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Todas las publicaciones de IMEC Belgium

Imec realiza trabajos pioneros en la fabricación de nanopores en estado sólido a escala de oblea (300 mm) con litografía EUV, como se muestra en la foto. © imec / Imec pioneros en la producción a escala de oblea completa (300 mm) de nanopores en estado sólido con litografía EUV, como se muestra en la foto. © imec Sección transversal y vista superior en TEM de la nanoporo de estado sólido fabricada, Sección transversal y vista superior en TEM de la nanoporo de estado sólido fabricada. / Cross-sectional and top-view TEM of the fabricated solid-state nanopore,
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

El avance permite aplicaciones de biosensores escalables y de alta precisión en las ciencias de la vida y en la tecnología médica

Imec demuestra por primera vez mediante litografía EUV la fabricación de nanoporas semiconductoras en escala de oblea

1. Imec ha logrado la primera fabricación exitosa de nanopores semiconductores a escala de oblea mediante litografía EUV en obleas de 300 mm. Esta innovación convierte la tecnología de nanopores de un concepto en laboratorio en una plataforma escalable para biosensores, genómica y proteómica.
2. Los nanopo…
El sala limpia de Imec sienta las bases para los PDKs de NanoIC, basados en procesos de 2 nm. / El sala limpia de Imec proporciona la base para los PDKs de NanoIC, basados en procesos de 2 nm.
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  • Taller / Curso

Actualización exhaustiva del Pathfinding N2 P-PDK de NanoIC que permite a investigadores y desarrolladores familiarizarse con arquitecturas completas de SoC y promover innovaciones.

NanoIC amplía su innovador N2-PDK con macros de memoria SRAM avanzados

Esta semana, la línea de producción NanoIC-Pilotlinie, una iniciativa europea coordinada por imec para acelerar la innovación en tecnologías de chips más allá de 2 nm, anuncia en SEMICON Europe la publicación del N2 P-PDK v1.0, una actualización importante de su Kit de Diseño de Procesos de…
Enlaces: actual CEO, Luc Van den hove, a la izquierda: CEO de imec a partir del 1 de abril de 2026, Patrick Vandenameele. / Izquierda: actual CEO, Luc Van den hove, Derecha: CEO de imec a partir del 1 de abril de 2026, Patrick Vandenameele. CEO de imec a partir del 1 de abril de 2026, Patrick Vandenameele.
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  • Empresa

Imec garantiza una sucesión sin problemas y continuidad estratégica

Cambio de liderazgo en imec: Luc Van den hove será el presidente, Patrick Vandenameele le seguirá como CEO de imec

El consejo de administración de imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, ha nombrado a Patrick Vandenameele como próximo Director Ejecutivo. Con efecto a partir del 1 de abril de 2026, sucederá al actual CEO Luc Van den hove, qui…
Representantes de los doce miembros del consorcio se reunieron en el Laboratorio Internacional de Nanotecnología Ibérico en Braga, Portugal.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

El consorcio permite a las startups europeas, pequeñas y medianas empresas, así como a organizaciones de investigación en el campo de la fabricación de semiconductores, acceder a infraestructura de diseño, capacitación y capital.

Imec coordina la Plataforma de Diseño de Chips de la UE

Dentro del marco del European Chips Act, se seleccionó un consorcio de 12 socios europeos bajo la coordinación de imec para desarrollar la Plataforma de Diseño de Chips de la UE. La plataforma, financiada por Chips JU (European Joint Undertaking for Semiconductor Research and Innovation), facilit…
Figura 1 – Imágenes SEM de arriba hacia abajo de meandros (izquierda) y horquillas (derecha) con un paso de 20 nm después de la transferencia del patrón a una máscara dura de TiN. / Figure 1 - Top-down SEM pictures of 20nm pitch meanders (left) and forks (right) after pattern transfer into TiN hard mask. Figura 2 – Imagen TEM de hilos metallizados con un paso de 20 nm después de un proceso de pulido químico-mecánico (CMP). / Figure 2 - TEM picture of metallized 20nm pitch wires after a chemical mechanical polishing (CMP) step.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Las primeras pruebas eléctricas con un paso de 20 nm representan otro hito en la validación del ecosistema de patrónización con luz ultravioleta extrema (EUV) de alta NA

Imec evalúa la capacidad de rendimiento eléctrico de las líneas metálicas con un paso de 20 nm, fabricadas mediante patrón único EUV de alta NA

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en SPIE Advanced Lithography + Patterning los primeros resultados de las pruebas eléctricas (e-test), obtenidos con estructuras conductoras metálicas con un paso de 20…
Una oblea de silicio de 300 mm que contiene miles de dispositivos de GaAs con un primer plano de múltiples chips y una micrografía de barrido electrónico de una matriz de nano-ribetes de GaAs después de la epitaxia. Una oblea de silicio de 300 mm que contiene miles de dispositivos de GaAs con un primer plano de múltiples chips y una micrografía de barrido electrónico de una matriz de nano-cumbres de GaAs después de la epitaxia.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Imec registra un éxito rotundo en la fotónica de silicio y allana el camino para componentes ópticos económicos y de alto rendimiento.

Primera fabricación completa de láseres de nano-ribera basados en GaAs con bombeo eléctrico en obleas de silicio de 300 mm a escala de oblea

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, ha alcanzado un hito importante en la fotónica de silicio con la demostración exitosa de diodos láser de nanoridge multicapa basados en GaAs, alimentados eléctricamente, fabricados co…
Figura 1 – Representación conceptual de (a) un CFET de una sola fila y (b) un CFET de doble fila. La disposición de un flip-flop (flip-flop tipo D o DFF) muestra una reducción de la altura y el área de la celda en 24 nm (o 12,5%) al pasar de un CFET de una sola fila a uno de doble fila (H. Kuekner et al., IEDM 2024). Figura 2 – Flujo de proceso virtual para la construcción de una arquitectura CFET de doble fila. El flujo de proceso, simulado con 3D Coventor, partió de las especificaciones de una fábrica CFET
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

La nueva arquitectura de celda estándar ofrece el compromiso óptimo entre el uso del área y la complejidad del proceso para lógica y SRAM

Imec apuesta por la tecnología CFET de doble fila para el nodo tecnológico A7

Imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 una nueva arquitectura de celdas estándar basada en CFET, que consiste en dos filas de CFETs con una línea común inte…
Si qubits de espín, fabricados con los procesos de integración de vanguardia de 300 mm. / Si spin qubits manufactured with state-of-the-art 300mm integration flows.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Los resultados demuestran la madurez de los procesos de qubit en obleas de 300 mm, que permiten la fabricación de computadoras cuánticas a gran escala.

Imec logra el menor ruido de carga para puntos cuánticos de Si-MOS, fabricados en una plataforma CMOS de 300 mm

Imec, un centro mundial de investigación e innovación líder en nanoelectrónica y tecnologías digitales, anunció hoy la exitosa demostración de un procesamiento de qubits de espín en puntos cuánticos basados en silicio de alta calidad de 300 mm, con componentes que conducen a un nivel de rui…
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