Inovační centrum AIXTRON otevřela ministryně hospodářství NRW Mona Neubaur

V.l.n.r.: Dr. Benjamin Fadavian (starosta Herzogenrath), Dr. Felix Grawert (generální ředitel AIXTRON SE), Mona Neubaur (ministryně hospodářství, průmyslu, ochrany klimatu a energetiky spolkového země Severní Porýní-Vestfálsko), Dr. Christian Danninger (finanční ředitel AIXTRON SE) (foto: AIXTRON/Friedrich Stark) / Od levé strany: Dr. Benjamin Fadavian, Dr. Felix Grawert, Mona Neubaur, Dr. Christian Danninger. (Foto: AIXTRON/Friedrich Stark)

Ministryně hospodářství Severního Porýní-Vestfálska Mona Neubaur otevřela nové inovační centrum společnosti AIXTRON SE (FSE: AIXA) v sídle firmy v Herzogenrathu. Při oficiálním ceremoniálu ukázali generální ředitel AIXTRON Dr. Felix Grawert a finanční ředitel Dr. Christian Danninger ministryni nový výzkumný a vývojový komplex s 1 000 m² čistého prostoru. Ten tvoří základ pro přechod na technologii 300mm waferů v průmyslu polovodičů spojovacích.

„Nové inovační centrum společnosti AIXTRON je působivým příkladem inovační síly a budoucí schopnosti polovodičového průmyslu v Severním Porýní-Vestfálsku. Zahájení výroby 300mm waferů je milníkem pro energetickou účinnost a konkurenceschopnost našeho regionu. Naše globální konkurenceschopnost výrazně těží z robustní domácí výroby polovodičů, protože právě polovodiče umožňují přechod k klimatické neutralitě: bez nich nefunguje žádný počítač, žádné auto nejezdí, ani větrné či solární elektrárny nemohou vyrábět energii,“ řekla Mona Neubaur, ministryně hospodářství, průmyslu, ochrany klimatu a energetiky a místopředsedkyně vlády Severního Porýní-Vestfálska.

Na akci se zúčastnili zástupci politiky, města Herzogenrath, obchodní a průmyslové komory Aachen a mediální zástupci. Ministryně navštívila AIXTRON v rámci inovační tour v Severním Porýní-Vestfálsku.

„S novým čistým prostorem vhodným pro zařízení 300 mm v inovačním centru budeme dále rozšiřovat naše technologické postavení na trhu,“ řekl Dr. Felix Grawert, předseda představenstva a generální ředitel AIXTRON SE. „Už máme první prototypové zařízení pro GaN o velikosti 300 mm, které je již integrováno v pilotních linkách u několika zákazníků. A právě zde se ukazuje inovační síla a DNA AIXTRON. Desetiletí pracujeme na technologických řešeních, aniž by trh přesně definoval své požadavky. Díky tomu jsme schopni našim zákazníkům pomáhat s jejich vývojem produktů v rané fázi a nabízet inovativní technologie přesně v okamžiku, kdy poptávka poprvé vznikne.“

Výkopové práce a zahájení výstavby vysoce moderního komplexu, do kterého AIXTRON investoval vlastními silami přibližně 100 milionů eur, proběhly v listopadu 2023. Tento high-tech objekt je navržen pro další velký krok v technologii spojovacích polovodičů: důležitý přechod na 300mm wafery pro GalliumNitrid (GaN) a další aplikace spojovacích polovodičů. Materiálový systém GaN, v němž je AIXTRON technologickým lídrem, se díky vynikajícím vlastnostem stále častěji používá v energeticky výkonnější elektronice. GaN-based polovodičové součástky zvyšují výkon nabíječek v spotřební elektronice, umožňují efektivní přeměnu energie v oblasti obnovitelných zdrojů a úsporné napájení serverů a datových center. To například pomáhá i v aplikacích umělé inteligence, která se právě rychle rozšiřuje, protože tyto aplikace potřebují velké množství energie.

Aby se na tuto poptávku připravila, AIXTRON posiluje vývoj technologie depozice pro 300mm wafery. Větší průměr waferu nabízí zákazníkům výhodu v ploše o faktor 2,25 oproti současným waferům o velikosti 200 mm. Navíc mohou zákazníci poprvé využívat své stávající továrny a zařízení na výrobu 300mm waferů pro výrobu spojovacích polovodičů. To nejenže činí výrobu GaN polovodičových součástek levnější, ale také otevírá možnosti pro technologické zlepšení výkonu v budoucnu.

„S technologií waferů o velikosti 300 mm přinášíme poprvé spojovací polovodiče do hlavního proudu výroby polovodičů. Inovační centrum je klíčovým prvkem naší strategie, protože nabízí prostor a technické předpoklady pro technologie příští generace. Přechod na 300 mm u spojovacích polovodičů je milníkem, který v následujících letech otevře řadu růstových příležitostí pro odvětví,“ vysvětlil profesor Dr. Michael Heuken, viceprezident pro pokročilé technologie ve společnosti AIXTRON.