Új év, új munka? Nézze meg az ajánlatokat! Több ...
Becker C-Tec Vaisala Buchta
reinraum online
Német Angol Francia Magyar Lengyel Cseh Olasz Spanyol Holland

Összes publikáció: IMEC Belgium

A lézeres összekapcsolás utáni igazítás pontossága 500 nm-en belül van mind az x-, mind az y-tengelyen. / A lézerek utáni összekapcsolási pontosság 500 nm-en belül van mind az x-, mind az y-tengelyen. DFB-laserchipek, egy 300 mm-es szilícium fotonika lapra ragasztva. / DFB lézerdiódák ragasztva egy 300 mm-es szilícium fotonika lapra. DFB-laserchipek egy 300 mm-es szilícium fotonikai szilíciumlapra vannak ragasztva. / DFB lézerchipek egy 300 mm-es szilícium fotonikai szilíciumlapra vannak ragasztva.

Az Imec összefogja erőit a Sivers Photonics-szal és az ASM AMICRA-val, hogy felgyorsítsa az InP lézerek és erősítők szilícium-fotonikában történő hibrid integrációját

Ebben a héten az imec, a nanoelektronika és digitális technológiák világszerte vezető kutatási és innovációs központja, bejelenti együttműködését a Sivers Photonics-szal (korábban CST Global, a Sivers Semiconductors leányvállalata), amely Nagy-Britanniában működő III-V-összekötő félvezető gyártó a f…
Vertikális előremeneti puffertöltés áramlása átfolyási irányban, mérve a 1200V GaN-on-QST®-nál két különböző hőmérsékleten: (balra) 25°C és (jobbra) 150°C. Az Imec 1200V-os puffere vertikális szivárgási áramot mutat 25°C-on 1µA/mm2 alatt, és 150°C-on 10µA/mm2 alatt, egészen 1200V-ig, túláradás nélkül több mint 1800V-nál mind 25°C-on, mind 150°C-on, ami alkalmassá teszi a 1200V-os alkatrészek feldolgozására. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm2 at 25°C and below 10µA/mm2 at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices.

Ez az áttörő eredmény megnyitja az utat a GaN belépéséhez a SiC nagyfeszültségű területére

Imec és az AIXTRON bemutatják a 200 mm-es GaN epitaxiát az AIX G5+ C-en, 1200 V-os alkalmazásokhoz, törésfeszültségnél több mint 1800 V

Az imec, a nanoelektronika és digitális technológiák világszerte vezető kutatási és innovációs központja, valamint az AIXTRON, a kötőfélvezető anyagok bevonási berendezéseinek vezető gyártója, bemutatták a gallium-nitrid (GaN) epitaxiális növekedését, amelyek 1200V-os alkalmazásokhoz vannak kvalifik…
A Neuropixels 2.0 szonda (alsó) kisebb, mint az első generáció (felső), és heteken át képes figyelni az idegi aktivitást.

Egy új generációs apró felvételi műszer képes ugyanazokat a neuronokat nyomon követni apró egéragyakban heteken - sőt akár hónapokon - keresztül.

Legújabb Neuropixels szondák képesek több héten keresztül figyelni a neuronokat

Az új eszközök a 2017-ben bemutatott eredeti Neuropixels tűk sikerén alapulnak, amelyeket több mint 400 laboratóriumban használnak jelenleg. A Neuropixels 2.0 sokkal kisebb – nagyjából csak a harmadnyi méretű, mint elődje. Olyan fejlesztéseken alapulnak, amelyek lehetővé teszik több egyedi neuron el…
28nm-es pitch egyexposíciós struktúrázás az Inpria MOx folyamatával egy 0,33NA EUV teljes mező szkenneren Ru-fémesítés után. / 28nm-es pitch egyexposíciós mintázás az Inpria MOx folyamatával egy 0,33NA EUV teljes mező szkenneren Ru-fémesítés után. 24nm-es léptékű vonalak/távolságok, egy 0,33NA NXE:3400B teljes mező szkenneren mérve, (balra) a fejlesztés után és (jobbra) az etetés után a kritikus céldimenzió (CD) mentén (uLER = elfogulatlan vonalszegély durvaság). 28nm kontaktnyílások, elérve egy 0,33NA NXE:3400 teljes mező szkenneren, a fejlesztés után. / 28nm contact holes obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Bizonyított korreláció a morfológiai és elektromos adatok között 28 nm-es léptékű vonalak/távolságok esetén növeli az ismereteket a stochasztikus hibák hatásairól az alkatrészek megbízhatóságára/hozamára

Imec kihasználja a 0,33NA EUVL egyszeri expozíciós mintázási képességét a határaiig

Ebben a héten az imec, egy világszerte vezető kutatási és innovációs központ a nanóelektronikában és digitális technológiákban, valamint az ASML, a világ vezető félvezető litográfiai berendezéseket gyártó vállalata, több előadást mutat be a SPIE Advanced Lithography Conference 2021-en, amelyek demon…

Az Sarcura és az imec közötti együttműködés célja egy szilícium-fotonikán alapuló citometria megoldás kifejlesztése, amely lehetővé teszi a folyamatok irányítását és a sejtek valós idejű manipulálását.

SARCURA és az imec közösen dolgozik egy magas átviteli sebességű citometria-eljáráson alapuló automatikus (T-)sejt szétválasztási megoldáson, hogy kezelje a sejtes és génterápiák gyártásával kapcsolatos kihívásokat

A Sarcura GmbH, egy kezdő szakaszában lévő osztrák technológiai startup, ma bejelentette együttműködését az imec-kel, amely egy világszerte vezető kutatási és innovációs központ a nanoelektronika és digitális technológiák területén. A cél egy szilíciumchip-alapú prototípus kifejlesztése egy citométe…
Sémaatikus ábrák (nem méretarányosak) (balra) Lloyd tükör elrendezése magas NA EUV interferencia kupon kísérletekhez és (jobbra) interferencia kamra teljes lapkás kísérletekhez. Sématikus ábrák (nem méretarányos) (balra) Lloyd tükör elrendezése magas-NA EUV interferencia kuponkísérletekhez és (jobbra) interferenciamedence teljes lapkás kísérletekhez. / Sématikus ábrák (nem méretarányos) (balra) Lloyd tükör elrendezése magas-NA EUV interferencia kuponkísérletekhez és (jobbra) interferenciamedence teljes lapkás kísérletekhez. (Links) Querschnitts-SEM-Aufnahme eines 20-nm-L/S-Musters auf einem Inpria-Metalloxid-Resist, belichtet in einem Lloyd's-Spiegel-Interferenzaufbau bei einer Dosis von 64mJ/cm2 und einem Interferenzwinkel von 20°. (Rechts) Fourier-Transformationsanalyse, wobei 0,05=20nm Abstand. / (Balra) Átfogó SEM-kép egy 20 nm-es L/S mintáról, amelyet Inpria fém-oxid ellenálláson készítettek Lloyd-féle tükör interferencia beállításban, 64 mJ/cm2 dózissal és 20°-os interferencia szöggel. (Jobbra) Fourier-transzformációs elemzés, ahol 0,05=20 nm-es lépték.

Az eredmény egy fontos mérföldkő az AttoLab, az imec és a KMLabs számára

Imec bemutatja a 20 nm-es Pitch Line/Space Ellenőrző Képalkotás High-NA EUV Interferencia-litográfiával

Az imec, egy világszerte vezető kutatási és innovációs központ a nanoelektronikában és a digitális technológiákban, elsőként jelentette be egy 13,5 nm-es High Harmonic Generator-Forrás alkalmazását vonalak/távolságok nyomtatására 20 nm-es pitch-csel interferencia-litográfiával, egy Inpria-fémoxid-el…
Betekintés a HÍRLEVELEK-be

Jobban tájékozott: ÉVKÖNYV, HÍRLEVÉL, NEWSFLASH, NEWSEXTRA és SZAKÉRTŐI JEGYZÉK

Maradjon naprakész, és iratkozzon fel havi e-mail hírlevelünkre, valamint a NEWSFLASH-ra és a NEWSEXTRA-ra. Emellett nyomtatott ÉVKÖNYVÜNKBŐL is tájékozódhat arról, mi történik a tisztaterek világában. És jegyzékünkből megtudhatja, kik a tisztatér SZAKÉRTŐI.

HJM MT-Messtechnik ClearClean Piepenbrock