Davantage de durabilité dans la fabrication de semi-conducteurs

© Ines Escherich / Fraunhofer ENAS

Le Fraunhofer ENAS fait partie du nouveau projet lancé en septembre 2024, intitulé « HaloFreeEtch » (« Nouvelles approches pour l’etching sans halogènes et durable du silicium et du verre »). Ce projet, coordonné par l’Université Technique de Chemnitz, a une durée de 48 mois et est financé par l’Union Européenne à hauteur de 3.997.735 € au total. En collaboration avec six partenaires internationaux, le Fraunhofer ENAS contribuera à faire passer la production de futurs semi-conducteurs à un niveau supérieur grâce à des procédés d’etching innovants et intelligents.

Le projet « HaloFreeEtch » vise à révolutionner l’industrie de la fabrication de semi-conducteurs par le développement de nouveaux procédés d’etching durables et sans halogènes pour le silicium et le dioxyde de silicium. Les procédés industriels classiques d’etching au plasma reposent sur des halogènes, qui présentent des risques importants pour l’environnement et la santé. En les remplaçant par des alternatives plus durables, l’objectif est de réduire l’empreinte carbone et d’améliorer la durabilité de la fabrication de semi-conducteurs.

Étant donné que l’industrie des semi-conducteurs est au cœur des innovations technologiques, le développement de procédés de fabrication durables est crucial pour l’environnement ainsi que pour l’avenir du secteur. Le projet « HaloFreeEtch » doit positionner l’Europe à la tête de cette transition verte et contribuer ainsi aux efforts mondiaux pour réduire les impacts environnementaux et promouvoir des pratiques durables.

Le Fraunhofer ENAS joue un rôle clé dans le cadre de « HaloFreeEtch » et soutiendra le Centre de Micro- et Nanotechnologies (ZfM) de l’Université Technique de Chemnitz en tant que chef de projet, grâce à son expertise reconnue dans le développement et l’optimisation des procédés d’etching permettant une structuration précise de divers matériaux. L’institut se concentrera notamment sur le développement de nouvelles méthodes qui soient non seulement respectueuses de l’environnement, mais répondent également aux exigences de performance de la fabrication moderne de semi-conducteurs. En utilisant de l’hydrogène et des catalyseurs innovants, il est prévu de remplacer les procédés traditionnels à base d’halogènes, qui présentent des risques importants pour l’environnement et la santé. Ainsi, le Fraunhofer ENAS contribue de manière significative à réduire l’empreinte écologique du secteur.

« Notre recherche contribuera à redéfinir la technologie des semi-conducteurs en Europe et à conduire l’industrie vers un avenir plus durable », déclare Dr. Karla Hiller, responsable du projet au Fraunhofer ENAS. « Nous sommes fiers de faire partie de ce projet révolutionnaire et impatients de faire progresser le développement de procédés d’etching sans halogènes. »

À propos du projet « HaloFreeEtch »

Ce projet, réunissant des partenaires européens de recherche et de l’industrie de premier plan, a une durée de 48 mois. Les résultats devraient non seulement révolutionner la fabrication de semi-conducteurs, mais aussi permettre de nouvelles applications dans des domaines tels que la microsensométrie et la photonique.