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Todas las publicaciones de la rúbrica Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Entrada principal en la planta de X-FAB en Erfurt
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  • Nueva construcción

La Bund y el Estado Libre de Turingia apoyan un proyecto clave para el futuro del centro de microelectrónica de Turingia con 127,4 millones de euros

Notificación de subvención entregada: X-FAB convierte Erfurt en un centro de microtecnología

Una notificación de financiación por 127,4 millones de euros ha sido entregada hoy en Erfurt por el ministro presidente de Turingia, Mario Voigt, la ministra de Economía de Turingia, Colette Boos-John, y el alcalde de Erfurt, Andreas Horn, a X-FAB MEMS Foundry GmbH. Con el apoyo de la financiación d…
Figura 1 – Comparación esquemática entre (izquierda) el enfoque convencional Figura 2 – Dependencia de la resistencia de la cadena de estructuras TSV/MOL-Via del error de superposición en una ventana de superposición de 30 nm. La línea negra sólida representa los resultados de la simulación; las líneas discontinuas indican una desviación del ±5 %.
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El nuevo enfoque de integración utiliza vías autoposicionadas en silicio con un ancho de estructura inferior a 100 nm, lo que permite conexiones de la parte frontal a la trasera, caracterizadas por una baja resistencia, bajos corrientes de fuga y una buena precisión de alineación.

Sony e imec presentan un módulo de alta densidad para la conexión trasera, que permite la integración de chips 3D de próxima generación

– Sony y imec presentan un módulo innovador para la integración de vías a través de Si (TSVs) traseros de alta densidad y sub-100 nm, basado en un proceso de autoalineación para aislamiento dieléctrico local en la parte trasera (local BDI).
– Los TSVs frontales a traseros resultantes tienen una relac…
Figura 1 – (A) Imagen de microscopía electrónica de barrido HAADF con corte en X de un elemento de construcción de WS₂ con un CPP de 50 nm, una longitud de contacto de 19 nm y un ancho de 256 nm después del grabado de la línea de conexión de la compuerta. Y (B) el análisis correspondiente de espectroscopía de rayos X dispersiva en energía (EDS). Figura 2 – MoS2-nFETs y WSe2-pFETs con una separación de contacto de 50 nm y un ancho de canal relajado (650 nm), integrados en la misma oblea de 300 mm, muestran una buena coincidencia en el voltaje de umbral.
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Un nuevo enfoque de integración de 300 mm para componentes basado en materiales 2D permite transistores n y p escalados con un paso de contacto de polímero de 50 nm.

ASML, TSMC y imec hacen que los transistores industriales de materiales 2D sean una realidad mediante una integración innovadora de 300 mm

– ASML, TSMC e imec presentan un proceso de integración innovador de 300 mm para transistores basado en materiales 2D, con el que por primera vez se fabrican transistores n y p escalados con una separación de contacto (CPP) de 50 nm, estructurados mediante litografía EUV.
– Se lograron buenos resulta…
MIMCAP de alta densidad en un interposer de silicio de 300 mm MIMCAP de alta densidad en un interposer de silicio de 300 mm
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Imec permite la integración de III-V-Chiplets en Si-CMOS. lo logra mediante el desarrollo de su plataforma de interposición de silicio RF de 300 mm con MIMCAPs de alta densidad, modelado pasivo y unión asistida por láser

– Imec desarrolla su interposer de silicio RF de 300 mm para convertirse en una plataforma única a nivel de sistema para la integración heterogénea de chiplets III-V en Si-CMOS, con el objetivo de cubrir aplicaciones en el rango de las comunicaciones de ondas milimétricas/sub-THz y aplicaciones de a…
Con el sistema de colocación rápida y múltiple Fast 4PnP, Jenaer Antriebstechnik ofrece una solución para aplicaciones en salas limpias que combina la máxima dinámica con una precisión de nanómetro. (Derechos de autor: Julian Hoerndlein)
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Altamente dinámico y apto para salas limpias: JAT fue galardonado para el sistema de pick-and-place Fast 4PnP

El sistema de Pick-and-Place Fast 4PnP, galardonado recientemente con el premio silver igus vector award, de Jenaer Antriebstechnik, ofrece una solución para aplicaciones en salas limpias que combina máxima dinámica con precisión nanométrica.

El sistema ha sido desarrollado específicamente para aplic…
El nuevo sensor SensoTech permite la monitorización continua en línea de concentraciones químicas en procesos húmedos de semiconductores. (Imagen: SensoTech GmbH) El controlador visualiza en tiempo real las concentraciones medidas en línea de, por ejemplo, TMAH y H₂O₂, así como la temperatura del proceso. (Imagen: SensoTech GmbH) El controlador visualiza en tiempo real las concentraciones medidas en línea de, por ejemplo, TMAH y H₂O₂, así como la temperatura del proceso. (Imagen: SensoTech GmbH)
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Medir concentraciones en procesos como SC1, SC2 y BOE en línea

Nuevo sensor de ultrasonidos de SensoTech para procesos húmedos en semiconductores

La nueva tecnología de sensores mide químicas críticas directamente en el proceso en marcha y ayuda a los fabricantes de semiconductores a detectar desviaciones del proceso más temprano, reducir el esfuerzo (laboral) y mantener procesos húmedos más estables.

En la fabricación de semiconductores, proc…
Matriz de qubits funcional con distancias entre las puertas de plunger (P) y de barrera (B) de aproximadamente 6 nanómetros, posibilitada por la litografía EUV de alta NA. La imagen también muestra las puertas de acumulación (A) y de confinamiento (C).
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El sistema de litografía más avanzado, que será crucial para futuros memorias de alta rendimiento y chips de computadora, desempeñará un papel clave en el desarrollo de la tecnología cuántica.

Único en el mundo: imec presenta un bloque de qubits de puntos cuánticos fabricado con litografía EUV de alta NA

    1. Imec presenta mundialmente por primera vez un componente de qubit de puntos cuánticos fabricado mediante litografía EUV de alta NA.
2. Esta demostración es un hito en el camino hacia la escalabilidad industrial de qubits más fiables, las unidades básicas de cálculo de los ordenadores cuánticos…
Figura 1 – (a) Representación esquemática de la estructura 3D-CCD basada en tres líneas de palabra: puerta inferior (BG), puerta media (CG) y puerta superior (TG), donde la Fuente (S) está abajo y el Drenaje (D) arriba; (b) Imagen de sección transversal TEM que muestra tres capas de puerta con una separación de línea de palabra de 80 nm. Figura 2 – (a) Representación del esquema de control a través de tres compuertas para la transferencia de carga en serie en una memoria 3D-CCD con tres líneas de palabra; (b) Representación esquemática del funcionamiento del 3D-CCD, que ilustra la transferencia de electrones mediante la formación y desplazamiento de pozos de potencial bajo las compuertas. Figura 3 – (a) Curvas I-f de 7 componentes con diferentes diámetros de los agujeros de memoria (MH), medidos hasta 4 MHz; (b) el número de electrones transferidos por ciclo, determinado a partir de la pendiente de las curvas I-f correspondientes.
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La viabilidad de integrar un componente CCD (Charge Coupled Device) en una arquitectura similar a 3D-NAND allana el camino para una solución de almacenamiento económica con alta densidad de bits, para superar los límites de almacenamiento en cargas de tra

Imec presenta la primera implementación tridimensional de un elemento de circuito acoplado por carga para aplicaciones de memoria de IA

– Imec presenta la primera implementación en 3D de un sensor de imagen acoplado a carga (CCD) con un canal de óxido de indio-galio-zinc (IGZO), que ofrece potencial para aplicaciones de memoria de IA.
– Debido a su fabricación económica, alta densidad de bits y propiedad de direccionamiento por blo…
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