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Toutes les publications de la rubrique Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Qubits de spin en silicium, fabriqués avec des procédés d'intégration de pointe sur 300 mm. / Si qubits de spin fabriqués avec des processus d'intégration de pointe sur 300 mm.
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Les résultats confirment la maturité des processus de qubits sur des wafers de 300 mm, permettant la fabrication de ordinateurs quantiques à grande échelle.

Imec atteint le bruit de charge le plus faible pour les points quantiques en Si-MOS, fabriqués sur une plateforme CMOS de 300 mm

Imec, un centre mondial de recherche et d'innovation de premier plan dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, a annoncé aujourd'hui la démonstration réussie d'une opération de qubits de spin à base de Si de haute qualité sur une plateforme de 300 mm, avec des composants…

Pour une utilisation dans l'industrie des semi-conducteurs, Feinmess Suhl propose des vis à billes précises et ultra-compacts, qui fonctionnent sans lubrifiants. (Image : Feinmess Suhl GmbH)
  • Pièces de norme, pièces d'utilisateur, vannes, raccords, ...

Ultrakompakt et haute précision

Miniature vis à billes à glissement dans l'industrie des semi-conducteurs

Dans les applications haut de gamme dans la technologie des semi-conducteurs, l’électronique ou la recherche et développement, la miniaturisation et l’automatisation progressent constamment. Les systèmes de positionnement et d’entraînement doivent fonctionner de manière précise, propre, fiable et pe…

Photo d'un substrat de test avec structure de chauffage du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / Photo d'un substrat de test avec structure de chauffage du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Exemple d'image thermique d'un substrat de test chauffé maintenu par une ventouse à vide du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / Exemple d'image thermique d'un substrat de test chauffé maintenu par une ventouse à vide du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Photo de substrats de test, à gauche un avec structure de chauffage, comparé en taille à une pièce de 1 centime d'euro. © Fraunhofer IPMS / Photo de substrat de test, à gauche avec structure de chauffage, comparé en taille à une pièce de 1 centime d'euro. © Fraunhofer IPMS
  • Science

Caractérisation des matériaux d'oxydes métalliques et de matériaux organiques

Les développeurs de capteurs de gaz à couche mince bénéficient d'une plateforme à substrat chauffé

Le Fraunhofer-Institut für photonische Mikrosysteme IPMS développe et fabrique des puces de test chauffables sur mesure pour la caractérisation de nouveaux matériaux de la détection de gaz. Des couches sensorielles déposées dessus ainsi que leurs paramètres spécifiques à l'application, tels que la s…

Figure 1 – Composants CMOS CFET avec MDI et contacts structurés empilés en façade (TC = contact supérieur ; TJ = jonction supérieure ; BC = contact inférieur ; BJ = jonction inférieure). Des coupes transversales SEM sont présentées le long (à gauche) et à travers (à droite) du BC/TC. Figure 2 – Courbes Id/Vg pour nFET et pFET avec contacts empilés en façade. Figure 3 – Photo SEM montrant les contacts inférieurs formés à l'arrière du wafer et positionnés avec précision au-dessus de la jonction inférieure formée à l'avant (BDI = isolation diélectrique inférieure).
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Imec démontre des composants CFET monolithiques fonctionnels avec des contacts inférieurs et supérieurs empilés

Cette semaine, imec, un centre mondial de recherche et d'innovation de premier plan dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, présente pour la première fois lors du symposium IEEE 2024 sur la technologie et les circuits VLSI (2024 VLSI) des composants CMOS-CFET fonctionn…

Employés d'EV Group et du Fraunhofer IZM-ASSID à côté d'un système de déliantage et de nettoyage UV laser entièrement automatisé EVG®850 DB, installé dans le nouveau Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration de Saxe (CEASAX) du Fraunhofer à Dresde, Allemagne. [De gauche à droite : Gerald Silberer, Directeur régional des ventes Europe (EV Group), Dr. Andreas Gang, Chef de groupe Pré-assemblage / Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Manuela Junghähnel, Responsable du site (Fraunhofer IZM-ASSID), Markus Wimplinger, Directeur du développement technologique d'entreprise et de la propriété intellectuelle (EV Group), Andreas Pichler, Responsable régional des ventes Europe (EV Group), Robert Wendling, Assistant technique Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Frank Windrich, Directeur adjoint du site (Fraunhofer IZM-ASSID)]. © Fraunhofer IZM | Silvia Wolf / Personnel d'EV Group et du Fraunhofer IZM-ASSID à côté d’un système de déliantage UV laser EVG®850 DB entièrement automatisé, installé dans le nouveau Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration de Saxe (CEASAX) du Fraunhofer à Dresde, Allemagne. [De gauche à droite : Gerald Silberer, Directeur régional des ventes Europe (EV Group), Dr. Andreas Gang, Chef de groupe Pré-assemblage / Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Manuela Junghähnel, Responsable du site (Fraunhofer IZM-ASSID), Markus Wimplinger, Directeur du développement technologique d'entreprise et de la propriété intellectuelle (EV Group), Andreas Pichler, Responsable régional des ventes Europe (EV Group), Robert Wendling, Assistant technique Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Frank Windrich, Directeur adjoint du site (Fraunhofer IZM-ASSID)]. © Fraunhofer IZM | Silvia Wolf
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Le partenariat stratégique débute avec l'installation du système de délamination laser entièrement automatique EVG®850 dans le nouveau Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration de Saxe (CEASAX)

EV Group et Fraunhofer IZM-ASSID renforcent leur partenariat dans le domaine du collage de wafers pour les applications de calcul quantique

EV Group (EVG), un leader dans le développement et la fabrication d’équipements pour les applications de bonding de wafers et de lithographie dans l’industrie des semi-conducteurs, de la microsystémique et de la nanotechnologie, et Fraunhofer IZM-ASSID (All Silicon System Integration Dresden), une d…

Figure 1 – Image SEM en coupe d'un dispositif d'essai hybride collé die-to-wafer avec un pas de pad de liaison de 2 µm. Figure 2 – A) Vision d’un système informatique multi-XPU interconnecté optiquement au niveau de la plaquette ; et B) système de test démontré composé de puces PIC avec des guides d’ondes en SiN intégrés (WG) et des coupleurs évanescentiels, reliés à une plaquette PIC inférieure avec des coupleurs évanescentiels en SiN complémentaires.
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Process de montage Die-to-Wafer amélioré ouvre des portes pour l'empilement logique/mémoire sur logique et pour les systèmes connectés optiquement sur wafer

Imec démontre la liaison hybride Die-to-Wafer avec un pas de contact d'interconnexion en cuivre de 2 µm

Cette semaine, imec, un centre de recherche et d'innovation mondialement reconnu pour la nanoélectronique et les technologies numériques, présente à la conférence IEEE Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 2024 un processus de bonding Die-à-Die en Cu-contre-Cu et SiCN-contre-SiCN, q…

salle blanche de 300 mm du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / salle blanche de 300 mm au Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Photo aérienne d'Infineon Dresden. © Infineon Technologies AG / Vue aérienne d'Infineon Dresden. © Infineon Technologies AG « Technologies de puissance intelligente » dans des applications pour les consommateurs finaux. © Infineon Technologies AG / « Technologies de puissance intelligente » dans des applications pour les consommateurs finaux. © Infineon Technologies AG
  • Mobilité du futur

Gestion intelligente de l'énergie pour l'avenir

Fraunhofer IPMS soutient le développement du processus de 300 mm chez Smart-Power-Technologies pour le fabricant de semi-conducteurs Infineon sur le site de Dresde

Au cours d'un projet de développement commun d'environ un an, des progrès importants ont été réalisés dans la fabrication de « technologies Smart-Power ». Le Fraunhofer IPMS a notamment soutenu de manière significative le fabricant de semi-conducteurs Infineon en fournissant des modules de processus…

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