Infineon raggiunge il prossimo traguardo sulla roadmap per il carburo di silicio (SiC) da 200 mm: inizio delle consegne ai clienti

Un tecnico nel cleanroom di Infineon Technologies a Villach, Austria, tiene un wafer di carburo di silicio da 200 mm.

Un tecnico nel cleanroom di Infineon Technologies a Villach, Austria, tiene un wafer di carburo di silicio da 200 mm.

– Infineon consegna i primi prodotti in carburo di silicio ai clienti, basati sulla tecnologia avanzata SiC da 200 millimetri
– I prodotti realizzati a Villach, in Austria, offrono tecnologia di potenza SiC di prima classe per applicazioni ad alta tensione
– Con la produzione di SiC da 200 mm, Infineon rafforza la sua leadership tecnologica in tutto lo spettro dei semiconduttori di potenza

Infineon Technologies AG ha compiuto progressi decisivi nell'implementazione della strategia di carburo di silicio (SiC) da 200 mm. L'azienda consegnerà già nel primo trimestre del 2025 i primi prodotti basati sulla tecnologia avanzata SiC da 200 mm ai clienti. I prodotti realizzati a Villach, in Austria, offrono tecnologia di potenza SiC di prima classe per applicazioni ad alta tensione, tra cui energie rinnovabili, veicoli elettrici, stazioni di ricarica rapida e treni. Anche la transizione dello stabilimento di produzione di Infineon a Kulim, in Malesia, da wafer da 150 mm a wafer più grandi ed efficienti da 200 mm procede secondo i piani. Il nuovo modulo 3 avvierà la produzione ad alto volume in linea con le condizioni di mercato.

“L'implementazione della nostra produzione di SiC procede come previsto e siamo orgogliosi delle prime consegne ai clienti”, afferma il dottor Rutger Wijburg, Chief Operations Officer di Infineon. “Attraverso l'aumento graduale della produzione di SiC a Villach e Kulim miglioriamo l'efficienza dei costi e garantiamo la qualità del prodotto. Contemporaneamente, raggiungiamo la capacità produttiva necessaria a soddisfare la domanda di semiconduttori di potenza SiC.”

I semiconduttori di potenza a base di SiC hanno rivoluzionato le applicazioni ad alte prestazioni. Possono commutare l'energia in modo ancora più efficiente, presentano alta affidabilità e robustezza in condizioni estreme e consentono design più compatti. Con i prodotti SiC di Infineon, i clienti possono sviluppare soluzioni energetiche efficienti per veicoli elettrici, stazioni di ricarica rapida, treni, nonché sistemi di energia rinnovabile e data center AI. La consegna dei primi prodotti SiC basati sulla tecnologia di wafer da 200 mm rappresenta un passo importante sulla roadmap SiC di Infineon, con l'obiettivo di offrire ai clienti un portafoglio completo di semiconduttori ad alte prestazioni che favoriscano l'energia verde e contribuiscano alla riduzione delle emissioni di CO₂.

Come “Infineon One Virtual Fab” per tecnologie Wide-Bandgap altamente innovative, gli stabilimenti di produzione di Villach e Kulim condividono tecnologie e processi che consentono una rapida ramp-up, nonché un funzionamento fluido ed efficiente nella produzione di SiC e nitruro di gallio (GaN). La produzione di SiC da 200 mm rappresenta un ulteriore elemento della storia di successo di Infineon come fornitore di soluzioni leader nel settore dei semiconduttori per sistemi di potenza. Rafforza la leadership tecnologica dell'azienda in tutto lo spettro dei semiconduttori di potenza, dal silicio al carburo di silicio e al nitruro di gallio.