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Figura 1. Imágenes representativas de REM de obleas EUV con NA 0,55 que muestran la estructuración CAR en estructuras de metal lógico y vías con paso estrecho, incluyendo SRAM (AEI), PnR (AEI), prueba de meandro (ADI) y vías de lógica aleatoria de 28 nm C2C (ADI) (AEI = Inspección después del grabado; ADI = Inspección después del desarrollo).
  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Imec y sus proveedores de materiales optimizan sus plataformas basadas en resistencias reforzadas químicamente (CAR) para el patrón de estructura única EUV con alta apertura numérica (NA) de estructuras lineales con un paso de 22 nm, que soportan diseños lógicos A14/A10

Imec demuestra la evolución de resistencias químicamente reforzadas para la litografía EUV con alta apertura numérica (NA)

– Imec optimiza la tecnología basada en CAR para los procedimientos de patrón único con alta NA en el rango EUV en varias capas de los nodos tecnológicos lógicos A14/A10.
– Se demostraron varias estructuras lógicas con espacios estrechos en líneas metálicas y contactos, incluyendo estructuras de prue…

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