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Todas las publicaciones de IMEC Belgium

Corriente de fuga de buffer vertical en dirección de paso, medida en 1200V GaN-on-QST® a dos temperaturas diferentes: (izquierda) 25°C y (derecha) 150°C. El buffer de 1200V de Imec muestra una corriente de fuga vertical por debajo de 1µA/mm² a 25°C y por debajo de 10µA/mm² a 150°C hasta 1200V, con una ruptura por encima de 1800V tanto a 25°C como a 150°C, lo que lo hace adecuado para el procesamiento de componentes de 1200V. / Corriente de fuga de buffer frontal vertical medida en 1200V GaN-on-QST® a dos temperaturas diferentes: (izquierda) 25°C y (derecha) 150°C. El buffer de 1200V de Imec muestra una corriente de fuga vertical por debajo de 1µA/mm² a 25°C y por debajo de 10µA/mm² a 150°C hasta 1200V, con una ruptura por encima de 1800V tanto a 25°C como a 150°C, lo que lo hace adecuado para el procesamiento de dispositivos de 1200V.

Este resultado innovador allana el camino para la entrada de GaN en el rango de alta tensión de SiC

Imec y AIXTRON presentan epitaxia de GaN de 200 mm en AIX G5+ C para aplicaciones de 1200 V con una ruptura por encima de 1800 V

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y AIXTRON, el principal proveedor de sistemas de recubrimiento para materiales semiconductores de unión, han presentado el crecimiento epitaxial de capas de amortiguamiento de nitruro de galio…
La sonda Neuropixels 2.0 (abajo) es más pequeña que la primera generación (arriba) y puede monitorear la actividad neuronal durante semanas.

Una nueva generación de sondas de grabación diminutas puede seguir las mismas neuronas en cerebros diminutos de ratones durante semanas, sí, incluso meses.

Las sondas Neuropixels más recientes pueden monitorear neuronas durante varias semanas

Las nuevas herramientas se basan en el éxito de las sondas Neuropixels originales, presentadas en 2017 y que actualmente se utilizan en más de 400 laboratorios. Neuropixels 2.0 son mucho más pequeñas, aproximadamente solo un tercio del tamaño de su predecesor. Fueron desarrolladas para registrar la…
Estructuración de exposición única a 28 nm de paso con el proceso MOx de Inpria en un escáner de campo completo EUV de NA 0,33 después de la metallización de Ru. / Patrocinado de exposición única a 28 nm de paso utilizando el proceso MOx de Inpria en un escáner de campo completo EUV de NA 0,33 después de la metallización de Ru. Paso de línea/espacios de 24 nm, obtenido en un escáner de campo completo NXE:3400B con NA de 0,33, (izquierda) después del desarrollo y (derecha) después del grabado en la dimensión crítica objetivo (CD) (uLER = rugosidad de borde de línea sin sesgo). Agujeros de contacto de 28 nm, obtenidos con un escáner de campo completo NXE:3400 de NA 0,33, después del revelado. / Contact holes of 28 nm obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Correlación demostrada entre datos morfológicos y eléctricos en líneas/espacios de 28 nm, lo que aumenta la comprensión de los efectos de defectos estocásticos en la fiabilidad y el rendimiento de los componentes

Imec lleva la capacidad de patrón de exposición única de 0,33NA EUVL al límite

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y ASML, el fabricante líder mundial de equipos de litografía de semiconductores, presentarán en la Conferencia SPIE Advanced Lithography 2021 varias ponencias que demuestran la capaci…

Colaboración entre Sarcura e imec dirigida al desarrollo de una solución citométrica basada en fotónica de silicio, que permite el control y la manipulación de procesos celulares en tiempo real.

SARCURA e imec trabajan conjuntamente en una solución de citometría de alto rendimiento para la separación automatizada de células (T), con el fin de abordar los desafíos en la fabricación de terapias celulares y génicas

La Sarcura GmbH, una startup tecnológica austriaca en sus primeras etapas, anunció hoy la colaboración con imec, un centro líder mundial en investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales. El objetivo es desarrollar un prototipo de un zytómetro basado en un chip de silicio para…
Representaciones esquemáticas (no a escala) de (izquierda) la configuración de Lloyd's Mirror para experimentos de cupón de interferencia EUV de alta NA y (derecha) cámara de interferencia para experimentos con obleas completas. / Representaciones esquemáticas (no a escala) de (izquierda) la configuración de Lloyd's Mirror para experimentos de cupón de interferencia EUV de alta NA y (derecha) cámara de interferencia para experimentos con obleas completas. Representaciones esquemáticas (no a escala) de (izquierda) la configuración de espejo de Lloyd para experimentos de cupón de interferencia EUV de alta NA y (derecha) cámara de interferencia para experimentos con obleas completas. (Enlaces) Imagen de SEM en sección transversal de un patrón L/S de 20 nm en un resist de óxido metálico Inpria, expuesto en un sistema de interferencia con espejo de Lloyd a una dosis de 64 mJ/cm2 y un ángulo de interferencia de 20°. (Derecha) Análisis de transformada de Fourier, donde 0,05 = 20 nm de separación. / (Izquierda) Imagen de SEM en sección transversal de un patrón L/S de 20 nm en un resist de óxido metálico Inpria, expuesto en un sistema de interferencia con espejo de Lloyd a una dosis de 64 mJ/cm2 y un ángulo de interferencia de 20°. (Derecha) Análisis de transformada de Fourier donde 0,05 = 20 nm de separación.

El resultado marca un hito importante de AttoLab de imec y KMLabs

Imec presenta imagen de resist de línea/espacio con paso de 20 nm mediante litografía de interferencia EUV de alta NA

Imec, un centro de investigación e innovación líder en todo el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, anuncia por primera vez el uso de una fuente de generador de armónicos altos de 13,5 nm para imprimir líneas/distancias con un paso de 20 nm mediante interferencia de litografía de un res…
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