Infineon bereikt volgende mijlpaal op de roadmap voor 200-mm-siliciumcarbide (SiC): productlevering aan klanten start

Een technicus in de cleanroom van Infineon Technologies in Villach, Oostenrijk, houdt een 200 mm siliciumcarbide wafer. / Een technisch ingenieur in de cleanroom bij Infineon Technologies in Villach, Oostenrijk, houdt een 200 mm siliciumcarbide wafer.

Een technicus in de cleanroom bij Infineon Technologies in Villach, Oostenrijk, houdt een 200 mm siliciumcarbide wafer.

– Infineon levert eerste siliciumcarbide-producten aan klanten die gebaseerd zijn op de geavanceerde 200 millimeter SiC-technologie
– De in Villach, Oostenrijk, geproduceerde producten bieden eersteklas SiC-vermogenstechnologie voor hoogspanningsapplicaties
– Met de 200-mm-SiC-productie versterkt Infineon zijn technologische leiderschap in het volledige spectrum van vermogenshalfgeleiders

Infineon Technologies AG heeft belangrijke vorderingen geboekt in de uitvoering van haar 200-mm siliciumcarbide (SiC)-strategie. Het bedrijf zal al in het eerste kwartaal van 2025 de eerste producten leveren die gebaseerd zijn op de geavanceerde 200-mm SiC-technologie. De in Villach, Oostenrijk, geproduceerde producten bieden eersteklas SiC-vermogenstechnologie voor hoogspanningsapplicaties, waaronder hernieuwbare energie, elektrische voertuigen, snelladers en treinen. Ook de omschakeling van de Infineon-productielocatie in Kulim, Maleisië, van 150-mm-wafers naar de grotere en efficiëntere 200-mm-wafers verloopt volgens planning. De nieuw gebouwde module 3 zal de grootschalige productie in overeenstemming met de marktvraag opnemen.

„De uitvoering van onze SiC-productie verloopt volgens planning en we zijn trots op de eerste leveringen aan klanten“, zegt Dr. Rutger Wijburg, Chief Operations Officer van Infineon. „Door de geleidelijke opschaling van de SiC-productie in Villach en Kulim verbeteren we de kostenefficiëntie en blijven we de productkwaliteit waarborgen. Tegelijkertijd zorgen we ervoor dat de productiecapaciteit voldoet aan de vraag naar SiC-vermogenhalfgeleiders.“

SiC-gebaseerde vermogenhalfgeleiders hebben high-performance toepassingen revolutionair veranderd. Ze kunnen stroom nog efficiënter schakelen, vertonen een hoge betrouwbaarheid en robuustheid onder extreme omstandigheden en maken kleinere ontwerpen mogelijk. Met de SiC-producten van Infineon kunnen klanten energie-efficiënte oplossingen ontwikkelen voor elektrische voertuigen, snelladers, treinen, evenals voor hernieuwbare energiesystemen en AI-datacenters. De levering van de eerste SiC-producten op basis van de 200-mm-wafertechnologie is een belangrijke stap op de SiC-roadmap van Infineon, met als doel klanten een uitgebreid portfolio van high-performance halfgeleiders te bieden die groene energie mogelijk maken en bijdragen aan CO₂-reductie.

Als „Infineon One Virtual Fab“ voor hooginnovatieve Wide-Bandgap-technologieën maken de productielocaties van Infineon in Villach en Kulim gebruik van gedeelde technologieën en processen, die een snelle opschaling en een soepele en efficiënte werking in de SiC- en Gallium Nitride (GaN)-productie mogelijk maken. De 200-mm SiC-productie is een verdere bouwsteen in de succesverhaal van Infineon als leverancier van toonaangevende halfgeleideroplossingen voor vermogenselektronica. Het versterkt het technologische leiderschap van het bedrijf in het volledige spectrum van vermogenshalfgeleiders, van silicium tot siliciumcarbide en galliumnitride.