Centrum innowacji AIXTRON otwarte przez ministerkę gospodarki NRW, Monę Neubaur

Od lewej do prawej: Dr Benjamin Fadavian (Burmistrz Herzogenrath), Dr Felix Grawert (CEO AIXTRON SE), Mona Neubaur (Minister ds. Gospodarki, Przemysłu, Ochrony Klimatu i Energii kraju Nadrenia Północna-Westfalia), Dr Christian Danninger (CFO AIXTRON SE) (Zdjęcie: AIXTRON/Friedrich Stark) / Od lewej do prawej: Dr Benjamin Fadavian, Dr Felix Grawert, Mona Neubaur, Dr Christian Danninger. (Zdjęcie: AIXTRON/Friedrich Stark)

Ministrowa gospodarki Nadrenii Północnej-Westfalii Mona Neubaur otworzyła nowy ośrodek innowacji firmy AIXTRON SE (FSE: AIXA) w siedzibie firmy w Herzogenrath. Podczas oficjalnej uroczystości dyrektor generalny AIXTRON, Dr Felix Grawert, oraz dyrektor finansowy, Dr Christian Danninger, pokazali ministerce nowy kompleks badawczo-rozwojowy o powierzchni czystego pomieszczenia 1000 m². Stanowi on podstawę dla przejścia na technologię wafli 300 mm w przemyśle półprzewodników połączeniowych.

„Nowy ośrodek innowacji firmy AIXTRON jest imponującym przykładem siły innowacyjnej i przyszłościowej zdolności przemysłu półprzewodników w Nadrenii Północnej-Westfalii. Uruchomienie technologii wafli 300 mm to kamień milowy dla efektywności energetycznej i konkurencyjności naszego regionu. Nasza globalna konkurencyjność korzysta w dużej mierze z solidnej krajowej produkcji półprzewodników, ponieważ to one umożliwiają transformację w kierunku neutralności klimatycznej: bez nich nie działa żaden komputer, nie jeździ żadne auto, nie można wyprodukować energii z wiatraków ani paneli słonecznych” – powiedziała Mona Neubaur, minister gospodarki, przemysłu, ochrony klimatu i energii oraz zastępczyni premier landu Nadrenia Północna-Westfalia.

W wydarzeniu uczestniczyli przedstawiciele polityki, miasta Herzogenrath, Izby Przemysłowo-Handlowej Aachen oraz przedstawiciele mediów. Minister odwiedziła AIXTRON w ramach tournee innowacji w Nadrenii Północnej-Westfalii.

„Dzięki nowemu czystemu pomieszczeniu w centrum innowacji, przystosowanemu do technologii wafli 300 mm, będziemy dalej rozwijać naszą technologiczną pozycję lidera na rynku” – powiedział Dr Felix Grawert, przewodniczący zarządu i CEO AIXTRON SE. „Posiadamy już pierwsze prototypowe urządzenia GaN o rozmiarze 300 mm, które są już zintegrowane w kilku liniach pilotażowych dla klientów. I to właśnie tutaj widać siłę innowacji i DNA AIXTRON. Od dziesięcioleci pracujemy nad rozwiązaniami technologicznymi, nawet gdy rynek jeszcze nie precyzował swoich wymagań. Dzięki temu możemy wczesnym etapem wspierać naszych klientów w rozwoju produktów i oferować innowacyjne technologie dokładnie w momencie, gdy pojawia się na nie zapotrzebowanie.”

Kamień węgielny i rozpoczęcie budowy nowoczesnego kompleksu, w który AIXTRON z własnych środków zainwestował około 100 milionów euro, miały miejsce w listopadzie 2023 roku. Nowoczesny budynek high-tech jest przygotowany na kolejny duży krok w technologii półprzewodników połączeniowych: kluczowe przejście na wafle 300 mm dla galium-nitru (GaN) i innych zastosowań w przemysłach połączeniowych. System materiałowy GaN, w którym AIXTRON jest liderem technologicznym, znajduje coraz szersze zastosowanie w elektronice mocy ze względu na swoje wyjątkowe właściwości materiałowe. Półprzewodnikowe elementy GaN zwiększają wydajność ładowarek w elektronice użytkowej, umożliwiają efektywną konwersję energii w odnawialnych źródłach energii oraz energooszczędne zasilanie serwerów i centrów danych. Pomaga to również w zastosowaniach sztucznej inteligencji, które obecnie szybko się rozwijają, ponieważ te technologie wymagają bardzo dużo energii.

Aby przygotować się na te zapotrzebowania, AIXTRON rozwija technologię depozycji na waflach 300 mm. Większy rozmiar wafla zapewnia klientom przewagę powierzchniową o współczynniku 2,25 w porównaniu do obecnie używanych wafli 200 mm. Ponadto, klienci mogą po raz pierwszy korzystać ze swoich istniejących fabryk i urządzeń 300 mm do produkcji półprzewodników połączeniowych. Dzięki temu produkcja elementów GaN nie tylko stanie się tańsza, ale także otworzy perspektywy na technologiczne ulepszenia.

„Technologia wafli 300 mm pozwala nam po raz pierwszy wprowadzić półprzewodniki połączeniowe do głównego nurtu produkcji półprzewodników. Centrum innowacji jest ważnym elementem naszej strategii, ponieważ zapewnia miejsce i warunki techniczne dla technologii następnej generacji. Przejście na wafle 300 mm w przypadku półprzewodników połączeniowych to kamień milowy, który w nadchodzących latach otworzy liczne możliwości rozwoju dla branży” – wyjaśnia profesor Dr Michael Heuken, wiceprezes ds. zaawansowanych technologii w AIXTRON.