Développement du site de semi-conducteurs d'Itzehoe

L'Institut Fraunhofer pour la technologie du silicium ISIT est l'une des institutions de recherche les plus modernes et leaders dans le monde dans le domaine de la microsystémique et de la microélectronique. Avec le soutien financier du gouvernement régional, le Fraunhofer ISIT est en cours d'agrandissement et de modernisation massifs. Le Premier ministre Peter Harry Carstensen a remis aujourd'hui (15 juin), en présence de nombreux représentants du monde scientifique, économique et politique, la décision finale de financement du gouvernement régional d'un montant de 27,45 millions d'euros pour la construction d'un bâtiment supplémentaire sur le site de l'ISIT, comprenant des salles blanches, des laboratoires et des bureaux. Cette infrastructure moderne sera utilisée conjointement avec des partenaires industriels pour développer des processus avancés et des composants de microsystèmes.

Avec cette construction, les goulots d'étranglement existants seront éliminés et de nouvelles possibilités de coopération industrielle seront créées. Le montant total de l'investissement prévu s'élève à 36,6 millions d'euros, dont 9,15 millions d'euros investis par la société Fraunhofer dans ce projet.

Les plans d'expansion sont en cours depuis 2009. En 2010, la gestion des bâtiments du Schleswig-Holstein (GMSH) a examiné et approuvé le plan de construction. La ville d'Itzehoe a également rapidement délivré les permis de construire nécessaires. Les travaux préparatoires pour l'installation du chantier ont commencé et les appels d'offres pour les travaux de construction sont désormais publiés en continu. La finalisation du complexe est prévue pour 2012.

Le cœur du nouveau bâtiment de 4 étages est la zone de salle blanche et les laboratoires qui pourront ultérieurement être réutilisés en tant que salles blanches au deuxième étage. Autour de cet étage s'organisent les niveaux supplémentaires nécessaires. Les deux étages au-dessus de la salle blanche servent à la préparation de l'air : au niveau 4, la centrale de traitement d'air, tous les appareils de ventilation seront installés. Au niveau 3, l'air sera soufflé à travers des filtres fins puis dirigé vers la salle blanche. Le niveau 1 situé sous la salle blanche sert à la distribution des médias nécessaires aux équipements de traitement et à la récupération de l'air via des systèmes spéciaux dans la zone de façade. Le sous-sol au niveau 0 contient toutes les installations techniques nécessaires à l'alimentation et à la gestion des déchets de la salle blanche, telles que la centrale électrique ou le stockage de produits chimiques. Au total, le nouveau bâtiment comprendra 1000 m² de salles blanches, 500 m² de laboratoires ainsi que des bureaux pour 44 employés. Le bâtiment sera relié au bâtiment existant par un pont.

Avec le nouveau bâtiment de laboratoires et de salles blanches, l'installation extérieure existante sur le site de l'ISIT sera transformée en une cour attrayante, complétée par un étang d'incendie. Les architectes et planificateurs ont imaginé une façade particulière. Elle est conçue selon un réseau uniforme rappelant les structures d'une wafer en silicium. Les grands éléments de façade uniformes sont équipés d'une sous-structure sous forme d'éléments de façade perforés. La nouvelle structure se présentera comme un signe distinctif du site de l'ISIT, face à l'entrée du terrain.

La demande croissante pour les services de R&D, notamment dans les domaines de la mobilité électrique et de la gestion efficace de l'énergie électrique, a conduit à une saturation à l'ISIT dans la microsystémique, l'électronique de puissance et la technologie de stockage d'énergie au fil des années, rendant une extension urgente. La disposition des appareils dans la salle blanche a été constamment densifiée, des couloirs ont été transformés en laboratoires, des laboratoires provisoires et des zones de salle blanche ont été installés dans le sous-sol de l'ancien bâtiment, des bureaux au rez-de-chaussée ont été convertis en laboratoires, et des espaces de stockage externes pour le stockage intermédiaire d'équipements et de pièces de rechange ont été loués. De nombreux employés ont dû déménager dans des conteneurs de bureau.

Avec cet investissement, l'histoire à succès de l'ISIT sera poursuivie, ce dont bénéficie également la Schleswig-Holstein. En près de vingt ans d'existence à Itzehoe, l'institut a constitué une clientèle stable de plus de 350 entreprises, dont environ 50 en Schleswig-Holstein. 500 emplois ont été créés sur place et plus de 200 millions d'euros d'investissements industriels en aval ont été réalisés à ce jour.

La nouvelle extension de l'ISIT, qui commence maintenant, est étroitement liée à la modernisation également entamée en 2009 de l'ensemble de la technologie, qui est désormais presque entièrement achevée. Cela a notamment permis l'installation de nouvelles installations de fabrication permettant de traiter de grands wafers en silicium de 200 mm de diamètre, au lieu des wafers de 150 mm utilisés jusqu'ici. Avec cette plateforme technologique, l'ISIT dispose d'une des installations de R&D parmi les plus modernes au niveau international et est ainsi parfaitement préparé pour une collaboration continue et fructueuse avec des entreprises et institutions dans le domaine des microsystèmes et nanotechnologies.

Professor Wolfgang Benecke, directeur de l'ISIT, souligne l'importance de cette nouvelle étape : "Les nouvelles possibilités technologiques conduiront à d'autres projets bilatéraux avec l'industrie et à des projets financés publiquement. L'ISIT a de bonnes chances de poursuivre sa croissance en emploi à Itzehoe, au-delà de l'extension de l'ISIT."

Image : Vue modélisée du nouveau bâtiment prévu pour les laboratoires, bureaux et salles blanches de l'Institut Fraunhofer ISIT. L'inspiration pour la conception de la façade provient des structures d'une wafer en silicium.