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Tutte le pubblicazioni per la rubrica Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Il nuovo sensore SensoTech consente il monitoraggio continuo inline delle concentrazioni chimiche nei processi di lavaggio dei semiconduttori. (Immagine: SensoTech GmbH) Il controller visualizza in tempo reale le concentrazioni misurate inline di ad esempio TMAH e H₂O₂, nonché la temperatura del processo. (Immagine: SensoTech GmbH) Il controller visualizza in tempo reale le concentrazioni misurate inline di ad esempio TMAH e H₂O₂, nonché la temperatura del processo. (Immagine: SensoTech GmbH)
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Misurare le concentrazioni in processi come SC1, SC2 e BOE in linea

Nuovo sensore ad ultrasuoni di SensoTech per processi di lavaggio dei semiconduttori

La nuova tecnologia dei sensori misura direttamente nel processo in corso le sostanze chimiche critiche e supporta i produttori di semiconduttori nel riconoscere prima le deviazioni di processo, ridurre gli sforzi di laboratorio e mantenere più stabile il funzionamento dei processi a umido.

Nel setto…
Array di qubit funzionante con distanze tra i plunger (P) e le barriere (B) di circa 6 nanometri, reso possibile dalla litografia EUV ad alta NA. L'immagine mostra inoltre le porte di accumulo (A) e di confinamento (C).
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Il sistema di litografia più avanzato, che sarà di fondamentale importanza per i futuri memorie ad alte prestazioni e microchip, svolgerà un ruolo chiave nello sviluppo della tecnologia quantistica.

Unico nel suo genere al mondo: imec presenta un modulo di qubit a punti quantici, prodotto con litografia EUV ad alta NA

    1. Imec presenta per la prima volta al mondo un elemento di base di un qubit a punti quantici, prodotto mediante litografia EUV ad alta NA.
2. Questa dimostrazione rappresenta una pietra miliare nel percorso verso la scalabilità industriale di qubit più affidabili, le unità di calcolo fondamentali…
Figura 1 – (a) Rappresentazione schematica della struttura 3D-CCD basata su tre linee di parola: gate inferiore (BG), gate centrale (CG) e gate superiore (TG), con Source (S) in basso e Drain (D) in alto; (b) Immagine di sezione trasversale TEM che mostra tre strati di gate con una distanza tra le linee di parola di 80 nm. Figura 2 – (a) Rappresentazione dello schema di controllo attraverso tre gate per il trasferimento di carica seriale in una memoria 3D-CCD con tre linee di parola; (b) Rappresentazione schematica del funzionamento del 3D-CCD, che illustra il trasferimento di elettroni attraverso la formazione e lo spostamento di pozzi di potenziale sotto i gate. Figura 3 – (a) Curve I-f di 7 componenti con diversi diametri dei Memory Holes (MH), misurate fino a 4 MHz; (b) il numero di elettroni trasferiti per ciclo, determinato dalla pendenza delle rispettive curve I-f.
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La fattibilità dell'integrazione di un componente CCD (Charge Coupled Device) in un'architettura simile a 3D-NAND apre la strada a una soluzione di memoria economica con alta densità di bit, per superare il limite di memoria nelle carichi di lavoro specif

Imec presenta la prima implementazione tridimensionale di un elemento di circuito a carica per applicazioni di memoria AI

– Imec presenta la prima implementazione 3D di un sensore di immagine a carica accoppiata (CCD) con un canale in Indio-Gallio-Zinco-Ossido (IGZO), che offre potenzialità per applicazioni di memoria AI.
– Grazie alla produzione a basso costo, all'elevata densità di bit e alla proprietà di indirizzamen…
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Il passo amplia la competenza globale nel settore dei servizi ASIC e mira a realizzare i progetti più impegnativi del settore nei settori dell'IA, HPC, telefonia mobile e automotive.

IC-Link di imec si unisce alla TSMC 3DFabric® Alliance per promuovere innovazioni nel campo delle tecnologie di packaging avanzate e degli IC 3D

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo delle tecnologie avanzate dei semiconduttori, ha annunciato che IC-Link by imec, il fornitore di servizi di progettazione e produzione di imec per ASIC e silicio fotonico, ha aderito alla TSMC Open Innovation Platform® (OIP…
(Copyright: Polytec GmbH)
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Caratterizzazione ottica a livello di wafer dei MEMS dinamici con elaborazione automatica delle mappe dei wafer, controllo delle ricette e integrazione in ambienti di produzione in workflow gestiti in fab.

Analisi delle vibrazioni MEMS completamente automatizzata in ambiente sterile: Polytec Micro System Analyzer ora con certificazione ISO-3 e automazione degli script

Con gli Micro System Analyzern (MSA-600, MSA-650 IRIS, MSA-100-3D), Polytec si rivolge da anni alla caratterizzazione senza contatto della dinamica e della topografia dei MEMS – dal singolo chip al livello wafer su stazioni di prova. L'attuale ampliamento combina questa tecnologia di misurazione ott…
Wafer FeFET © Fraunhofer IPMS Illustrazione di componenti ferroelettrici a base di HfO₂, che consentono memorie non volatili scalabili e compatibili con CMOS. L'architettura supporta l'integrazione sia in strutture di memoria front-end (FeFET) che back-end e apre allo stesso tempo possibilità per funzioni ferroelettriche avanzate come multiferroiche, pyroelettriche e componenti HF regolabili. © Fraunhofer IPMS
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Sostituzione riuscita del wafer per materiali di memorizzazione ferroelettrici tra Fraunhofer IPMS e CEA-Leti all'interno della linea pilota FAMES

Il Fraunhofer IPMS e CEA-Leti hanno completato con successo il primo scambio di wafer di memorie ferroelettriche all’interno della linea pilota FAMES. Con questo è stato raggiunto un importante traguardo nella piattaforma europea congiunta per tecnologie di memoria non volatile avanzate integrate. C…
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