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Toutes les publications de la rubrique Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Entrée principale du site d'Erfurt de X-FAB
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  • Construction neuve

L'État fédéral et le Land de Thuringe soutiennent un projet clé pour l'avenir du site de microélectronique en Thuringe avec 127,4 millions d'euros

Notification de subvention : X-FAB transforme Erfurt en centre de microtechnologie

Une notification de subvention de 127,4 millions d'euros a été remise aujourd'hui à Erfurt par le Premier ministre de Thuringe, Mario Voigt, la ministre de l'Économie de Thuringe, Colette Boos-John, et le maire d'Erfurt, Andreas Horn, à la société X-FAB MEMS Foundry GmbH. Grâce au soutien financier…
Figure 1 – Comparaison schématique entre le modèle traditionnel « Via-Middle » (à gauche) et la méthode « Local-BDI » TSV (à droite) en supposant une hauteur de cellule de 115 nm et une épaisseur de silicium de 500 nm. Figure 2 – Dépendance de la résistance de la chaîne des structures TSV/MOL via de l'erreur de superposition à une fenêtre de superposition de 30 nm. La ligne noire continue représente les résultats de la simulation ; les lignes en pointillés indiquent une déviation de ±5 %.
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La nouvelle approche d'intégration utilise des traversées auto-alignées dans le silicium avec une largeur de structure inférieure à 100 nm, permettant ainsi des connexions de face à face caractérisées par une faible résistance, de faibles courants de fuite et une bonne précision de superposition.

Sony et imec présentent un module à haute densité pour la connexion arrière, permettant l'intégration de puces 3D de nouvelle génération

– Sony et imec présentent un nouveau module pour l'intégration de vias traversants (TSVs) à haute densité, postérieurs à la face arrière, inférieurs à 100 nm, basé sur une méthode auto-alignante pour l'isolation diélectrique locale à l'arrière (local BDI).
– Les TSV front-to-back ainsi obtenus présen…
Figure 1 – (A) Image de microscopie électronique à balayage HAADF en coupe X d'un composant en WS<sub>2</sub> avec une distance critique de 50 nm, une longueur de contact de 19 nm et une largeur de 256 nm après le gravage de la ligne de connexion de la grille. Et (B) l'analyse correspondante par spectroscopie dispersive en énergie (EDS). <figure> <img src=
Figure 2 – MoS2-nFETs et WSe2-pFETs avec un espacement de contact de 50 nm et une largeur de canal détendue (650 nm), intégrés sur la même plaquette de 300 mm, présentent une bonne correspondance de la tension de seuil.
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Abbildung 2 – MoS2-nFETs und WSe2-pFETs mit einem Kontaktabstand von 50 nm und einer entspannten Kanalbreite (650 nm), die auf demselben 300-mm-Wafer integriert sind, weisen eine gute Anpassung der Schwellenspannung auf.
Figure 2 – MoS2-nFETs et WSe2-pFETs avec un espacement de contact de 50 nm et une largeur de canal détendue (650 nm), intégrés sur la même plaquette de 300 mm, présentent une bonne correspondance de la tension de seuil.
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Une nouvelle approche d'intégration de 300 mm pour les composants basée sur des matériaux 2D permet la fabrication de transistors n- et p- à l'échelle avec un pas de poly contacté de 50 nm.

ASML, TSMC et imec rendent les transistors industriels à partir de matériaux 2D plus tangibles grâce à une intégration révolutionnaire de 300 mm

– ASML, TSMC et imec présentent un procédé d'intégration innovant de 300 mm pour transistors basé sur des matériaux 2D, permettant pour la première fois la réalisation de nFETs et pFETs à l’échelle avec un espacement de contact (CPP) de 50 nm, structurés par lithographie EUV.
– De bons résultats ont…
MIMCAP à haute densité dans un interposeur en silicium de 300 mm MIMCAP à haute densité dans un interposeur en silicium de 300 mm
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Imec permet l'intégration de III-V-Chiplets sur Si-CMOS. permet grâce au développement de sa plateforme d'interposers RF en silicium de 300 mm avec des MIMCAPs à haute densité, une modélisation passive et un collage assisté par laser

– Imec développe son interposeur en silicium RF de 300 mm en une plateforme unique à l’échelle du système pour l’intégration hétérogène de chiplets III-V sur Si-CMOS – dans le but de couvrir les applications dans le domaine des communications mmWave/sub-THz ainsi que les applications à haute vitesse…
Avec le système de prise et de pose Fast 4PnP, optimisé plusieurs fois pour la performance, Jenaer Antriebstechnik propose une solution pour les applications en salle blanche, combinant une dynamique maximale avec une précision au nanomètre. (Copyright : Julian Hoerndlein)
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Hautement dynamique et adapté aux salles blanches : JAT a été récompensé pour le système Pick-and-Place Fast 4PnP

Le système de Pick-and-Place Fast 4PnP, récemment récompensé par le Silber igus vector award, de Jenaer Antriebstechnik offre une solution pour les applications en salle blanche, combinant une dynamique élevée avec une précision nanométrique.

Le système a été spécialement conçu pour des applications…
Le nouveau capteur SensoTech permet la surveillance en ligne continue des concentrations chimiques dans les processus humides des semi-conducteurs. (Image : SensoTech GmbH) Le contrôleur visualise en temps réel les concentrations mesurées en ligne, par exemple de TMAH et H₂O₂, ainsi que la température du processus. (Image : SensoTech GmbH) Le contrôleur visualise en temps réel les concentrations mesurées en ligne, telles que TMAH et H₂O₂, ainsi que la température du processus. (Image : SensoTech GmbH)
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Mesure en ligne des concentrations dans des processus tels que SC1, SC2 et BOE

Nouveau capteur à ultrasons de SensoTech pour les processus de traitement humide des semi-conducteurs

Une nouvelle technologie de capteur mesure directement dans le processus en cours des substances chimiques critiques et aide les fabricants de semi-conducteurs à détecter plus tôt les écarts de processus, à réduire les efforts de laboratoire et à rendre les processus humides plus stables.

Dans la fab…
Tableau de qubits fonctionnel avec des espacements d'environ 6 nanomètres entre les portes de plunger (P) et de barrière (B), rendu possible par la lithographie EUV à haute NA. L'image montre également les portes d'accumulation (A) et d'enfermement (C).
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Le système de lithographie le plus avancé, essentiel pour les futurs mémoires haute performance et puces informatiques, jouera un rôle clé dans le développement de la technologie quantique.

Unique au monde : imec présente un composant de qubit à points quantiques, fabriqué avec une lithographie EUV à haute NA

    1. Imec présente pour la première fois dans le monde un composant de qubit à points quantiques, fabriqué à l’aide de la lithographie EUV à haute NA.
2. Cette démonstration constitue une étape importante sur la voie de la mise à l’échelle industrielle de qubits plus fiables, les unités fondamentales…
Figure 1 – (a) Représentation schématique de la structure 3D-CCD basée sur trois lignes de mots : porte inférieure (BG), porte intermédiaire (CG) et porte supérieure (TG), où la Source (S) se trouve en bas et le Drain (D) en haut ; (b) image en coupe TEM montrant trois couches de porte avec une distance entre lignes de mots de 80 nm. Figure 2 – (a) Représentation du schéma de commande via trois portes pour le transfert de charge en série dans une mémoire 3D-CCD avec trois lignes de mots ; (b) Représentation schématique du fonctionnement du 3D-CCD, illustrant le transfert d’électrons par la formation et le déplacement de puits de potentiel sous les portes. Figure 3 – (a) Courbes I-f de 7 composants avec différents diamètres du trou mémoire (MH), mesurées jusqu’à 4 MHz ; (b) le nombre d’électrons transférés par cycle, déterminé à partir de la pente des courbes I-f correspondantes.
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La faisabilité de l'intégration d'un composant CCD (Charge Coupled Device) dans une architecture similaire à la NAND 3D ouvre la voie à une solution de stockage économique avec une haute densité de bits, afin de dépasser la limite de mémoire pour les char

Imec présente la première implémentation tridimensionnelle d'un composant à charge couplée pour les applications de mémoire IA

– Imec présente la première mise en œuvre 3D d’un capteur d’image à transfert de charge (CCD) avec un canal en indium-gallium-zinc-oxydes (IGZO), offrant un potentiel pour les applications de mémoire IA.
– En raison de sa fabrication peu coûteuse, de sa haute densité de bits et de sa propriété de b…
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