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Figure 1. Images représentatives en REM de wafers EUV avec NA 0,55, montrant la structuration CAR sur des structures métalliques logiques et des vias avec un pas étroit, y compris SRAM (AEI), PnR (AEI), test Mêlée-E (ADI) et vias de logique aléatoire C2C de 28 nm (ADI) (AEI = Inspection après gravure ; ADI = Inspection après développement).
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Imec et ses fournisseurs de matériaux optimisent leurs plateformes basées sur des résists renforcés chimiquement (CAR) pour la structuration individuelle EUV à haute ouverture numérique (NA)) de lignes avec un pas de 22 nm, supportant les conceptions logiques A14/A10

Imec démontre l'évolution des résists renforcés chimiquement pour la lithographie EUV à haute ouverture numérique (NA)

– Imec optimise la technologie basée sur la CAR pour les procédés de Single-Patterning à haute NA dans le domaine EUV sur plusieurs couches des nœuds technologiques logiques A14/A10.
– Différentes structures logiques avec des intervalles étroits pour les lignes métalliques et les vias ont été démontr…

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