière (local BDI).
– Les TSV front-to-back ainsi obtenus présen…
Figure 1 – (A) Image de microscopie électronique à balayage HAADF en coupe X d'un composant en WS<sub>2</sub> avec une distance critique de 50 nm, une longueur de contact de 19 nm et une largeur de 256 nm après le gravage de la ligne de connexion de la grille. Et (B) l'analyse correspondante par spectroscopie dispersive en énergie (EDS). <figure> <img src=
Figure 2 – MoS2-nFETs et WSe2-pFETs avec un espacement de contact de 50 nm et une largeur de canal détendue (650 nm), intégrés sur la même plaquette de 300 mm, présentent une bonne correspondance de la tension de seuil.
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Abbildung 2 – MoS2-nFETs und WSe2-pFETs mit einem Kontaktabstand von 50 nm und einer entspannten Kanalbreite (650 nm), die auf demselben 300-mm-Wafer integriert sind, weisen eine gute Anpassung der Schwellenspannung auf.
Figure 2 – MoS2-nFETs et WSe2-pFETs avec un espacement de contact de 50 nm et une largeur de canal détendue (650 nm), intégrés sur la même plaquette de 300 mm, présentent une bonne correspondance de la tension de seuil.
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Une nouvelle approche d'intégration de 300 mm pour les composants basée sur des matériaux 2D permet la fabrication de transistors n- et p- à l'échelle avec un pas de poly contacté de 50 nm.

ASML, TSMC et imec rendent les transistors industriels à partir de matériaux 2D plus tangibles grâce à une intégration révolutionnaire de 300 mm

– ASML, TSMC et imec présentent un procédé d'intégration innovant de 300 mm pour transistors basé sur des matériaux 2D, permettant pour la première fois la réalisation de nFETs et pFETs à l’échelle avec un espacement de contact (CPP) de 50 nm, structurés par lithographie EUV.
– De bons résultats ont…
MIMCAP à haute densité dans un interposeur en silicium de 300 mm MIMCAP à haute densité dans un interposeur en silicium de 300 mm
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Imec permet l'intégration de III-V-Chiplets sur Si-CMOS. permet grâce au développement de sa plateforme d'interposers RF en silicium de 300 mm avec des MIMCAPs à haute densité, une modélisation passive et un collage assisté par laser

– Imec développe son interposeur en silicium RF de 300 mm en une plateforme unique à l’échelle du système pour l’intégration hétérogène de chiplets III-V sur Si-CMOS – dans le but de couvrir les applications dans le domaine des communications mmWave/sub-THz ainsi que les applications à haute vitesse…
Avec le système de prise et de pose Fast 4PnP, optimisé plusieurs fois pour la performance, Jenaer Antriebstechnik propose une solution pour les applications en salle blanche, combinant une dynamique maximale avec une précision au nanomètre. (Copyright : Julian Hoerndlein)
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  • Produits, appareils, systèmes, installations pour applications

Hautement dynamique et adapté aux salles blanches : JAT a été récompensé pour le système Pick-and-Place Fast 4PnP

Le système de Pick-and-Place Fast 4PnP, récemment récompensé par le Silber igus vector award, de Jenaer Antriebstechnik offre une solution pour les applications en salle blanche, combinant une dynamique élevée avec une précision nanométrique.

Le système a été spécialement conçu pour des applications…
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