Nieuw jaar, nieuwe baan? Bekijk de aanbiedingen! meer ...
C-Tec Pfennig Reinigungstechnik GmbH Systec & Solutions GmbH Becker
cleanroom online
Duits Engels Frans Hongaars Pools Tsjechisch Italiaans Spaans Nederlands

Alle publicaties voor de rubriek Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Hoofdingang bij de locatie van X-FAB in Erfurt
  • ‌
  • Nieuwbouw

Bund en Vrijstaat Thüringen ondersteunen sleuteldossier voor de toekomst van de micro-elektronica in Thüringen met 127,4 miljoen euro

Toekenningsbesluit overhandigd: X-FAB breidt Erfurt uit tot centrum voor microsysteemtechnologie

Een subsidiebrief ter waarde van 127,4 miljoen euro is vandaag in Erfurt door Thüringens Ministerpräsident Mario Voigt, Thüringens Minister van Economie Colette Boos-John en Erfurts burgemeester Andreas Horn overhandigd aan X-FAB MEMS Foundry GmbH. Met de financiering van de Bondsregering en de Vrij…
Figuur 1 – Schematische vergelijking tussen (links) de traditionele „Via-Middle“-benadering en (rechts) de „Local-BDI“-TSV-benadering onder de aanname van een celhoogte van 115 nm en een siliciumdikte van 500 nm. Figuur 2 – Afhankelijkheid van de ketenweerstand van TSV/MOL-via-structuren van de overlayfout bij een overlay-venster van 30 nm. De doorlopende zwarte lijn geeft de simulatiegegevens weer; de gestippelde lijnen staan voor een afwijking van ±5 %.
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

De nieuwe integratiebenadering maakt gebruik van zelfgeoriënteerde doorverbindingen in silicium met een structuurbreedte van minder dan 100 nm, waardoor verbindingen van de voorzijde naar de achterzijde mogelijk zijn, gekenmerkt door lage weerstand, geringe lekstromen en een goede uitlijningsnauwkeurigheid.

Sony en imec presenteren een hoogdicht modul voor de achterzijdeverbinding, dat de integratie van 3D-chips van de volgende generatie mogelijk maakt

– Sony en imec presenteren een nieuw modul voor de integratie van hoogdichte, achterzijde-verbindingen met door-gaatjes (TSV's) onder de 100 nm, gebaseerd op een zelfuitgelijnde methode voor lokale diëlektrische isolatie aan de achterzijde (local BDI).
– De zo ontstane front-naar-achter TSV's vertone…
Figuur 1 – (A) X-Cut-HAADF- rasterelektronenmicroscopie-opname van een WS₂-constructie met een CPP van 50 nm, een contactlengte van 19 nm en een breedte van 256 nm na het etsen van de poortaansluitingsleiding. En (B) de bijbehorende energiedispersieve röntgenspectroscopie (EDS)-analyse. Figuur 2 – MoS<sub>2</sub>-nFETs en WSe<sub>2</sub>-pFETs met een contactafstand van 50 nm en een ontspannen kanaalbreedte (650 nm), geïntegreerd op dezelfde 300 mm wafer, vertonen een goede afstemming van de drempelspanning.
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Een nieuwe 300 mm-integratiebenadering voor componenten op basis van 2D-materialen maakt geschaalde n- en p-FETs mogelijk met een contactpoly-ruimte van 50 nm.

ASML, TSMC en imec maken industriële transistors uit 2D-materialen tastbaarder door baanbrekende 300-mm-integratie

– ASML, TSMC en imec presenteren een innovatieve 300-mm-integratieproces voor transistors op basis van 2D-materialen, waarmee voor het eerst geschaalde n- en p-FETs met een contactafstand (CPP) van 50 nm worden gerealiseerd, die met EUV-lithografie zijn gestructureerd.
– Bij de geschaalde nFETs (met…
MIMCAP met hoge dichtheid in een 300-mm silicium-interposer MIMCAP met hoge dichtheid in een 300-mm silicium-interposer
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Imec maakt de integratie van III-V-chiplets op Si-CMOS mogelijk. mogelijk door de verdere ontwikkeling van zijn 300-mm RF-silicium-interposer-platform met hoogdichte MIMCAPs, passieve modellering en laserondersteunde bonding

– Imec ontwikkelt zijn 300-mm RF-silicon interposer verder tot een uniek systeemplatform voor de heterogene integratie van III-V-chiplets op Si-CMOS, met als doel toepassingen op het gebied van mmWave-/Sub-THz-communicatie en high-speed toepassingen in datacenters te ondersteunen.
– Een nieuwe MIMCAP…
De nieuwe SensoTech-sensor maakt continue inline-monitoring van chemische concentraties in halfgeleider-nassprocessen mogelijk. (Afbeelding: SensoTech GmbH) De controller visualiseert de inline gemeten concentraties van bijvoorbeeld TMAH en H₂O₂, evenals de proces-temperatuur, in realtime. (Afbeelding: SensoTech GmbH) De controller visualiseert de inline gemeten concentraties van bijvoorbeeld TMAH en H₂O₂, evenals de proces-temperatuur, in realtime. (Afbeelding: SensoTech GmbH)
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

Metingen van concentraties in processen zoals SC1, SC2 en BOE inline

Nieuwe ultrasone sensor van SensoTech voor halfgeleider natte processen

Nieuwe sensortechnologie meet kritische chemicaliën direct in het lopende proces en ondersteunt halfgeleiderfabrikanten bij het eerder detecteren van procesafwijkingen, het verminderen van (laboratorium)inspanning en het stabieler uitvoeren van natte processen.

In de halfgeleiderproductie bepalen bet…
Figuur 1 – (a) Schematische weergave van de 3D-CCD-structuur gebaseerd op drie woordgeleiders: onderste poort (BG), middelste poort (CG) en bovenste poort (TG), waarbij de Source (S) onderaan en de Drain (D) bovenaan bevinden; (b) TEM-doorntsnede die drie poortlagen toont met een woordgeleiderafstand van 80 nm. Figuur 2 – (a) Weergave van het aansturingsschema via drie poorten voor de seriële ladingsoverdracht in een 3D-CCD-geheugen met drie woordlijnen; (b) Schematische weergave van de werking van de 3D-CCD, die de elektronenoverdracht illustreert door de vorming en verschuiving van potentiaalputten onder de poorten. Figuur 3 – (a) I-f-kenlijnen van 7 componenten met verschillende diameters van het Memory Hole (MH), gemeten tot 4 MHz; (b) het aantal elektronen dat per cyclus wordt overgedragen, bepaald uit de helling van de bijbehorende I-f-curve.
  • ‌
  • Elektronica (wafer, halfgeleider, microchips,...)

De haalbaarheid van de integratie van een CCD-onderdeel (Charge Coupled Device) in een 3D-NAND-achtige architectuur effent de weg voor een kosteneffectieve geheugenoplossing met een hoge bitsnelheid, om de geheugenlimiet bij AI-specifieke workloads te ove

Imec presenteert de eerste driedimensionale implementatie van een ladingsgekoppeld element voor KI-opslagtoepassingen

– Imec presenteert de eerste 3D-implementatie van een ladingsgekoppelde beeldsensor (CCD) met een kanaal uit Indium-Gallium-Zink-Oxide (IGZO), die potentieel biedt voor KI-opslagtoepassingen.
– Door de kostenefficiënte fabricage, de hoge bitsnelheid en de blokadresserende eigenschap is de 3D-CCD-onde…
Een blik in de NIEUWSBRIEF

Beter geïnformeerd: Met het JAARBOEK, de NIEUWSBRIEF, NEWSFLASH, NEWSEXTRA en de EXPERTENGIDS

Blijf op de hoogte en abonneer u op onze maandelijkse e-mail NIEUWSBRIEF en NEWSFLASH en NEWSEXTRA. Krijg meer informatie over de reinruimtewereld met ons gedrukte JAARBOEK. En ontdek wie de experts op het gebied van reinruimtes zijn in onze gids.

PMS ClearClean HJM Piepenbrock