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IC-Link de imec amplía la colaboración con TSMC para ofrecer a los clientes un acceso más rápido a infraestructura y soporte para el diseño de chips basado en las tecnologías más recientes.

IC-Link de imec amplía la colaboración con TSMC

En el marco de la «OIP Cloud Alliance» de TSMC, esta colaboración combina capacidades seguras de diseño en la nube con acceso a tecnología avanzada de nodos y soporte experto para ayudar a los innovadores a llevar chips al mercado más rápidamente.

1. IC-Link de imec y TSMC amplían su colaboración en…

Gracias a una tecnología de seguridad avanzada, los robots móviles y los empleados se mueven de manera segura y eficiente uno al lado del otro incluso en áreas de salas limpias estrechas. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch)) El HERO móvil Fab 200 posiciona un portador de obleas con precisión milimétrica en una estantería de sala limpia, un ejemplo de manejo de materiales confiable en fábricas de 200 mm en crecimiento. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch)) El panel de carga Wiferion está integrado a ras en la losa del suelo del cuarto limpio, para una carga sin contacto, sin formación de partículas y una instalación mínimamente invasiva. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch)) Carga en proceso: El robot móvil recibe energía a través de un panel de carga frente a la estación de manipulación y continúa trabajando sin pausas de carga separadas. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch))
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La forma más limpia de cargar: Wiferion impulsa la industria de semiconductores

La carga inductiva hace que la automatización en salas limpias sea libre de mantenimiento y segura gracias a Fabmatics

La demanda mundial de electrónica de potencia y chips para aplicaciones en los sectores de Automoción, Comunicación e Industria crece sin freno. Sin embargo, muchas de las instalaciones de producción provienen de otra época: fábricas de obleas de 200 mm, que surgieron en los años 90 y 2000, todavía…

Figura 1: Fotodiodo de avalancha Ge/Si, fabricado en la plataforma de fotónica de silicio de 300 mm de imec
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El novedoso APD fabricado en la plataforma de fotónica de silicio de 300 mm de imec sienta las bases para la próxima generación de conexiones ópticas en centros de datos de IA.

Imec presenta un fotodiodo de avalancha de Ge/Si de 100 GHz (APD), que permite una recepción de datos neta de 400 Gbit/s con solo 5 V

– Imec presenta el primer fotodiodo de avalancha (APD) de Ge/Si en el mundo, que combina una ancho de banda de 100 GHz, funcionamiento a baja tensión (5 V) y una sensibilidad de 1,8 A/W tanto en la banda O como en la banda C.
– En combinación con el modulador electroabsorptivo (EAM) de Ge/Si ya prese…

Figura 1 – Imagen TDSEM y TEM de un contacto Josephson de 2ML αSi-NbTiN Figura 2 – Imagen TEM de cables de 3ML NbTiN y pasantes Figura 3 – Comparación de la escala de cables entre los cables de NbTiN fabricados por imec y los cables superconductores de última generación. Imagen TEM de un cable de NbTiN de 50 nm de espesor y 30 nm de ancho (insertado)
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Un nuevo programa en el ámbito de la tecnología digital superconductora reúne a fundiciones, fabricantes de sistemas y hyperscalers para satisfacer las demandas del sector en las áreas de HPC de próxima generación, IA, computación cuántica, fotónica y computación neuromórfica.

Imec impulsa el desarrollo de tecnología de superconductores escalable con los primeros circuitos NbTiN del mundo y conexiones de 30 nm

– En la conferencia «Superconductividad Aplicada» 2026, imec presenta dos innovaciones mundiales: (1) un contacto Josephson basado en nitruro de niobio-titanio (NbTiN) con tres capas metálicas (3ML), que alcanza una densidad de circuitos de 3,8 millones de transiciones por cm2; y (2) una conducción…

La E-MAP consiste en un sistema cerrado en el que se llevan a cabo experimentos de materiales automatizados con robots en una atmósfera protectora. (Imagen: Holger Röhm, KIT)
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Nueva plataforma de investigación en el KIT investiga de forma autónoma materiales para fotovoltaica de capa delgada y otras aplicaciones optoelectrónicas

Laboratorio automatizado acelera el desarrollo de materiales

Estudiar, evaluar y desarrollar sistemáticamente miles de variantes de materiales — eso es posible gracias a la nueva Plataforma de Aceleración de Materiales de Energía (E-MAP) en el Instituto de Tecnología de Karlsruhe (KIT). Combina experimentos automatizados con caracterización precisa de materia…

El perfeccionismo vale la pena: una sola escama de piel puede ser suficiente para destruir docenas de microchips. (Imagen: Lucia Luca Hunziker / ETH Zürich) Fabricación de microchips: Como base suelen utilizarse obleas de silicio clásicas, como la que aparece en la imagen con un brillo verde (Imagen: Lucia Luca Hunziker / ETH Zürich)
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Sobre biotecnología, ingeniería o física moderna: muchos avances científicos comienzan en salas limpias. En Basilea y Zúrich, los investigadores del ETH disponen de infraestructuras altamente especializadas.

Entre traje de protección e investigación de vanguardia

En la luz artificial y bajo el zumbido monótono de un sistema de ventilación potente, Peter Rimpf se pone un mono de cuerpo entero blanco con capucha, se calza zapatos de laboratorio y se pone guantes en los dedos. «Una sola escama de piel puede ser suficiente para destruir docenas de microchips», e…

Figura 1. Imágenes representativas de REM de obleas EUV con NA 0,55 que muestran la estructuración CAR en estructuras de metal lógico y vías con paso estrecho, incluyendo SRAM (AEI), PnR (AEI), prueba de meandro (ADI) y vías de lógica aleatoria de 28 nm C2C (ADI) (AEI = Inspección después del grabado; ADI = Inspección después del desarrollo).
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Imec y sus proveedores de materiales optimizan sus plataformas basadas en resistencias reforzadas químicamente (CAR) para el patrón de estructura única EUV con alta apertura numérica (NA) de estructuras lineales con un paso de 22 nm, que soportan diseños lógicos A14/A10

Imec demuestra la evolución de resistencias químicamente reforzadas para la litografía EUV con alta apertura numérica (NA)

– Imec optimiza la tecnología basada en CAR para los procedimientos de patrón único con alta NA en el rango EUV en varias capas de los nodos tecnológicos lógicos A14/A10.
– Se demostraron varias estructuras lógicas con espacios estrechos en líneas metálicas y contactos, incluyendo estructuras de prue…

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