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Alle Veröffentlichungen zur Rubrik Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Den Polarisationsfilter hat Steinmeyer speziell für die DUV-Lithografie entwickelt. (Copyright: stock.adobe.com/IM Imagery, Nummer 560372105) Auf einer Höhe von gerade einmal 15 mm sind drei flächige Filter untergebracht, die im Strahlengang der optischen Anlage verschoben werden und unabhängig voneinander positionierfähig sind. (Copyright: Steinmeyer Gruppe) Ultrakompakte, hochpräzise Positionierlösung zur Wafer-Belichtung in trockener, sauerstofffreier Stickstoff-Atmosphäre. (Copyright: Bild: Steinmeyer Gruppe) Die Kombination aus nicht-rostendem Edelstahl (Spindel) und dem Hochleistungskunststoff PEEK (Mutter) ermöglicht eine optimale Gleitfähigkeit, Wärmeabfuhr und mechanische Stabilität im ultra-trockenen Stickstoff. (Copyright: Feinmess Suhl GmbH) Der Gleitgewindetrieb hat einen Spindeldurchmesser von 3 mm und eine Spindellänge von 112 mm und gehört damit zu den kleinsten am Markt in dieser Präzision. (Copyright: Steinmeyer Gruppe)
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Ultrakompakte, hochpräzise Positionierlösung für die DUV-Lithographie

Von der Spindel bis zur Baugruppe

Wenn es um hochspezialisierte, kundenindividuelle Positionierlösungen geht, führt an Steinmeyer kein Weg vorbei. Auch in der Halbleiterindustrie gilt der Standort Dresden im „Silicon Saxony“ längst als Eldorado für das eigentlich Unmögliche, denn die Sachsen meistern als Europas größtes I…

Left to Right: Patrick Vandenameele (CEO-elect imec), Thomas Skordas (European Commissioner), Luc Van den hove (CEO imec), Henna Virkkunen (European Commissioner), Matthias Diependaele (MP Flanders), Jari Kinaret (Executive Director Chips JU), Christophe Fouquet (CEO ASML).
  • Neubau

Imec weiht Europas NanoIC-Pilotlinie mit der offiziellen Eröffnung einer 2.000 m² großen Reinraum-Erweiterung auf seinem Campus in Leuven ein.

Imec weiht NanoIC-Pilotlinie ein und beschleunigt damit Innovationen im Bereich der Sub-2-nm-System-on-Chip-Technologie

Ausgestattet mit modernsten Werkzeugen, darunter das High-NA-EUV-Werkzeug von ASML, ist der Reinraum von Imec ein Eckpfeiler der NanoIC-Initiative, die sich mit der Entwicklung von Chip-Technologie unter 2 nm befasst. Genau vier Jahre, nachdem EU-Präsidentin Von der Leyen den European Chips Act ang…

Schematische Darstellung eines Mikrolasers mit nanometergenau strukturiertem Oberflächengitter. Der kompakte Halbleiterlaser erzeugt einen gerichteten Lichtstrahl mit einem exakt auf die jeweilige Anwendung abgestimmten Strahlprofil. Durch die Dicke der Balken im Strichgitter, ihre Abstände sowie die Tiefe der Rillen lässt sich die Wellenlänge der Laserstrahlen einstellen. Unterhalb des Strichgitters sieht man die wenigen Bragg-Spiegel oberhalb der aktiven Schicht (hellgrau), in der die Strahlung entsteht. Darunter kommen sehr viele Lagen von Bragg-Spiegelschichten. (Aufnahme mit dem Elektronenmikroskop) Schematischer Aufbau der neuen Mikrolaser mit der unteren Schicht an Bragg-Spiegelpaaren (DBR), der aktiven Schicht in rot, den wenigen Lagen von Bragg-Spiegelpaaren darüber (DBR) und dem Strichgitter (MHCG).
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Datenübertragung, autonomes Fahren und lichtbasierte Computer könnten profitieren

Neuer Mikrolaser für Anwendung und Forschung

Ein innovatives Mikrolaser-Konzept auf Basis von sogenannten Oberflächenemittern (VCSEL) hat das Fachgebiet „Optoelektronik und Quantenbauelemente“ der TU Berlin unter Leitung von Prof. Dr. Stephan Reitzenstein entwickelt. Bei den neuen Mikrolasern handelt es sich um vertikal aufgebaute Laserdi…

3D-Darstellung der A14-Bauelementstruktur mit den vier gestapelten Nanoblättern, der lokalen Verdrahtung und dem Metallkontakt auf der Rückseite. / 3D representation of the A14 device structure showing the 4 stacked nanosheets with its local routing and back side metal contact. Ein 4x4-IGZO-2T0C-Zellenarray, bei dem sich die Lese-/Schreibtransistoren (RTX/WTX) auf der oberen/unteren Ebene befinden und über die entsprechenden Verbindungen verfügen. / A 4x4 IGZO 2T0C cell array where read/write transistors (RTX/WTX) are on top/bottom levels with the corresponding connections.
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Die Einführung der neuen A14- und Embedded-DRAM-Prozessdesign-Kits (PDKs) treibt die Forschung und Innovation im Bereich der Logik- und Speicherskalierung schneller voran.

NanoIC rundet sein PDK-Portfolio mit seinem ersten A14-Logik- und eDRAM-Speicher-PDK ab

Am 02. Februar 2026 gab die NanoIC-Pilotlinie, eine von imec koordinierte europäische Initiative zur Beschleunigung von Innovationen im Bereich der Chip-Technologien mit Strukturen kleiner als 2 nm, die Veröffentlichung von zwei neuen Prozessdesign-Kits (PDKs) bekannt: ein A14-Pathfinding-PDK für…

Foto des Veeco 300-mm-Oxid-Systems für Hybrid-MBE-BTO auf Silizium-Epitaxie. / Photos of the Veeco 300mm oxide system for hybrid-MBE BTO on Silicon epitaxy. Querschnittsbild einer TEM-Aufnahme der BaTiO3/SrTiO3/Si(001)-Heterostruktur mit Ausschnittsvergrößerungen mittels hochauflösender Mikroskopie und Rasterkraftmikroskopie. / Cross-sectional Transmission Electronic Microscopy image of the BaTiO3/SrTiO3/Si(001) heterostructure with high-resolution micrograph and atomic force micrograph images in inset.
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Einzigartige Lösung für die Epitaxie von Bariumtitanat auf Silizium zur Beschleunigung von Datacom- und Quantencomputing-Anwendungen

Veeco und imec entwickeln einen 300-mm-kompatiblen Prozess, um die Integration von Bariumtitanat in Siliziumphotonik zu ermöglichen

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) und imec gaben bekannt, dass sie gemeinsam einen für die Massenproduktion geeigneten 300-mm-Prozess entwickelt haben, der die Integration von Bariumtitanat (BaTiO3 oder BTO) auf einer Silizium-Photonik-Plattform ermöglicht. BTO ist ein vielversprechendes Mater…

Neuer Messadapter für die gleichzeitige Kontaktierung von bis zu acht Interdigitalelektrodenpaaren. © Fraunhofer IPMS / New measurement adapter for simultaneous contacting of up to eight interdigital electrode pairs. © Fraunhofer IPMS Explosionszeichnung des Messadapters mit Position des AX1580 Chips. Die roten Buchsen kontaktieren das Gate, die SMA-Buchsen kontaktieren je ein Source-Drain-Paar. © Fraunhofer IPMS / Exploded view of the measurement adapter showing the position of the AX1580 chip. The red sockets connect to the gate, while the SMA sockets each connect to a source-drain pair. © Fraunhofer IPMS Chip AX1580, 15x15 mm2, mit 8 Gold-Interdigitalelektrodenpaaren mit einer Kanalweite von 10 mm und Kanallängen von 2,5; 5, 10 und 20 µm. Der Chip selbst kann als Gateelektrode genutzt werden, das Gateoxid zwischen Gate und den Interdigitalelektroden ist typisch SiO2 mit einer Dicke von 230 nm. © Fraunhofer IPMS / Chip AX1580, 15x15 mm², with 8 gold interdigital electrode pairs with a channel width of 10 mm and channel lengths of 2.5, 5, 10, and 20 µm. The chip itself can be used as a gate electrode; the gate oxide between the gate and the interdigital electrodes is typically SiO2 with a thickness of 230 nm. © Fraunhofer IPMS
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Revolutionäre Chips für die Materialforschung

Fraunhofer IPMS schließt Lücke in der Charakterisierung von organischen Halbleitern

Die innovativen Chips des Fraunhofer-Instituts für Photonische Mikrosysteme IPMS revolutionieren die Charakterisierung organischer Materialien und beschleunigen die Entwicklung neuer elektronischer Anwendungen. Ein neu entwickelter Messadapter ermöglicht erstmals die gleichzeitige Kontaktierung vo…

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