Infineon atteint la prochaine étape sur la feuille de route pour le carbure de silicium (SiC) de 200 mm : le début de la livraison des produits aux clients

Un technicien dans la salle blanche d'Infineon Technologies à Villach, en Autriche, tient une plaquette en carbure de silicium de 200 mm. / Un ingénieur technique dans la salle blanche d'Infineon Technologies à Villach, en Autriche, tient une plaquette en carbure de silicium de 200 mm.

Un technicien dans la salle blanche d'Infineon Technologies à Villach, en Autriche, tient une galette en carbure de silicium de 200 mm. / Un ingénieur technique dans la salle blanche d'Infineon Technologies à Villach, en Autriche, tient une galette en carbure de silicium de 200 mm.

— Infineon livre ses premiers produits en carbure de silicium à ses clients, basés sur la technologie avancée de SiC de 200 millimètres
— Les produits fabriqués à Villach, en Autriche, offrent une technologie de puissance SiC de premier ordre pour les applications haute tension
— Avec la production de SiC de 200 mm, Infineon renforce sa position de leader technologique dans l'ensemble du spectre des semi-conducteurs de puissance

Infineon Technologies AG a réalisé des progrès décisifs dans la mise en œuvre de sa stratégie de carbure de silicium (SiC) de 200 mm. L'entreprise commencera déjà au premier trimestre 2025 à livrer ses premiers produits basés sur la technologie avancée de SiC de 200 mm à ses clients. Les produits fabriqués à Villach, en Autriche, offrent une technologie de puissance SiC de première classe pour les applications haute tension, notamment dans les énergies renouvelables, les véhicules électriques, les stations de charge rapide et les trains. La transition du site de production d'Infineon à Kulim, en Malaisie, du wafer de 150 mm vers des wafers plus grands et plus efficaces de 200 mm se déroule comme prévu. Le nouveau module 3 commencera la production à volume élevé conformément aux conditions du marché.

« La mise en œuvre de notre fabrication de SiC progresse comme prévu et nous sommes fiers des premières livraisons aux clients », déclare le Dr Rutger Wijburg, Chief Operations Officer d'Infineon. « En augmentant progressivement la production de SiC à Villach et Kulim, nous améliorons l'efficacité des coûts et garantissons la qualité des produits. En même temps, nous veillons à ce que la capacité de production réponde à la demande de semi-conducteurs de puissance en SiC. »

Les semi-conducteurs de puissance à base de SiC ont révolutionné les applications haute performance. Ils peuvent commuter l'électricité de manière encore plus efficace, présentent une fiabilité et une robustesse élevées dans des conditions extrêmes, et permettent des conceptions plus compactes. Avec les produits SiC d'Infineon, les clients peuvent développer des solutions écoénergétiques pour les véhicules électriques, les stations de charge rapide, les trains, ainsi que pour les systèmes d'énergie renouvelable et les centres de données alimentés par l'IA. La livraison des premiers produits SiC basés sur la technologie de wafers de 200 mm constitue une étape importante dans la feuille de route SiC d'Infineon, visant à offrir aux clients un portefeuille complet de semi-conducteurs haute performance permettant une énergie verte et contribuant à la réduction du CO₂.

En tant que « Fab Virtuelle Infineon One » pour les technologies Wide-Bandgap très innovantes, les sites de production d'Infineon à Villach et Kulim partagent des technologies et processus communs, permettant une montée en puissance rapide ainsi qu'une exploitation fluide et hautement efficace dans la fabrication de SiC et de nitrure de gallium (GaN). La fabrication de SiC de 200 mm constitue une étape supplémentaire dans l'histoire à succès d'Infineon en tant que fournisseur de solutions de semi-conducteurs de pointe pour les systèmes d'alimentation. Elle renforce la position de leader technologique de l'entreprise dans l'ensemble du spectre des semi-conducteurs de puissance, du silicium au carbure de silicium et au nitrure de gallium.