Infineon osiąga kolejny kamień milowy na drodze rozwoju 200-mm krzemu węglowego (SiC): rozpoczęcie dostaw produktów do klientów

Techniker im Reinraum von Infineon Technologies in Villach, Österreich, hält einen 200 mm Siliziumkarbid-Wafer. / Inżynier techniczny w czystym pomieszczeniu w Infineon Technologies w Villach, Austria, trzyma 200 mm wafla węglika krzemu.

Technik w pomieszczeniu czystym w Infineon Technologies w Villach, Austria, trzyma 200 mm wafer z węglika krzemu. / A technical engineer in the cleanroom at Infineon Technologies in Villach, Austria, holds a 200 mm silicon carbide wafer.

– Infineon dostarcza pierwsze produkty z węglika krzemu na rynek, oparte na zaawansowanej technologii SiC o rozmiarze 200 mm
– Produkty wyprodukowane w Villach w Austrii oferują najwyższej klasy technologię mocy SiC do zastosowań wysokiego napięcia
– Dzięki produkcji SiC o rozmiarze 200 mm Infineon umacnia swoją pozycję lidera technologicznego w całym zakresie półprzewodników mocy

Infineon Technologies AG osiągnęła kluczowe postępy we wdrażaniu strategii dotyczącej węglika krzemu (SiC) o rozmiarze 200 mm. Firma już w pierwszym kwartale 2025 roku dostarczy pierwsze produkty oparte na zaawansowanej technologii SiC o rozmiarze 200 mm klientom. Produkty wyprodukowane w Villach w Austrii oferują najwyższej klasy technologię mocy SiC do zastosowań wysokiego napięcia, takich jak odnawialne źródła energii, pojazdy elektryczne, szybkie stacje ładowania i pociągi. Przejście z produkcji na waflach o rozmiarze 150 mm w zakładzie Infineon w Kulim w Malezji na większe i bardziej wydajne wafle 200 mm przebiega zgodnie z planem. Nowo wybudowany moduł 3 rozpocznie produkcję wysokiego wolumenu zgodnie z warunkami rynkowymi.

„Realizacja naszej produkcji SiC postępuje zgodnie z planem i jesteśmy dumni z pierwszych dostaw do klientów,” mówi Dr Rutger Wijburg, dyrektor operacyjny Infineon. „Stopniowe uruchamianie produkcji SiC w Villach i Kulim poprawia efektywność kosztową i nadal zapewnia wysoką jakość produktów. Jednocześnie osiągamy zdolność produkcyjną, która zaspokoi popyt na półprzewodniki mocy SiC.”

Półprzewodniki mocy oparte na SiC zrewolucjonizowały zastosowania wysokiej wydajności. Potrafią jeszcze efektywniej przełączać prąd, cechują się wysoką niezawodnością i odpornością w ekstremalnych warunkach oraz umożliwiają mniejsze konstrukcje. Dzięki produktom SiC od Infineon klienci mogą opracowywać energooszczędne rozwiązania dla pojazdów elektrycznych, szybkich stacji ładowania i pociągów, a także dla odnawialnych systemów energetycznych i centrów danych opartych na sztucznej inteligencji. Dostarczenie pierwszych produktów SiC opartych na technologii wafli 200 mm jest ważnym krokiem na drodze rozwoju SiC firmy Infineon, mającym na celu zaoferowanie klientom pełnego portfolio wysokowydajnych półprzewodników, które umożliwiają korzystanie z zielonej energii i przyczyniają się do redukcji CO₂.

Jako „Infineon One Virtual Fab” dla wysoko innowacyjnych technologii szerokopasmowych, zakłady produkcyjne Infineon w Villach i Kulim korzystają ze wspólnych technologii i procesów, które umożliwiają szybkie uruchomienie produkcji oraz płynne i wysoce wydajne funkcjonowanie w zakresie produkcji SiC i tlenku galu (GaN). Produkcja SiC o rozmiarze 200 mm jest kolejnym elementem w historii sukcesu Infineon jako dostawcy wiodących rozwiązań półprzewodnikowych dla systemów mocy. Wzmacnia to pozycję firmy jako lidera technologicznego w całym zakresie półprzewodników mocy, od krzemu po węglik krzemu i tlenek galu.