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Toutes les publications de la rubrique Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Les chercheurs du Fraunhofer IAF ont réussi à faire croître des hétérostuctures AlYN/GaN dans un réacteur MOCVD sur des substrats SiC de 4 pouces. © Fraunhofer IAF / Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont réussi à faire croître des hétérostuctures AlYN/GaN dans un réacteur MOCVD sur des substrats SiC de 4 pouces. © Fraunhofer IAF Les différentes nuances de couleur des wafers AlYN/GaN résultent de différentes concentrations en yttrium ainsi que des conditions de croissance. © Fraunhofer IAF / Les différentes nuances de couleur des wafers AlYN/GaN résultent de différentes concentrations en yttrium ainsi que des conditions de croissance. © Fraunhofer IAF Grâce à leurs travaux sur l'épitaxie et la caractérisation des hétérostuctures AlYN/GaN, l'équipe de recherche du Fraunhofer IAF a réalisé une avancée majeure dans le domaine des matériaux semi-conducteurs. © Fraunhofer IAF / Avec leur travail sur l'épitaxie et la caractérisation des hétérostuctures AlYN/GaN, l'équipe de recherche du Fraunhofer IAF a réussi une percée dans le domaine des matériaux semi-conducteurs. © Fraunhofer IAF
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Étape importante dans le développement des semi-conducteurs

Nouveau matériau semi-conducteur : AlYN promet une électronique plus économe en énergie et plus performante

Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont réalisé une avancée dans le domaine des matériaux semi-conducteurs : avec l’aluminiumyttriure nitrure (AlYN), ils ont réussi à produire et à caractériser un nouveau matériau semi-conducteur prometteur en utilisant la technique MOCVD. En raison de ses excellentes…
Le prober cryogénique sur wafer au Fraunhofer IAF permet de caractériser de manière entièrement automatique jusqu'à 25 wafers entiers de 200 mm ou 300 mm avec des dispositifs pour l'informatique quantique. © Fraunhofer IAF / The cryogenic on-wafer prober at Fraunhofer IAF enables fully automatic characterizations of up to 25 whole 200-mm or 300-mm wafers with devices for quantum computing and sensing. © Fraunhofer IAF Configuration pour la caractérisation RF sous conditions cryogéniques. © Fraunhofer IPMS / Configuration pour la caractérisation RF dans des conditions cryogéniques. © Fraunhofer IPMS Le consortium ARCTIC. © imec / Le consortium ARCTIC. © imec © imec
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  • Science

Fraunhofer IPMS et IAF collaborent avec 34 partenaires européens dans le projet <i>ARCTIC</i>

Projet de l'UE rassemble les forces sur la voie de l'ère des processeurs quantiques évolutifs

Pour rendre un ordinateur quantique utilisable, le développement des commandes pour des systèmes évolutifs est essentiel, mais en est encore à ses débuts. Le projet ARCTIC rassemble 36 partenaires internationaux issus de l'industrie, de la science et d'instituts de recherche de premier plan, afin de…
Solution de positionnement ultra-compacte et de haute précision pour l'exposition de wafers dans une atmosphère d'azote sèche et sans oxygène. (Image : Groupe Steinmeyer)
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Ultrakompakt, haute précision, lubrification à sec, fiable, peu d'entretien

Solution de positionnement innovante pour la lithographie DUV

Pour la lithographie DUV, Steinmeyer a développé sur le site de Dresde, le plus grand centre IKT/microélectronique d'Europe, une solution de positionnement ultracompacte et de haute précision pour l'exposition de wafers en atmosphère sèche, sans oxygène, dans de l'azote. Ce module innovant est conçu…
Qubits de spin en silicium, fabriqués avec des procédés d'intégration de pointe sur 300 mm. / Si qubits de spin fabriqués avec des processus d'intégration de pointe sur 300 mm.
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Les résultats confirment la maturité des processus de qubits sur des wafers de 300 mm, permettant la fabrication de ordinateurs quantiques à grande échelle.

Imec atteint le bruit de charge le plus faible pour les points quantiques en Si-MOS, fabriqués sur une plateforme CMOS de 300 mm

Imec, un centre mondial de recherche et d'innovation de premier plan dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, a annoncé aujourd'hui la démonstration réussie d'une opération de qubits de spin à base de Si de haute qualité sur une plateforme de 300 mm, avec des composants…
Pour une utilisation dans l'industrie des semi-conducteurs, Feinmess Suhl propose des vis à billes précises et ultra-compacts, qui fonctionnent sans lubrifiants. (Image : Feinmess Suhl GmbH)
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  • Pièces de norme, pièces d'utilisateur, vannes, raccords, ...

Ultrakompakt et haute précision

Miniature vis à billes à glissement dans l'industrie des semi-conducteurs

Dans les applications haut de gamme dans la technologie des semi-conducteurs, l’électronique ou la recherche et développement, la miniaturisation et l’automatisation progressent constamment. Les systèmes de positionnement et d’entraînement doivent fonctionner de manière précise, propre, fiable et pe…
Photo d'un substrat de test avec structure de chauffage du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / Photo d'un substrat de test avec structure de chauffage du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Exemple d'image thermique d'un substrat de test chauffé maintenu par une ventouse à vide du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / Exemple d'image thermique d'un substrat de test chauffé maintenu par une ventouse à vide du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Photo de substrats de test, à gauche un avec structure de chauffage, comparé en taille à une pièce de 1 centime d'euro. © Fraunhofer IPMS / Photo de substrat de test, à gauche avec structure de chauffage, comparé en taille à une pièce de 1 centime d'euro. © Fraunhofer IPMS
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  • Science

Caractérisation des matériaux d'oxydes métalliques et de matériaux organiques

Les développeurs de capteurs de gaz à couche mince bénéficient d'une plateforme à substrat chauffé

Le Fraunhofer-Institut für photonische Mikrosysteme IPMS développe et fabrique des puces de test chauffables sur mesure pour la caractérisation de nouveaux matériaux de la détection de gaz. Des couches sensorielles déposées dessus ainsi que leurs paramètres spécifiques à l'application, tels que la s…
Figure 1 – Composants CMOS CFET avec MDI et contacts structurés empilés en façade (TC = contact supérieur ; TJ = jonction supérieure ; BC = contact inférieur ; BJ = jonction inférieure). Des coupes transversales SEM sont présentées le long (à gauche) et à travers (à droite) du BC/TC. Figure 2 – Courbes Id/Vg pour nFET et pFET avec contacts empilés en façade. Figure 3 – Photo SEM montrant les contacts inférieurs formés à l'arrière du wafer et positionnés avec précision au-dessus de la jonction inférieure formée à l'avant (BDI = isolation diélectrique inférieure).
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Imec démontre des composants CFET monolithiques fonctionnels avec des contacts inférieurs et supérieurs empilés

Cette semaine, imec, un centre mondial de recherche et d'innovation de premier plan dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, présente pour la première fois lors du symposium IEEE 2024 sur la technologie et les circuits VLSI (2024 VLSI) des composants CMOS-CFET fonctionn…
Employés d'EV Group et du Fraunhofer IZM-ASSID à côté d'un système de déliantage et de nettoyage UV laser entièrement automatisé EVG®850 DB, installé dans le nouveau Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration de Saxe (CEASAX) du Fraunhofer à Dresde, Allemagne. [De gauche à droite : Gerald Silberer, Directeur régional des ventes Europe (EV Group), Dr. Andreas Gang, Chef de groupe Pré-assemblage / Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Manuela Junghähnel, Responsable du site (Fraunhofer IZM-ASSID), Markus Wimplinger, Directeur du développement technologique d'entreprise et de la propriété intellectuelle (EV Group), Andreas Pichler, Responsable régional des ventes Europe (EV Group), Robert Wendling, Assistant technique Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Frank Windrich, Directeur adjoint du site (Fraunhofer IZM-ASSID)]. © Fraunhofer IZM | Silvia Wolf / Personnel d'EV Group et du Fraunhofer IZM-ASSID à côté d’un système de déliantage UV laser EVG®850 DB entièrement automatisé, installé dans le nouveau Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration de Saxe (CEASAX) du Fraunhofer à Dresde, Allemagne. [De gauche à droite : Gerald Silberer, Directeur régional des ventes Europe (EV Group), Dr. Andreas Gang, Chef de groupe Pré-assemblage / Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Manuela Junghähnel, Responsable du site (Fraunhofer IZM-ASSID), Markus Wimplinger, Directeur du développement technologique d'entreprise et de la propriété intellectuelle (EV Group), Andreas Pichler, Responsable régional des ventes Europe (EV Group), Robert Wendling, Assistant technique Bonding de wafers (Fraunhofer IZM-ASSID), Dr. Frank Windrich, Directeur adjoint du site (Fraunhofer IZM-ASSID)]. © Fraunhofer IZM | Silvia Wolf
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Le partenariat stratégique débute avec l'installation du système de délamination laser entièrement automatique EVG®850 dans le nouveau Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration de Saxe (CEASAX)

EV Group et Fraunhofer IZM-ASSID renforcent leur partenariat dans le domaine du collage de wafers pour les applications de calcul quantique

EV Group (EVG), un leader dans le développement et la fabrication d’équipements pour les applications de bonding de wafers et de lithographie dans l’industrie des semi-conducteurs, de la microsystémique et de la nanotechnologie, et Fraunhofer IZM-ASSID (All Silicon System Integration Dresden), une d…
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