AIXTRON-Innovationszentrum NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur megnyitása

Balról jobbra: Dr. Benjamin Fadavian (Herzogenrath polgármestere), Dr. Felix Grawert (az AIXTRON SE ügyvezető igazgatója), Mona Neubaur (Észak-Rajna-Vesztfália állam gazdasági, ipari, klímavédelmi és energiaügyi minisztere), Dr. Christian Danninger (az AIXTRON SE pénzügyi igazgatója) (Fotó: AIXTRON/Friedrich Stark) / From left to right: Dr. Benjamin Fadavian, Dr. Felix Grawert, Mona Neubaur, Dr. Christian Danninger. (Photo: AIXTRON/Friedrich Stark)

NRW-Gazdasági miniszter Mona Neubaur megnyitotta az AIXTRON SE (FSE: AIXA) új innovációs központját Herzogenrath-i székhelyén. A hivatalos eseményen az AIXTRON vezérigazgatója, Dr. Felix Grawert és pénzügyi igazgatója, Dr. Christian Danninger mutatták be a miniszternek az új kutatási és fejlesztési komplexumot, amely 1000 m² tisztatérrel rendelkezik. Ez adja az alapot a 300 mm-es szilíciumlapka-technológia átállásához a kapcsolt félvezető iparban.

„Az AIXTRON új innovációs központja lenyűgöző példája a félvezetőipar innovációs erejének és jövőképes képességeinek Észak-Rajna-Vesztfáliában. A 300 mm-es szilíciumlapka-technológia beindítása mérföldkő az energiatakarékosság és a versenyképesség szempontjából régiónk számára. Globális versenyképességünket jelentősen javítja egy erős helyi félvezetőgyártás, hiszen a félvezetők teszik lehetővé a klímatudatos átállást: nélkülük nem működne számítógép, nem közlekedne autó, nem termelnének energiát a szélerőművek vagy napelemek.” mondta Mona Neubaur, gazdasági, ipari, klímavédelmi és energiaügyi miniszter, Észak-Rajna-Vesztfália tartomány helyettes miniszterelnöke.

Az eseményen politikai képviselők, Herzogenrath város képviselői, az Aacheni Kereskedelmi és Iparkamara, valamint médiamunkatársak vettek részt. A miniszter az AIXTRON-t egy innovációs túra keretében látogatta meg Észak-Rajna-Vesztfáliában.

„Az új, 300 mm-es gyártástechnológiára alkalmas tisztatérrel az innovációs központban tovább fogjuk bővíteni technológiai piacvezető pozíciónkat” – mondta Dr. Felix Grawert, az AIXTRON SE igazgatótanácsának elnöke és vezérigazgatója. „Jelenleg már rendelkezünk első 300 mm-es GaN-prototípus berendezésekkel, amelyek már több ügyfélnél pilotprojektekben is beépítésre kerültek. És itt mutatkozik meg igazán az AIXTRON innovációs ereje és DNA-ja. Évtizedek óta dolgozunk technológiai megoldásokon, anélkül, hogy a piac már konkrétan meghatározta volna az igényeit. Ennek köszönhetően képesek vagyunk ügyfeleinket korán segíteni termékfejlesztéseikben, és innovatív technológiákat pontosan akkor piacra dobni, amikor az első kereslet megjelenik.”

A magas színvonalú komplexum alapkövét és építését 2023 novemberében kezdték meg, ahol az AIXTRON saját forrásból mintegy 100 millió eurót fektetett be. Az okosépület a következő nagy lépésre van felkészülve a kapcsolt félvezető technológiában: a fontos áttörésre a 300 mm-es Gallium Nitrid (GaN) lapkák és további kapcsolt félvezető alkalmazások terén. A GaN anyagrendszer, amelyben az AIXTRON technológiai vezető szerepet tölt be, egyre több teljesítmény-elektronikai eszközben kerül alkalmazásra a kiváló anyagjellemzők miatt. A GaN-alapú félvezető eszközök növelik az energiaellátó töltők teljesítményét a szórakoztató elektronika területén, lehetővé teszik az energiahatékony áramátalakítást megújuló energiaforrásoknál, valamint energiatakarékos tápellátást biztosítanak szerverek és adatközpontok számára. Ez például segít a mesterséges intelligencia alkalmazásaiban is, amelyek éppen gyorsan terjednek, mivel ezekhez nagy mennyiségű energia szükséges.

Az AIXTRON a 300 mm-es deposition technológia fejlesztésével készül ezekre a keresletnövekedésekre. A nagyobb lapkaátmérő 2,25-szörös területi előnyt biztosít az ügyfelek számára a jelenleg használt 200 mm-es lapkákhoz képest. Emellett az ügyfelek első alkalommal használhatják meglévő 300 mm-es gyáraikat és berendezéseiket kapcsolt félvezetők gyártására. Ez nemcsak költséghatékonyabbá teszi a GaN félvezető eszközök gyártását, hanem lehetőséget ad a technológiai teljesítmény növelésére is a jövőben.

„A 300 mm-es lapka-technológiával először hozzuk be a kapcsolt félvezetőket a félvezetőgyártás főáramába. Az innovációs központ fontos eleme stratégiánknak, mivel helyet és technológiai feltételeket biztosít a következő generációs technológiák számára. A lépés a 300 mm-es lapkák felé a kapcsolt félvezetőknél mérföldkő, amely számos növekedési lehetőséget nyit meg a jövőben az iparág számára” – magyarázta Dr. Michael Heuken, az AIXTRON K+F igazgatóhelyettese.