Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Becker MT-Messtechnik HJM Hydroflex
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje w rubryce Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Główne wejście na terenie firmy X-FAB w Erfurcie
  • ‌
  • Nowa budowa

Bund i Wolne Państwo Turyngia wspierają kluczowy projekt dla przyszłości lokalizacji mikroelektroniki w Turyngii kwotą 127,4 milionów euro

Decyzja o dofinansowaniu przekazana: X-FAB rozbudowuje Erfurt jako centrum technologii mikro-systemów

Otrzymano decyzję o dofinansowaniu w wysokości 127,4 miliona euro od premiera Turyngii Mario Voigt, minister gospodarki Turyngii Colette Boos-John oraz burmistrza Erfurt Andreas Horn, które dziś wręczono w Erfurcie firmie X-FAB MEMS Foundry GmbH. Dzięki wsparciu ze strony federalnej i kraju związkow…
Abbildung 1 – Schematyczne porównanie między (z lewej) tradycyjnym podejściem „Via-Middle“ a (z prawej) podejściem „Local-BDI“-TSV przy założeniu wysokości komórki 115 nm i grubości krzemu 500 nm. Rysunek 2 – Zależność oporu łańcuchowego od struktur TSV/MOL-Via od błędu nakładania przy oknie nakładania o szerokości 30 nm. Ciągła czarna linia przedstawia wyniki symulacji; linie przerywane oznaczają odchylenie ±5 %.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowa koncepcja integracji wykorzystuje samodopasowujące się przezłączenia w krzemie o szerokości struktury poniżej 100 nm, umożliwiając połączenia od strony przedniej do tylnej, które charakteryzują się niskim oporem, małymi prądami upływu oraz dobrą dokładnością nakładania.

Sony i imec przedstawiają wysokiej gęstości moduł do połączeń tylnej strony, umożliwiający integrację chipów 3D następnej generacji

– Sony i imec przedstawiają nowy moduł do integracji gęstych, tylnych przez-krzemowych (TSV) o rozdzielczości poniżej 100 nm, oparty na samodzielnym procesie lokalnej dielektrycznej izolacji na tylnej stronie (local BDI).
– Powstałe w ten sposób front-to-back TSV wykazują korzystniejszy stosunek wymi…
Obraz 1 – (A) Zdjęcie mikroskopowe rasterowe X-Cut-HAADF z elektronami o rozdzielczości 50 nm, długości kontaktu 19 nm i szerokości 256 nm po wytrawieniu linii przyłączeniowej bramki. oraz (B) odpowiednia analiza spektroskopii rentgenowskiej dyspersji energii (EDS). Abbildung 2 – MoS2-nFETs i WSe2-pFETs z odstępem kontaktu 50 nm i rozluźnioną szerokością kanału (650 nm), zintegrowane na tym samym 300-mm waflu, wykazują dobrą dopasowanie napięcia progowego.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowatorskie podejście integracyjne o długości 300 nm dla elementów bazujących na materiałach 2D umożliwia skalowalne tranzystory n- i p- z kontaktem poly pitch wynoszącym 50 nm.

ASML, TSMC i imec sprawiają, że przemysłowe tranzystory z materiałów 2D stają się bardziej dostępne dzięki przełomowej integracji na 300 mm

– ASML, TSMC i imec prezentują innowacyjny, skalowalny proces integracji na 300 mm dla tranzystorów opartych na materiałach 2D, umożliwiający po raz pierwszy realizację zeskalowanych nFET-ów i pFET-ów z odstępem kontaktowym (CPP) wynoszącym 50 nm, które zostały wystrukturyzowane za pomocą litografii…
MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Imec umożliwia integrację III-V-Chiplets na Si-CMOS. umożliwia to poprzez dalszy rozwój swojej platformy 300-mm RF-silicon interposer z wysokiej gęstości MIMCAP, modelowaniem pasywnym i laserowym łączeniem

– Imec rozwija swój 300-mm RF-siliconowy interposer jako unikalną platformę na poziomie systemu do heterogenicznej integracji III-V chipletów na Si-CMOS, mając na celu pokrycie zastosowań w zakresie komunikacji mmWave/sub-THz oraz wysokiej przepustowości w centrach danych.
– Nowa architektura MIMCAP…
Nowy czujnik SensoTech umożliwia ciągłe monitorowanie chemicznych stężeń w procesach na mokro w półprzewodnikach. (Obraz: SensoTech GmbH) Kontroler wizualizuje na bieżąco zmierzone stężenia, na przykład TMAH i H₂O₂, oraz temperaturę procesu. (Zdjęcie: SensoTech GmbH) Kontroler wizualizuje na żywo stężenia zmierzone inline, na przykład TMAH i H₂O₂, oraz temperaturę procesu. (Zdjęcie: SensoTech GmbH)
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Pomiar stężeń w procesach takich jak SC1, SC2 i BOE inline

Nowy czujnik ultradźwiękowy od SensoTech do procesów mokrych w półprzewodnikach

Nowa technologia sensorowa mierzy krytyczne chemikalia bezpośrednio w trakcie procesu i wspiera producentów półprzewodników w wykrywaniu odchyleń procesu wcześniej, redukując nakład pracy (laboratoryjnej) i zapewniając bardziej stabilne prowadzenie procesów mokrych.

W produkcji półprzewodników niezaw…
Działająca tablica kubitów z odległościami między bramkami plunger (P) i barierowymi (B) wynoszącymi zaledwie 6 nanometrów, umożliwiona przez litografię EUV o wysokiej numerycznej aperturze (High-NA). Na obrazku widać również bramki akumulacji (A) i zamknięcia (C).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Najbardziej zaawansowany system litograficzny, który będzie kluczowy dla przyszłych wysokowydajnych pamięci i układów komputerowych, odegra kluczową rolę w rozwoju technologii kwantowej.

Na skalę światową unikalne: imec prezentuje element kubitów punktów kwantowych, który został wyprodukowany za pomocą litografii EUV o wysokiej NA

    1. Imec po raz pierwszy na świecie prezentuje element kwantowego bitu (qubit) oparty na punkcie kwantowym, wyprodukowany za pomocą lithografii High-NA-EUV.
2. Ta demonstracja jest kamieniem milowym na drodze do przemysłowego skalowania bardziej niezawodnych qubitów, podstawowych jednostek obliczeni…
Rysunek 1 – (a) Schematyczne przedstawienie struktury 3D-CCD opartej na trzech liniach słowo: dolny bramkowy (BG), środkowy bramkowy (CG) i górny bramkowy (TG), przy czym źródło (S) znajduje się na dole, a dren (D) na górze; (b) przekrój TEM ukazujący trzy warstwy bramkowe z odstępem między liniami słowo wynoszącym 80 nm. Rysunek 2 – (a) Schemat przedstawiający schemat sterowania za pomocą trzech bramek dla przesyłu ładunku szeregowo w pamięci 3D-CCD z trzema liniami słów; (b) Schematyczne przedstawienie pracy 3D-CCD, ilustrujące transfer elektronów poprzez tworzenie i przesuwanie się zagłębień potencjału pod bramkami. Abbildung 3 – (a) Krzywe I-f dla 7 elementów składowych o różnych średnicach otworu pamięci (MH), mierzonych do 4 MHz; (b) liczba elektronów przenoszonych na cykl, wyznaczona na podstawie nachylenia odpowiednich krzywych I-f.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Wykonalność integracji układu CCD (Charge Coupled Device) w architekturę podobną do 3D-NAND toruje drogę do taniego rozwiązania pamięciowego o wysokiej gęstości bitów, aby pokonać granicę pamięci przy obciążeniach specyficznych dla AI

Imec przedstawia pierwszą trójwymiarową implementację elementu ładunkowo-sprzężonego do zastosowań pamięci AI

– Imec przedstawia pierwszą 3D implementację pamięci typu CCD z kanałem IGZO – obiecującą technologię dla zastosowań w pamięciach AI.
– Ze względu na niskie koszty produkcji, wysoką gęstość bitów oraz możliwość blokowego adresowania, moduł 3D-CCD jest obiecujący jako bufor typu Compute Express Link…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

PMS Systec & Solutions GmbH C-Tec ClearClean