Centro de innovación de AIXTRON inaugurado por la ministra de Economía de NRW, Mona Neubaur

De izquierda a derecha: Dr. Benjamin Fadavian (Alcalde de Herzogenrath), Dr. Felix Grawert (CEO de AIXTRON SE), Mona Neubaur (Ministra de Economía, Industria, Protección del Clima y Energía del Estado de Renania del Norte-Westfalia), Dr. Christian Danninger (CFO de AIXTRON SE) (Foto: AIXTRON/Friedrich Stark) / De izquierda a derecha: Dr. Benjamin Fadavian, Dr. Felix Grawert, Mona Neubaur, Dr. Christian Danninger. (Foto: AIXTRON/Friedrich Stark)

La Ministra de Economía de NRW, Mona Neubaur, ha inaugurado el nuevo centro de innovación de AIXTRON SE (FSE: AIXA) en la sede de la empresa en Herzogenrath. En la ceremonia oficial, el CEO de AIXTRON, Dr. Felix Grawert, y el CFO, Dr. Christian Danninger, mostraron a la ministra el nuevo complejo de investigación y desarrollo con 1.000 m² de sala limpia. Este constituye la base para la transición a la tecnología de obleas de 300 mm en la industria de semiconductores de unión.

“El nuevo centro de innovación de AIXTRON es un ejemplo impresionante del poder de innovación y la capacidad de futuro de la industria de semiconductores en Renania del Norte-Westfalia. El inicio de la tecnología de obleas de 300 mm es un hito para la eficiencia energética y la competitividad de nuestra región. Nuestra competitividad global se beneficia enormemente de una producción de semiconductores doméstica sólida, ya que los semiconductores hacen posible la transformación hacia la neutralidad climática: sin ellos, no funciona ningún ordenador, ningún coche, ni las instalaciones de energía eólica o solar pueden producir energía,” dijo Mona Neubaur, Ministra de Economía, Industria, Protección del Clima y Energía y Vicepresidenta del Estado de Renania del Norte-Westfalia.

La evento contó con la presencia de representantes de la política, la ciudad de Herzogenrath, la Cámara de Industria y Comercio de Aquisgrán, así como medios de comunicación. La ministra visitó AIXTRON en el marco de una gira de innovación por Renania del Norte-Westfalia.

“Con la nueva sala limpia apta para instalaciones de 300 mm en el centro de innovación, continuaremos ampliando nuestro liderazgo tecnológico en el mercado,” afirmó el Dr. Felix Grawert, presidente del consejo y CEO de AIXTRON SE. “Ya disponemos de prototipos de tecnología GaN de 300 mm, que ya están integrados en varias líneas piloto de clientes. Y aquí es donde se demuestra la capacidad de innovación y el ADN de AIXTRON. Durante décadas, hemos trabajado en soluciones tecnológicas, incluso cuando el mercado aún no había definido claramente sus requisitos. Esto nos permite ayudar a nuestros clientes en etapas tempranas de desarrollo de productos y ofrecer tecnologías innovadoras exactamente en el momento en que surge la demanda por primera vez.”

La colocación de la primera piedra y el inicio de la construcción del complejo de alta tecnología, en el que AIXTRON invirtió aproximadamente 100 millones de euros con recursos propios, tuvo lugar en noviembre de 2023. El edificio de alta tecnología está diseñado para dar un paso importante en la tecnología de semiconductores de unión: la transición crucial a las obleas de 300 mm para el nitruro de galio (GaN) y otras aplicaciones de semiconductores de unión. El sistema de material GaN, en el que AIXTRON es líder tecnológico, se utiliza cada vez más en electrónica de potencia debido a sus excelentes propiedades materiales. Los semiconductores basados en GaN aumentan la capacidad de rendimiento de los cargadores en electrónica de consumo, permiten una conversión eficiente de energía en energías renovables y una alimentación energética eficiente para servidores y centros de datos. Esto también ayuda en aplicaciones de inteligencia artificial, que se están expandiendo rápidamente, ya que requieren mucha energía.

Para prepararse para esta demanda, AIXTRON impulsa el desarrollo de la tecnología de deposición de 300 mm. El mayor diámetro de la oblea ofrece a los clientes una ventaja de superficie por un factor de 2,25 en comparación con las obleas de 200 mm actualmente utilizadas. Además, los clientes podrán utilizar por primera vez sus fábricas y equipos existentes de 300 mm para la fabricación de semiconductores de unión. Esto no solo reducirá los costos de fabricación de componentes de GaN, sino que también abrirá perspectivas para mejoras tecnológicas en el rendimiento.

“Con la tecnología de obleas de 300 mm, llevamos por primera vez los semiconductores de unión al mercado principal de fabricación de semiconductores. El centro de innovación es un elemento importante de nuestra estrategia, ya que ofrece espacio y las condiciones técnicas para tecnologías de próxima generación. La transición a las obleas de 300 mm en semiconductores de unión es un hito que en los próximos años abrirá numerosas oportunidades de crecimiento para el sector,” explica el profesor Dr. Michael Heuken, vicepresidente de Tecnologías Avanzadas en AIXTRON.