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Tutte le pubblicazioni di IMEC Belgium

Corrente di perdita di buffer verticale in direzione di passaggio, misurata su 1200V GaN-on-QST® a due temperature diverse: (sinistra) 25°C e (destra) 150°C. Il buffer da 1200V di Imec mostra una corrente di perdita verticale inferiore a 1µA/mm² a 25°C e inferiore a 10µA/mm² a 150°C fino a 1200V con una tensione di breakdown superiore a 1800V sia a 25°C che a 150°C, rendendolo adatto alla lavorazione di dispositivi da 1200V.

Questo risultato rivoluzionario apre la strada all'ingresso del GaN nell'ambito delle alte tensioni in SiC

Imec e AIXTRON presentano epitassia GaN da 200 mm su AIX G5+ C per applicazioni da 1200 V con una tensione di breakdown superiore a 1800 V

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e AIXTRON, il principale fornitore di sistemi di deposizione per materiali semiconduttori di potenza, hanno presentato la crescita epitassiale di strati di buffer di nitrur…
La sonda Neuropixels 2.0 (in basso) è più piccola della prima generazione (in alto) e può monitorare l'attività neurale per settimane.

Una nuova generazione di minuscoli sonde di registrazione può tracciare gli stessi neuroni in minuscoli cervelli di topi per settimane - sì, addirittura mesi.

Le più recenti sonde Neuropixels possono monitorare i neuroni per diverse settimane

Gli strumenti innovativi si basano sul successo delle sonde Neuropixels originali, presentate nel 2017 e attualmente impiegate in più di 400 laboratori. Neuropixels 2.0 sono molto più piccole — circa un terzo delle dimensioni del modello precedente. Sono state sviluppate per registrare l'attività el…
Strutturazione a singola esposizione con passo di 28 nm utilizzando il processo MOx di Inpria su uno scanner EUV a campo completo con NA 0,33 dopo metallizzazione Ru. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. Pitch-linee/spazi di 24 nm ottenuti su uno scanner a campo completo NXE:3400B con NA 0,33, (a sinistra) dopo lo sviluppo e (a destra) dopo l'etching sulla dimensione critica obiettivo (CD) (uLER = rugosità del bordo della linea senza bias). Fori di contatto da 28nm, ottenuti con uno scanner a campo completo NXE:3400 con NA 0,33, dopo lo sviluppo.

Correlazione dimostrata tra dati morfologici ed elettrici su linee/spazi a passo di 28 nm aumenta la comprensione degli effetti dei difetti stocastici sulla affidabilità / resa dei componenti

Imec spinge la capacità di patterning a esposizione singola di 0,33NA EUVL ai suoi limiti

Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e ASML, il produttore mondiale di impianti di litografia a semiconduttori, presenteranno alla SPIE Advanced Lithography Conference 2021 diversi interventi…

Collaborazione tra Sarcura e imec mira allo sviluppo di una soluzione citometrica basata sulla fotonica di silicio, che consenta il controllo e la manipolazione dei processi cellulari in tempo reale.

SARCURA e imec collaborano su una soluzione di citometria ad alta produttività per la separazione automatizzata di cellule (T), affrontando le sfide nella produzione di terapie cellulari e geniche

La Sarcura GmbH, una startup tecnologica austriaca in fase iniziale, ha annunciato oggi la collaborazione con imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali. L'obiettivo è lo sviluppo di un prototipo di cytometro basato…
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