Centre d'innovation AIXTRON par la ministre de l'Économie de NRW, Mona Neubaur, inauguré

De gauche à droite : Dr. Benjamin Fadavian (Maire de Herzogenrath), Dr. Felix Grawert (PDG d'AIXTRON SE), Mona Neubaur (Ministre de l'Économie, de l'Industrie, de la Protection du Climat et de l'Énergie du Land de la Rhénanie-du-Nord-Westphalie), Dr. Christian Danninger (Directeur financier d'AIXTRON SE) (Photo : AIXTRON/Friedrich Stark) / De gauche à droite : Dr. Benjamin Fadavian, Dr. Felix Grawert, Mona Neubaur, Dr. Christian Danninger. (Photo : AIXTRON/Friedrich Stark)

La ministre de l'Économie, de l'Industrie, du Climat et de l'Énergie du NRW, Mona Neubaur, a inauguré le nouveau centre d'innovation de AIXTRON SE (FSE : AIXA) au siège social à Herzogenrath. Lors de la cérémonie officielle, le PDG de AIXTRON, Dr. Felix Grawert, et le directeur financier, Dr. Christian Danninger, ont montré à la ministre le nouveau complexe de recherche et développement avec une surface de salle blanche de 1 000 m². Il constitue la base de la transition vers la technologie des wafers de 300 mm dans l'industrie des semi-conducteurs de liaison.

« Le nouveau centre d'innovation de AIXTRON est un exemple impressionnant de la capacité d'innovation et de l'avenir prometteur de l'industrie des semi-conducteurs en Rhénanie-du-Nord-Westphalie. Le lancement de la technologie des wafers de 300 mm est une étape importante pour l'efficacité énergétique et la compétitivité de notre région. Notre compétitivité mondiale bénéficie énormément d'une production locale robuste de semi-conducteurs, car ce sont eux qui rendent possible la transition vers la neutralité climatique : sans eux, aucun ordinateur ne fonctionnerait, aucune voiture ne roulerait, et ni les éoliennes ni les panneaux solaires ne pourraient produire de l'énergie. » a déclaré Mona Neubaur, ministre de l'Économie, de l'Industrie, du Climat et de l'Énergie et vice-présidente du Land de la Rhénanie-du-Nord-Westphalie.

La manifestation a réuni des représentants de la politique, de la ville de Herzogenrath, de la chambre de commerce et d'industrie d'Aix-la-Chapelle ainsi que des médias. La ministre a visité AIXTRON dans le cadre d'une tournée de l'innovation en Rhénanie-du-Nord-Westphalie.

« Avec la nouvelle salle blanche adaptée à la technologie des équipements de 300 mm dans le centre d'innovation, nous allons renforcer notre leadership technologique sur le marché », a déclaré le Dr. Felix Grawert, président du directoire et PDG de AIXTRON SE. « Nous disposons déjà de premiers prototypes d'installations de GaN de 300 mm, qui sont également intégrés dans plusieurs lignes pilotes chez nos clients. Et c'est précisément ici que se manifeste la capacité d'innovation et l'ADN de AIXTRON. Depuis des décennies, nous travaillons sur des solutions technologiques, sans que le marché ait encore défini concrètement ses exigences. Cela nous permet d'aider nos clients dès les premières phases de développement de leurs produits et d'offrir des technologies innovantes précisément au moment où la demande apparaît pour la première fois. »

Le lancement des travaux et le début de la construction du complexe ultramoderne, dans lequel AIXTRON a investi environ 100 millions d'euros de ses propres fonds, ont eu lieu en novembre 2023. Le bâtiment de haute technologie est conçu pour le prochain grand pas dans la technologie des semi-conducteurs de liaison : la transition importante vers les wafers de 300 mm pour le nitrure de gallium (GaN) et d'autres applications de semi-conducteurs de liaison. Le système de matériaux GaN, dont AIXTRON est le leader technologique, est de plus en plus utilisé dans l'électronique de puissance en raison de ses propriétés matérielles exceptionnelles. Les composants semi-conducteurs à base de GaN améliorent la performance des chargeurs dans l'électronique grand public, permettent une conversion efficace de l'énergie dans le domaine des énergies renouvelables et une alimentation électrique économe en énergie pour les serveurs et les centres de données. Cela contribue également, par exemple, aux applications d'intelligence artificielle, qui se répandent rapidement, car celles-ci nécessitent beaucoup d'énergie.

Pour répondre à cette demande, AIXTRON accélère le développement de la technologie de dépôt pour wafers de 300 mm. Le diamètre plus grand du wafer offre aux clients un avantage de surface par un facteur de 2,25 par rapport aux wafers de 200 mm actuellement utilisés. De plus, les clients peuvent utiliser pour la première fois leurs usines et équipements de 300 mm existants pour la fabrication de semi-conducteurs de liaison. Cela rend la fabrication de composants semi-conducteurs à base de GaN non seulement moins coûteuse, mais offre également des perspectives d'amélioration technologique à l'avenir.

« Avec la technologie des wafers de 300 mm, nous introduisons pour la première fois les semi-conducteurs de liaison dans le courant dominant de la fabrication de semi-conducteurs. Le centre d'innovation est un élément clé de notre stratégie, car il offre l'espace et les conditions techniques pour les technologies de la prochaine génération. La transition vers le 300 mm pour les semi-conducteurs de liaison est une étape importante qui ouvrira de nombreuses opportunités de croissance pour le secteur dans les années à venir », explique le professeur Dr. Michael Heuken, vice-président des technologies avancées chez AIXTRON.