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Toutes les publications de IMEC Belgium

Courant de fuite de tampon vertical en conduction directe, mesuré sur un GaN-on-QST® de 1200V à deux températures différentes : (à gauche) 25°C et (à droite) 150°C. Le tampon de 1200V d'Imec montre un courant de fuite vertical inférieur à 1µA/mm² à 25°C et inférieur à 10µA/mm² à 150°C jusqu'à 1200V, avec une défaillance supérieure à 1800V, aussi bien à 25°C qu'à 150°C, ce qui le rend adapté au traitement de composants de 1200V. / Courant de fuite en conduction directe vertical mesuré sur un GaN-on-QST® de 1200V à deux températures différentes : (à gauche) 25°C et (à droite) 150°C. Le tampon de 1200V d'Imec présente un courant de fuite vertical inférieur à 1µA/mm² à 25°C et inférieur à 10µA/mm² à 150°C jusqu'à 1200V avec une rupture supérieure à 1800V, à la fois à 25°C et à 150°C, ce qui le rend adapté au traitement de dispositifs de 1200V.

Ce résultat révolutionnaire ouvre la voie à l'entrée du GaN dans la gamme de haute tension en SiC

Imec et AIXTRON présentent une épitaxie de GaN de 200 mm sur AIX G5+ C pour des applications de 1200 V avec une tension de claquage supérieure à 1800 V

Imec, un centre de recherche et d'innovation de renommée mondiale dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, et AIXTRON, le principal fournisseur d'équipements de dépôt pour les matériaux semi-conducteurs liés, ont présenté la croissance épitaxiale de couches de buffer en…
La sonde Neuropixels 2.0 (en bas) est plus petite que la première génération (en haut) et peut surveiller l'activité neuronale pendant plusieurs semaines.

Une nouvelle génération de minuscules sondes d'enregistrement peut suivre les mêmes neurones dans de minuscules cerveaux de souris pendant des semaines — voire des mois.

Les dernières sondes Neuropixels peuvent surveiller des neurones pendant plusieurs semaines

Les nouveaux outils s'appuient sur le succès des sondes Neuropixels originales, présentées en 2017 et actuellement utilisées dans plus de 400 laboratoires. Neuropixels 2.0 sont beaucoup plus petites - environ un tiers de la taille de leur prédécesseur. Elles ont été conçues pour enregistrer l'activi…
Structuration à un seul exposant avec un pas de 28 nm utilisant le procédé MOx d'Inpria sur un scanner EUV à champ complet 0,33NA après métallisation Ru. / Patterning à exposition unique de 28 nm de pas utilisant le procédé MOx d'Inpria sur un scanner EUV à champ complet 0,33NA après métallisation Ru. Pas de traduction nécessaire, car le texte est déjà en français. Trou de contact de 28 nm, obtenu avec un scanner à champ complet NXE:3400 de 0,33NA, après le développement. / Trou de contact de 28 nm obtenu sur un scanner à champ complet NXE:3400 de 0,33NA, après le développement.

Corrélation démontrée entre les données morphologiques et électriques sur des lignes/espaces de 28 nm, ce qui améliore la compréhension des effets des défauts stochastiques sur la fiabilité et le rendement des composants

Imec pousse la capacité de patterning en une seule exposition de l'EUVL à 0,33NA jusqu'à ses limites

Cette semaine, imec, un centre de recherche et d'innovation mondialement reconnu dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, et ASML, le principal fabricant mondial de machines de lithographie pour semi-conducteurs, présentent plusieurs conférences lors de la conférence SP…

La collaboration entre Sarcura et imec vise au développement d'une solution cytométrique basée sur la photonique en silicium, permettant un contrôle et une manipulation des processus cellulaires en temps réel.

SARCURA et imec collaborent sur une solution de cytométrie à haut débit pour la séparation automatisée des (T-)cellules, afin de relever les défis liés à la fabrication de thérapies cellulaires et géniques

La Sarcura GmbH, une startup technologique autrichienne en phase de démarrage, a annoncé aujourd'hui sa collaboration avec imec, un centre de recherche et d'innovation mondialement reconnu dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques. L'objectif est de développer un prototyp…
Représentations schématiques (pas à l’échelle) de (à gauche) l’installation du miroir de Lloyd pour les expériences d’échantillons d’interférence EUV à haute NA et (à droite) la chambre d’interférence pour les expériences sur wafer complet. Représentations schématiques (non à l'échelle) de (à gauche) l'installation de Lloyd's Mirror pour les expériences d'interférence de coupons EUV à haute NA et (à droite) la chambre d'interférence pour les expériences sur des wafers entiers. (Links) Image SEM en coupe d'un motif L/S de 20 nm sur un résine métallique-oxyde Inpria, exposé dans une configuration d'interférence par miroir de Lloyd à une dose de 64 mJ/cm² et un angle d'interférence de 20°. (Droite) Analyse par transformée de Fourier, où 0,05 = 20 nm d'espacement.

Le résultat marque une étape importante du AttoLab d'imec et de KMLabs

Imec présente une imagerie de résist ligne/espace à pas de 20 nm avec lithographie par interférence EUV à haute NA

Imec, un centre de recherche et d'innovation mondialement reconnu pour la nanoélectronique et les technologies numériques, annonce pour la première fois l'utilisation d'une source de générateur d'harmoniques élevées de 13,5 nm pour l'impression de lignes/espacements avec un pas de 20 nm par lithogra…
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