Infineon alcanza el próximo hito en la hoja de ruta para carburo de silicio (SiC) de 200 mm: comienza la entrega de productos a los clientes

Un técnico en la sala limpia de Infineon Technologies en Villach, Austria, sostiene una oblea de carburo de silicio de 200 mm.

Un técnico en la sala limpia de Infineon Technologies en Villach, Austria, sostiene una oblea de carburo de silicio de 200 mm.

– Infineon entrega los primeros productos de carburo de silicio basados en la avanzada tecnología de 200 milímetros SiC a clientes
– Los productos fabricados en Villach, Austria, ofrecen tecnología de potencia SiC de primera clase para aplicaciones de alta tensión
– Con la producción de SiC de 200 mm, Infineon refuerza su liderazgo tecnológico en todo el espectro de semiconductores de potencia

Infineon Technologies AG ha logrado avances decisivos en la implementación de su estrategia de carburo de silicio (SiC) de 200 mm. La compañía comenzará a entregar los primeros productos basados en la avanzada tecnología de SiC de 200 mm a clientes ya en el primer trimestre de 2025. Los productos fabricados en Villach, Austria, ofrecen tecnología de potencia SiC de primera clase para aplicaciones de alta tensión, incluyendo energías renovables, vehículos eléctricos, estaciones de carga rápida y trenes. La transición de la planta de producción de Infineon en Kulim, Malasia, de obleas de 150 mm a las más grandes y eficientes de 200 mm también avanza según lo previsto. El nuevo módulo 3 comenzará la producción en volumen en línea con las condiciones del mercado.

“El avance de nuestra fabricación de SiC progresa según lo planeado y estamos orgullosos de las primeras entregas a clientes”, dice el Dr. Rutger Wijburg, Director de Operaciones de Infineon. “Al incrementar gradualmente la producción de SiC en Villach y Kulim, mejoramos la eficiencia de costos y seguimos garantizando la calidad del producto. Al mismo tiempo, logramos que las capacidades de producción satisfagan la demanda de semiconductores de potencia de SiC.”

Los semiconductores de potencia basados en SiC han revolucionado las aplicaciones de alto rendimiento. Pueden conmutar electricidad de manera aún más eficiente, presentan una alta fiabilidad y robustez en condiciones extremas, y permiten diseños más pequeños. Con los productos de SiC de Infineon, los clientes pueden desarrollar soluciones energéticamente eficientes para vehículos eléctricos, estaciones de carga rápida, trenes, así como para sistemas de energías renovables y centros de datos con IA. La entrega de los primeros productos de SiC basados en la tecnología de obleas de 200 mm es un paso importante en la hoja de ruta de SiC de Infineon, con el objetivo de ofrecer a los clientes un portafolio completo de semiconductores de alto rendimiento que faciliten la energía verde y contribuyan a la reducción de CO₂.

Como “Infineon One Virtual Fab” para tecnologías de banda ancha amplia altamente innovadoras, las plantas de producción de Villach y Kulim utilizan tecnologías y procesos comunes que permiten una rápida escalabilidad, así como un funcionamiento fluido y altamente eficiente en la fabricación de SiC y nitruro de galio (GaN). La fabricación de SiC de 200 mm es otro pilar en la historia de éxito de Infineon como proveedor de soluciones de semiconductores líderes en la industria para sistemas de potencia. Fortalece el liderazgo tecnológico de la compañía en todo el espectro de semiconductores de potencia, desde silicio hasta carburo de silicio y nitruro de galio.