Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Vaisala HJM Berner International GmbH Piepenbrock
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje w rubryce Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

HERMOS HFS E-Sign Reader (Copyright: HERMOS AG)
  • ‌
  • Produkty, urządzenia, systemy, instalacje do zastosowań

Identyfikacja operatora RFID dla bezpiecznych procesów w produkcji półprzewodników

Czytnik HERMOS HFS E-Sign

W produkcji półprzewodników niezbędne są nieprzerwane możliwości śledzenia, jednoznaczna identyfikacja operatora oraz standaryzowane procedury, które zapewniają stałą wysoką jakość produktu. Zwłaszcza na stanowiskach pracy ręcznej niezawodna identyfikacja operatora zapewnia, że kroki procesu są jedn…
Schematyczny rysunek skalowalnej platformy z źródłami światła kwantowego, na której zintegrowane są precyzyjnie pozycjonowane punkty kwantowe w nano-rezonatorach. Prof. Dr. Reitzenstein przed komorą próbek systemu litografii elektronowego strumienia, z którego wytwarzane są wysoce precyzyjne nanostruktury dla skalowalnych źródeł kwantowego światła następnej generacji.
  • ‌
  • Know How, Instytut

Dzięki precyzyjnie umieszczonym punktom kwantowym można po raz pierwszy zintegrować skalowalne i powtarzalne źródła światła kwantowego na chipach półprzewodnikowych

TU Berlin toruje drogę do seryjnej produkcji chipów kwantowych

Opticzne kwantowe układy scalone są uważane za kluczowe elementy przyszłych technologii komunikacyjnych i komputerowych. Ich produkcja była dotychczas kosztowna, ponieważ źródła pojedynczych cząstek światła – tak zwane półprzewodnikowe punkty kwantowe – powstawały przypadkowo na chipie i początkowo…
Główne wejście na terenie firmy X-FAB w Erfurcie
  • ‌
  • Nowa budowa

Bund i Wolne Państwo Turyngia wspierają kluczowy projekt dla przyszłości lokalizacji mikroelektroniki w Turyngii kwotą 127,4 milionów euro

Decyzja o dofinansowaniu przekazana: X-FAB rozbudowuje Erfurt jako centrum technologii mikro-systemów

Otrzymano decyzję o dofinansowaniu w wysokości 127,4 miliona euro od premiera Turyngii Mario Voigt, minister gospodarki Turyngii Colette Boos-John oraz burmistrza Erfurt Andreas Horn, które dziś wręczono w Erfurcie firmie X-FAB MEMS Foundry GmbH. Dzięki wsparciu ze strony federalnej i kraju związkow…
Abbildung 1 – Schematyczne porównanie między (z lewej) tradycyjnym podejściem „Via-Middle“ a (z prawej) podejściem „Local-BDI“-TSV przy założeniu wysokości komórki 115 nm i grubości krzemu 500 nm. Rysunek 2 – Zależność oporu łańcuchowego od struktur TSV/MOL-Via od błędu nakładania przy oknie nakładania o szerokości 30 nm. Ciągła czarna linia przedstawia wyniki symulacji; linie przerywane oznaczają odchylenie ±5 %.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowa koncepcja integracji wykorzystuje samodopasowujące się przezłączenia w krzemie o szerokości struktury poniżej 100 nm, umożliwiając połączenia od strony przedniej do tylnej, które charakteryzują się niskim oporem, małymi prądami upływu oraz dobrą dokładnością nakładania.

Sony i imec przedstawiają wysokiej gęstości moduł do połączeń tylnej strony, umożliwiający integrację chipów 3D następnej generacji

– Sony i imec przedstawiają nowy moduł do integracji gęstych, tylnych przez-krzemowych (TSV) o rozdzielczości poniżej 100 nm, oparty na samodzielnym procesie lokalnej dielektrycznej izolacji na tylnej stronie (local BDI).
– Powstałe w ten sposób front-to-back TSV wykazują korzystniejszy stosunek wymi…
Obraz 1 – (A) Zdjęcie mikroskopowe rasterowe X-Cut-HAADF z elektronami o rozdzielczości 50 nm, długości kontaktu 19 nm i szerokości 256 nm po wytrawieniu linii przyłączeniowej bramki. oraz (B) odpowiednia analiza spektroskopii rentgenowskiej dyspersji energii (EDS). Abbildung 2 – MoS2-nFETs i WSe2-pFETs z odstępem kontaktu 50 nm i rozluźnioną szerokością kanału (650 nm), zintegrowane na tym samym 300-mm waflu, wykazują dobrą dopasowanie napięcia progowego.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowatorskie podejście integracyjne o długości 300 nm dla elementów bazujących na materiałach 2D umożliwia skalowalne tranzystory n- i p- z kontaktem poly pitch wynoszącym 50 nm.

ASML, TSMC i imec sprawiają, że przemysłowe tranzystory z materiałów 2D stają się bardziej dostępne dzięki przełomowej integracji na 300 mm

– ASML, TSMC i imec prezentują innowacyjny, skalowalny proces integracji na 300 mm dla tranzystorów opartych na materiałach 2D, umożliwiający po raz pierwszy realizację zeskalowanych nFET-ów i pFET-ów z odstępem kontaktowym (CPP) wynoszącym 50 nm, które zostały wystrukturyzowane za pomocą litografii…
MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym MIMCAP o wysokiej gęstości na 300-mm interpozerze krzemowym
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Imec umożliwia integrację III-V-Chiplets na Si-CMOS. umożliwia to poprzez dalszy rozwój swojej platformy 300-mm RF-silicon interposer z wysokiej gęstości MIMCAP, modelowaniem pasywnym i laserowym łączeniem

– Imec rozwija swój 300-mm RF-siliconowy interposer jako unikalną platformę na poziomie systemu do heterogenicznej integracji III-V chipletów na Si-CMOS, mając na celu pokrycie zastosowań w zakresie komunikacji mmWave/sub-THz oraz wysokiej przepustowości w centrach danych.
– Nowa architektura MIMCAP…
Nowy czujnik SensoTech umożliwia ciągłe monitorowanie chemicznych stężeń w procesach na mokro w półprzewodnikach. (Obraz: SensoTech GmbH) Kontroler wizualizuje na bieżąco zmierzone stężenia, na przykład TMAH i H₂O₂, oraz temperaturę procesu. (Zdjęcie: SensoTech GmbH) Kontroler wizualizuje na żywo stężenia zmierzone inline, na przykład TMAH i H₂O₂, oraz temperaturę procesu. (Zdjęcie: SensoTech GmbH)
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Pomiar stężeń w procesach takich jak SC1, SC2 i BOE inline

Nowy czujnik ultradźwiękowy od SensoTech do procesów mokrych w półprzewodnikach

Nowa technologia sensorowa mierzy krytyczne chemikalia bezpośrednio w trakcie procesu i wspiera producentów półprzewodników w wykrywaniu odchyleń procesu wcześniej, redukując nakład pracy (laboratoryjnej) i zapewniając bardziej stabilne prowadzenie procesów mokrych.

W produkcji półprzewodników niezaw…
Działająca tablica kubitów z odległościami między bramkami plunger (P) i barierowymi (B) wynoszącymi zaledwie 6 nanometrów, umożliwiona przez litografię EUV o wysokiej numerycznej aperturze (High-NA). Na obrazku widać również bramki akumulacji (A) i zamknięcia (C).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Najbardziej zaawansowany system litograficzny, który będzie kluczowy dla przyszłych wysokowydajnych pamięci i układów komputerowych, odegra kluczową rolę w rozwoju technologii kwantowej.

Na skalę światową unikalne: imec prezentuje element kubitów punktów kwantowych, który został wyprodukowany za pomocą litografii EUV o wysokiej NA

    1. Imec po raz pierwszy na świecie prezentuje element kwantowego bitu (qubit) oparty na punkcie kwantowym, wyprodukowany za pomocą lithografii High-NA-EUV.
2. Ta demonstracja jest kamieniem milowym na drodze do przemysłowego skalowania bardziej niezawodnych qubitów, podstawowych jednostek obliczeni…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

Becker C-Tec ClearClean Hydroflex