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Todas las publicaciones de la rúbrica Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Figura 1. Imágenes representativas de REM de obleas EUV con NA 0,55 que muestran la estructuración CAR en estructuras de metal lógico y vías con paso estrecho, incluyendo SRAM (AEI), PnR (AEI), prueba de meandro (ADI) y vías de lógica aleatoria de 28 nm C2C (ADI) (AEI = Inspección después del grabado; ADI = Inspección después del desarrollo).
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Imec y sus proveedores de materiales optimizan sus plataformas basadas en resistencias reforzadas químicamente (CAR) para el patrón de estructura única EUV con alta apertura numérica (NA) de estructuras lineales con un paso de 22 nm, que soportan diseños lógicos A14/A10

Imec demuestra la evolución de resistencias químicamente reforzadas para la litografía EUV con alta apertura numérica (NA)

– Imec optimiza la tecnología basada en CAR para los procedimientos de patrón único con alta NA en el rango EUV en varias capas de los nodos tecnológicos lógicos A14/A10.
– Se demostraron varias estructuras lógicas con espacios estrechos en líneas metálicas y contactos, incluyendo estructuras de prue…
Lector HFS E-Sign de HERMOS (Copyright: HERMOS AG)
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  • Productos, dispositivos, sistemas, instalaciones para aplicaciones

Identificación de operadores RFID para procesos seguros en la fabricación de semiconductores

El lector HERMOS HFS E-Sign

En la fabricación de semiconductores, la trazabilidad completa, la identificación clara del operador y los procesos estandarizados son requisitos fundamentales para mantener una calidad de producto consistentemente alta. En particular, en puestos de trabajo manuales, la identificación confiable del…
Representación esquemática de una plataforma escalable de fuentes de luz cuántica, en la que se integran puntos cuánticos posicionados con precisión en nanoresonadores. El Prof. Dr. Reitzenstein frente a la cámara de muestras del sistema de litografía por haz de electrones, que fabrica nan Estructuras de alta precisión para fuentes de luz cuántica escalables de próxima generación.
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  • Conocimientos, Instituto

Med puntos cuánticos colocados con precisión, es posible integrar fuentes de luz cuántica de manera escalable y reproducible en chips de semiconductores

TU Berlín allana el camino para la fabricación en serie de chips cuánticos

Los chips cuánticos ópticos se consideran componentes clave de las futuras tecnologías de comunicación y computación. Sin embargo, su fabricación ha sido hasta ahora laboriosa, porque las fuentes necesarias para partículas individuales de luz — llamadas puntos cuánticos semiconductores — se formaban…
Entrada principal en la planta de X-FAB en Erfurt
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  • Nueva construcción

La Bund y el Estado Libre de Turingia apoyan un proyecto clave para el futuro del centro de microelectrónica de Turingia con 127,4 millones de euros

Notificación de subvención entregada: X-FAB convierte Erfurt en un centro de microtecnología

Una notificación de financiación por 127,4 millones de euros ha sido entregada hoy en Erfurt por el ministro presidente de Turingia, Mario Voigt, la ministra de Economía de Turingia, Colette Boos-John, y el alcalde de Erfurt, Andreas Horn, a X-FAB MEMS Foundry GmbH. Con el apoyo de la financiación d…
Figura 1 – Comparación esquemática entre (izquierda) el enfoque convencional Figura 2 – Dependencia de la resistencia de la cadena de estructuras TSV/MOL-Via del error de superposición en una ventana de superposición de 30 nm. La línea negra sólida representa los resultados de la simulación; las líneas discontinuas indican una desviación del ±5 %.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

El nuevo enfoque de integración utiliza vías autoposicionadas en silicio con un ancho de estructura inferior a 100 nm, lo que permite conexiones de la parte frontal a la trasera, caracterizadas por una baja resistencia, bajos corrientes de fuga y una buena precisión de alineación.

Sony e imec presentan un módulo de alta densidad para la conexión trasera, que permite la integración de chips 3D de próxima generación

– Sony y imec presentan un módulo innovador para la integración de vías a través de Si (TSVs) traseros de alta densidad y sub-100 nm, basado en un proceso de autoalineación para aislamiento dieléctrico local en la parte trasera (local BDI).
– Los TSVs frontales a traseros resultantes tienen una relac…
Figura 1 – (A) Imagen de microscopía electrónica de barrido HAADF con corte en X de un elemento de construcción de WS₂ con un CPP de 50 nm, una longitud de contacto de 19 nm y un ancho de 256 nm después del grabado de la línea de conexión de la compuerta. Y (B) el análisis correspondiente de espectroscopía de rayos X dispersiva en energía (EDS). Figura 2 – MoS2-nFETs y WSe2-pFETs con una separación de contacto de 50 nm y un ancho de canal relajado (650 nm), integrados en la misma oblea de 300 mm, muestran una buena coincidencia en el voltaje de umbral.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Un nuevo enfoque de integración de 300 mm para componentes basado en materiales 2D permite transistores n y p escalados con un paso de contacto de polímero de 50 nm.

ASML, TSMC y imec hacen que los transistores industriales de materiales 2D sean una realidad mediante una integración innovadora de 300 mm

– ASML, TSMC e imec presentan un proceso de integración innovador de 300 mm para transistores basado en materiales 2D, con el que por primera vez se fabrican transistores n y p escalados con una separación de contacto (CPP) de 50 nm, estructurados mediante litografía EUV.
– Se lograron buenos resulta…
MIMCAP de alta densidad en un interposer de silicio de 300 mm MIMCAP de alta densidad en un interposer de silicio de 300 mm
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Imec permite la integración de III-V-Chiplets en Si-CMOS. lo logra mediante el desarrollo de su plataforma de interposición de silicio RF de 300 mm con MIMCAPs de alta densidad, modelado pasivo y unión asistida por láser

– Imec desarrolla su interposer de silicio RF de 300 mm para convertirse en una plataforma única a nivel de sistema para la integración heterogénea de chiplets III-V en Si-CMOS, con el objetivo de cubrir aplicaciones en el rango de las comunicaciones de ondas milimétricas/sub-THz y aplicaciones de a…
Con el sistema de colocación rápida y múltiple Fast 4PnP, Jenaer Antriebstechnik ofrece una solución para aplicaciones en salas limpias que combina la máxima dinámica con una precisión de nanómetro. (Derechos de autor: Julian Hoerndlein)
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  • Productos, dispositivos, sistemas, instalaciones para aplicaciones

Altamente dinámico y apto para salas limpias: JAT fue galardonado para el sistema de pick-and-place Fast 4PnP

El sistema de Pick-and-Place Fast 4PnP, galardonado recientemente con el premio silver igus vector award, de Jenaer Antriebstechnik, ofrece una solución para aplicaciones en salas limpias que combina máxima dinámica con precisión nanométrica.

El sistema ha sido desarrollado específicamente para aplic…
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