Centro di innovazione AIXTRON inaugurato dalla ministra dell'economia del NRW, Mona Neubaur

Da sinistra a destra: Dr. Benjamin Fadavian (Sindaco di Herzogenrath), Dr. Felix Grawert (CEO AIXTRON SE), Mona Neubaur (Ministra dell'Economia, Industria, Protezione del Clima e Energia del Nordreno-Vestfalia), Dr. Christian Danninger (CFO AIXTRON SE) (Foto: AIXTRON/Friedrich Stark) / From left to right: Dr. Benjamin Fadavian, Dr. Felix Grawert, Mona Neubaur, Dr. Christian Danninger. (Photo: AIXTRON/Friedrich Stark)

La ministra dell'economia del NRW Mona Neubaur ha inaugurato il nuovo centro di innovazione di AIXTRON SE (FSE: AIXA) presso la sede di Herzogenrath. Durante l'evento ufficiale, il CEO di AIXTRON Dr. Felix Grawert e il CFO Dr. Christian Danninger hanno mostrato alla ministra il nuovo complesso di ricerca e sviluppo con 1.000 m² di superficie in ambiente sterile. Esso costituisce la base per la transizione alla tecnologia di wafer da 300 mm nell'industria dei semiconduttori di collegamento.

„Il nuovo centro di innovazione di AIXTRON è un esempio impressionante della capacità di innovazione e della competitività futura dell'industria dei semiconduttori in Renania Settentrionale-Vestfalia. L'avvio della tecnologia di wafer da 300 mm rappresenta una pietra miliare per l'efficienza energetica e la competitività della nostra regione. La nostra competitività globale beneficia enormemente di una produzione domestica robusta di semiconduttori, poiché sono loro a rendere possibile la transizione verso la neutralità climatica: senza di essi, nessun computer funziona, nessuna auto si muove, né le turbine eoliche né gli impianti solari possono produrre energia.” ha detto Mona Neubaur, ministra dell'economia, dell'industria, della protezione climatica e dell'energia e vicepresidente del Land Nordrhein-Westfalen.

Alla manifestazione hanno partecipato rappresentanti della politica, della città di Herzogenrath, della Camera di Commercio e dell'Industria di Aachen e rappresentanti dei media. La ministra ha visitato AIXTRON nel quadro di un tour di innovazione in Nordrhein-Westfalen.

„Con il nuovo ambiente sterile adatto alla produzione di wafer da 300 mm nel centro di innovazione, continueremo ad espandere la nostra leadership tecnologica sul mercato”, ha affermato il Dr. Felix Grawert, presidente del consiglio di amministrazione e CEO di AIXTRON SE. „Abbiamo già a disposizione i primi impianti prototipo di GaN da 300 mm, integrati anche in diversi clienti nelle linee pilota. Ed è proprio qui che si manifesta la capacità di innovazione e il DNA di AIXTRON. Da decenni lavoriamo a soluzioni tecnologiche, anche quando il mercato non aveva ancora definito chiaramente le sue esigenze. Così, siamo in grado di aiutare i nostri clienti nelle prime fasi dello sviluppo dei loro prodotti e di offrire tecnologie innovative pronte per il mercato nel momento in cui nasce una domanda.”

Il collaudo e l'inizio della costruzione del complesso altamente tecnologico, in cui AIXTRON ha investito circa 100 milioni di euro con mezzi propri, sono avvenuti nel novembre 2023. L'edificio high-tech è progettato per il prossimo grande passo nella tecnologia dei semiconduttori di collegamento: la transizione importante ai wafer da 300 mm per il Gallio Nitruro (GaN) e altre applicazioni di semiconduttori di collegamento. Il sistema di materiali GaN, in cui AIXTRON è leader tecnologico, viene sempre più utilizzato nella elettronica di potenza grazie alle sue eccellenti proprietà materiali. I semiconduttori a base di GaN migliorano le prestazioni dei caricabatterie nell'elettronica di consumo, consentono una conversione di energia efficiente nel settore delle energie rinnovabili e un'alimentazione energetica efficiente per server e data center. Ciò aiuta, ad esempio, anche nelle applicazioni di intelligenza artificiale, che si stanno diffondendo rapidamente, poiché richiedono molta energia.

Per prepararsi a questa domanda, AIXTRON sta portando avanti lo sviluppo della tecnologia di deposizione da 300 mm. Il diametro maggiore del wafer offre ai clienti un vantaggio di superficie di un fattore 2,25 rispetto ai wafer attualmente utilizzati da 200 mm. Inoltre, i clienti potranno utilizzare per la prima volta le loro fabbriche e impianti esistenti da 300 mm per la produzione di semiconduttori di collegamento. Ciò rende la produzione di dispositivi a base di GaN non solo più economica, ma apre anche prospettive per miglioramenti tecnologici delle prestazioni.

„Con la tecnologia di wafer da 300 mm, portiamo per la prima volta i semiconduttori di collegamento nel mainstream della produzione di semiconduttori. Il centro di innovazione è un elemento importante della nostra strategia, poiché offre spazio e le condizioni tecniche per le tecnologie di prossima generazione. Il passo verso i 300 mm nei semiconduttori di collegamento è una pietra miliare che nei prossimi anni aprirà numerose opportunità di crescita per il settore”, spiega il professor Dr. Michael Heuken, vicepresidente delle tecnologie avanzate di AIXTRON.