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Tutte le pubblicazioni per la rubrica Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Rappresentazione schematica di una piattaforma scalabile composta da sorgenti di luce quantistica, in cui punti quantici posizionati con precisione sono integrati in nanoresonatori. Prof. Dr. Reitzenstein davanti alla camera di campionamento della macchina di litografia a fascio di elettroni, con cui vengono realate strutture nanometriche ad alta precisione per fonti di luce quantistica scalabili di nuova generazione.
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  • Sapere Come, Istituto

Grazie a punti quantici posizionati con precisione, è possibile integrare per la prima volta fonti di luce quantistica scalabili e riproducibili su chip a semiconduttore

TU Berlino apre la strada alla produzione in serie di chip quantistici

Optical quantum chips sono considerati i mattoni fondamentali delle future tecnologie di comunicazione e informatica. La loro produzione finora è stata complessa, poiché le fonti necessarie per singoli fotoni – chiamate punti quantici a semiconduttore – si formavano casualmente sul chip e dovevano e…
Ingresso principale presso lo stabilimento di Erfurt di X-FAB
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  • Nuovo edificio

Bund e Stato libero di Turingia supportano progetto chiave per il futuro del sito di microelettronica in Turingia con 127,4 milioni di euro

Comunicazione di sovvenzione consegnata: X-FAB trasforma Erfurt in un centro per la tecnologia dei microsistemi

Un decreto di finanziamento di 127,4 milioni di euro è stato consegnato oggi a Erfurt dal Ministro Presidente della Turingia Mario Voigt, dalla Ministra dell'Economia della Turingia Colette Boos-John e dal Sindaco di Erfurt Andreas Horn alla X-FAB MEMS Foundry GmbH. Con il finanziamento del governo…
Figura 1 – Confronto schematico tra l'approccio tradizionale „Via-Middle“ (a sinistra) e l'approccio „Local-BDI“ TSV (a destra), assumendo un'altezza delle celle di 115 nm e uno spessore di silicio di 500 nm. Figura 2 – Dipendenza della resistenza della catena dalle strutture TSV/MOL-Via dall'errore di sovrapposizione in una finestra di sovrapposizione di 30 nm. La linea nera continua rappresenta i risultati della simulazione; le linee tratteggiate indicano una deviazione del ±5 %.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Il nuovo approccio all'integrazione utilizza through-silicon vias autoadattati con una larghezza di struttura inferiore a 100 nm, consentendo così connessioni dalla parte anteriore a quella posteriore, caratterizzate da bassa resistenza, bassi correnti di perdita e buona precisione di sovrapposizione.

Sony e imec presentano un modulo ad alta densità per il collegamento posteriore, che consente l'integrazione di chip 3D di prossima generazione

– Sony e imec presentano un nuovo modulo per l'integrazione di through-silicon vias (TSV) posteriori ad alta densità e sub-100 nm, basato su una procedura autoadattativa per l'isolamento dielettrico locale sul retro (local BDI).
– I TSV front-to-back così ottenuti presentano un rapporto di aspetto pi…
Figura 1 – (A) Immagine di microscopia elettronica a scansione HAADF con taglio X di un elemento strutturale WS₂ con una distanza tra i contatti di 50 nm, una lunghezza di contatto di 19 nm e una larghezza di 256 nm dopo l'etching della linea di collegamento del gate. E (B) l'analisi corrispondente tramite spettroscopia a dispersione di energia (EDS). Figura 2 – MoS2-nFETs e WSe2-pFETs con una distanza di contatto di 50 nm e una larghezza del canale rilassata (650 nm), integrate sullo stesso wafer da 300 mm, mostrano una buona corrispondenza della tensione di soglia.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Un nuovo approccio di integrazione da 300 mm per componenti basato su materiali 2D consente la realizzazione di n-FET e p-FET scalabili con un passo di contatto in polimero di 50 nm.

ASML, TSMC e imec rendono i transistor industrializzabili realizzati con materiali 2D più tangibili attraverso un'integrazione rivoluzionaria a 300 mm

– ASML, TSMC e imec presentano un innovativo processo di integrazione da 300 mm per transistor basati su materiali 2D, con il quale per la prima volta sono stati realizzati transistor n- e p-scalati con una distanza di contatto (CPP) di 50 nm, strutturati mediante litografia EUV.
– Sono stati ottenut…
MIMCAP ad alta densità in un interposer in silicio da 300 mm MIMCAP ad alta densità in un interposer in silicio da 300 mm
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Imec consente l'integrazione di III-V-chiplet su Si-CMOS. permette attraverso lo sviluppo della sua piattaforma di interposizione RF in silicio da 300 mm con MIMCAP ad alta densità, modellazione passiva e bonding assistito da laser

– Imec sta sviluppando il suo interposer in silicio RF da 300 mm in una piattaforma unica a livello di sistema per l'integrazione eterogene di chiplet III-V su Si-CMOS, con l'obiettivo di coprire applicazioni nel campo delle comunicazioni mmWave/sub-THz e applicazioni ad alta velocità nei data cente…
Il nuovo sensore SensoTech consente il monitoraggio continuo inline delle concentrazioni chimiche nei processi di lavaggio dei semiconduttori. (Immagine: SensoTech GmbH) Il controller visualizza in tempo reale le concentrazioni misurate inline di ad esempio TMAH e H₂O₂, nonché la temperatura del processo. (Immagine: SensoTech GmbH) Il controller visualizza in tempo reale le concentrazioni misurate inline di ad esempio TMAH e H₂O₂, nonché la temperatura del processo. (Immagine: SensoTech GmbH)
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Misurare le concentrazioni in processi come SC1, SC2 e BOE in linea

Nuovo sensore ad ultrasuoni di SensoTech per processi di lavaggio dei semiconduttori

La nuova tecnologia dei sensori misura direttamente nel processo in corso le sostanze chimiche critiche e supporta i produttori di semiconduttori nel riconoscere prima le deviazioni di processo, ridurre gli sforzi di laboratorio e mantenere più stabile il funzionamento dei processi a umido.

Nel setto…
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