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Alle Veröffentlichungen zur Rubrik Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Abbildung 1. Repräsentative REM-Aufnahmen von EUV-Wafern mit 0,55 NA, die die CAR-Strukturierung auf Logikmetall- und Via-Strukturen mit engem Pitch zeigen, darunter SRAM (AEI), PnR (AEI), Mäander-E-Test (ADI) und 28-nm-C2C-Random-Logic-Vias (ADI) (AEI = Inspektion nach dem Ätzen; ADI = Inspektion nach der Entwicklung).
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  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Imec und seine Materialzulieferer optimieren ihre auf chemisch verstärkten Resists (CAR) basierenden Plattformen für die EUV-Einzelstrukturierung mit hoher numerischer Apertur (NA) von Linienstrukturen mit einem Pitch von 22 nm, die A14/A10-Logikdesigns unterstützen

Imec demonstriert die Weiterentwicklung chemisch verstärkter Resists für die EUV-Lithografie mit hoher numerischer Apertur (NA)

– Imec optimiert die CAR-basierte Technologie für die Single-Patterning-Verfahren mit hoher NA im EUV-Bereich bei mehreren Schichten der Logik-Technologieknoten A14/A10.
– Es wurden verschiedene Logikstrukturen mit engen Abständen bei Metallleitungen und Durchkontaktierungen demonstriert, darunter Mä…
Schematische Darstellung einer skalierbaren Plattform aus Quantenlichtquellen, bei der präzise positionierte Quantenpunkte in Nanoresonatoren integriert werden. Prof. Dr. Reitzenstein vor der Probenkammer der Elektronenstrahl-Lithographieanlage, mit der hochpräzise Nanostrukturen für skalierbare Quantenlichtquellen der nächsten Generation hergestellt werden.
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  • Know How, Institut

Durch präzise platzierte Quantenpunkte lassen sich Quantenlichtquellen erstmals skalierbar und reproduzierbar auf Halbleiterchips integrieren

TU Berlin ebnet Weg zur Serienfertigung von Quantenchips

Optische Quantenchips gelten als Schlüsselbausteine künftiger Kommunikations- und Computertechnologien. Ihre Herstellung war bislang jedoch aufwendig, weil die dafür benötigten Quellen für einzelne Lichtteilchen – sogenannte Halbleiter-Quantenpunkte – zufällig auf dem Chip entstanden und zunächst au…
Main entrance at X-FAB's Erfurt site
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  • Neubau

Bund und Freistaat Thüringen unterstützen Schlüsselprojekt für Zukunft des Mikroelektronikstandorts Thüringen mit 127,4 Millionen Euro

Förderbescheid übergeben: X-FAB baut Erfurt zum Zentrum für Mikrosystemtechnik aus

Einen Förderbescheid über 127,4 Millionen Euro haben Thüringens Ministerpräsident Mario Voigt, Thüringens Wirtschaftsministerin Colette Boos-John und Erfurts Oberbürgermeister Andreas Horn heute in Erfurt an die X-FAB MEMS Foundry GmbH übergeben. Mit der Förderung von Bund und Freistaat Thüringen wi…
Abbildung 1 – Schematischer Vergleich zwischen (links) dem herkömmlichen „Via-Middle“-Ansatz und (rechts) dem „Local-BDI“-TSV-Ansatz unter der Annahme einer Zellenhöhe von 115 nm und einer Siliziumdicke von 500 nm. Abbildung 2 – Abhängigkeit des Kettenwiderstands von TSV/MOL-Via-Strukturen vom Überlagerungsfehler bei einem Überlagerungsfenster von 30 nm. Die durchgezogene schwarze Linie stellt die Simulationsergebnisse dar; die gestrichelten Linien stehen für eine Abweichung von ±5 %.
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  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Der neue Integrationsansatz nutzt selbstausgerichtete Durchkontaktierungen im Silizium mit einer Strukturbreite von unter 100 nm und ermöglicht so Verbindungen von der Vorderseite zur Rückseite, die sich durch geringen Widerstand und geringe Leckströme sowie eine gute Überlagerungsgenauigkeit auszeichnen.

Sony und imec stellen ein hochdichtes Modul für die Rückseitenverbindung vor, das die Integration von 3D-Chips der nächsten Generation ermöglicht

– Sony und imec stellen ein neuartiges Modul zur Integration hochdichter, rückseitiger Sub-100-nm-Through-Si-Vias (TSVs) vor, das auf einem selbstausgerichteten Verfahren zur lokalen dielektrischen Isolierung auf der Rückseite (local BDI) basiert.
– Die so entstandenen Front-to-Back-TSVs weisen im Ve…
Abbildung 1 – (A) X-Cut-HAADF-Rasterelektronenmikroskopieaufnahme eines WS2-Bauelements mit einer CPP von 50 nm, einer Kontaktlänge von 19 nm und einer Breite von 256 nm nach dem Ätzen der Gate-Anschlussleitung. Und (B) die entsprechende energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDS)-Analyse. Abbildung 2 – MoS2-nFETs und WSe2-pFETs mit einem Kontaktabstand von 50 nm und einer entspannten Kanalbreite (650 nm), die auf demselben 300-mm-Wafer integriert sind, weisen eine gute Anpassung der Schwellenspannung auf.
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  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Ein neuartiger 300-mm-Integrationsansatz für Bauelemente auf Basis von 2D-Materialien ermöglicht skalierte n- und p-FETs mit einem contacted poly pitch von 50 nm.

ASML, TSMC und imec machen industrietaugliche Transistoren aus 2D-Materialien durch bahnbrechende 300-mm-Integration greifbarer

– ASML, TSMC und imec stellen einen innovativen 300-mm-Integrationsprozess für Transistoren auf Basis von 2D-Materialien vor, mit dem erstmals skalierte n- und p-FETs mit einem Kontaktabstand (CPP) von 50 nm realisiert werden, die mittels EUV-Lithografie strukturiert wurden.
– Bei den skalierten nFET…
MIMCAP mit hoher Dichte in einem 300-mm-Silizium-Interposer MIMCAP mit hoher Dichte in einem 300-mm-Silizium-Interposer
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  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Imec ermöglicht die Integration von III-V-Chiplets auf Si-CMOS. ermöglicht durch die Weiterentwicklung seiner 300-mm-RF-Silizium-Interposer-Plattform mit hochdichten MIMCAPs, passiver Modellierung und laserunterstütztem Bonden

– Imec entwickelt seinen 300-mm-RF-Silizium-Interposer zu einer einzigartigen Plattform auf Systemebene für die heterogene Integration von III-V-Chiplets auf Si-CMOS weiter – mit dem Ziel, Anwendungen im Bereich der mmWave-/Sub-THz-Funktechnik sowie Hochgeschwindigkeitsanwendungen in Rechenzentren a…
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