Cérémonie de la première pierre pour le Centre pour la CMOS avancée et l'hétérointégration en Saxe

Visualisation pour la nouvelle construction dans le nord de Dresde. © heinlewischer Architekten Dresden

Salle blanche du Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. © Fraunhofer IPMS

Dr. Manuela Junghähnel, directrice du Fraunhofer IZM-ASSID, Dr. Wenke Weinreich, directrice du département Center Nanoelectronic Technologies, le ministre-président Michael Kretschmer et le Prof. Harald Schenk, directeur de l'institut Fraunhofer IPMS, enfoncent symboliquement les derniers clous.  © Fraunhofer IPMS

La proclamation a été effectuée par la société Karl Köhler. © Fraunhofer IPMS

Premier ministre Michael Kretschmer a prononcé un discours de bienvenue. © Fraunhofer IPMS

Le Centre for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony (en abrégé : CEASAX) célèbre la pose de la première pierre de son nouveau bâtiment administratif. CEASAX est un phare de la recherche en semi-conducteurs et repose sur la mise en commun des compétences du Fraunhofer IPMS et du Fraunhofer IZM-ASSID. Les instituts offrent ici toute la chaîne de valeur dans la microélectronique 300 mm, créant ainsi les conditions nécessaires à la recherche de haute technologie pour les technologies d'avenir dans le Land de Saxe.

La cérémonie a débuté par une chaleureuse salutation des directeurs des instituts Fraunhofer IPMS, Prof. Dr. Harald Schenk et Prof. Dr. Hubert Lakner. La responsable du site du Fraunhofer IZM-ASSID, Dr. Manuela Junghähnel, était également présente et voit dans le renforcement de la compétence commune des deux Fraunhofer dans le bâtiment partagé une grande opportunité pour le développement des technologies de wafers 300 mm. Lakner souligne l'importance de cette extension pour le site technologique de Saxe : « Au CEASAX, se regroupent les forces des deux seuls centres de recherche allemands pour la microélectronique appliquée, qui travaillent sur la base de la norme industrielle des wafers de 300 mm. Dans le cadre du European Chips Act, ces forces sont plus importantes que jamais. La nouvelle construction nous offre, au sens propre comme au sens figuré, de l'espace pour une recherche exceptionnelle en microélectronique. »

Le ministre-président Michael Kretschmer a souligné : « La société Fraunhofer est une composante importante du paysage de la recherche en Saxe. Le centre Nanoelectronic Technologies incarne également la créativité, les nouvelles idées et la collaboration. Il est positif qu’un espace commun de recherche soit créé ici pour les deux instituts IPMS et IZM-ASSID, qui possèdent une compétence unique dans le domaine des wafers 300 mm selon la norme industrielle nationale. Le travail accompli ici aidera à lancer et à faire progresser avec succès de nombreux autres projets dans notre Silicon Saxony. Ainsi, nous renforçons durablement la recherche en Saxe, mais aussi notre économie dans son ensemble. C’est précisément pour ces raisons que le Land soutient ce projet important. »

Le ministre de la Science Sebastian Gemkow a ajouté : « La nouvelle construction en cours et le soutien à des sujets de recherche innovants comme la microélectronique par le Land de Saxe agissent en étroite collaboration pour faire avancer le développement dans la région. Développer l’excellence scientifique tout en ayant à cœur le transfert des résultats vers la pratique est une priorité centrale pour nous. Cela nécessite de l’espace et de la communication. La nouvelle construction ici, sur le site, répondra à ces deux besoins. »

Après les discours, s’est déroulé le traditionnel discours de pose de la première pierre, lors duquel symboliquement, le progrès de la construction a été célébré.

À propos du Centre for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony

Avec le Fraunhofer IZM-ASSID et le Fraunhofer IPMS, domaine Center Nanoelectronic Technologies CNT, deux établissements de recherche uniques à l’échelle nationale dans le domaine de la microélectronique sont implantés en Saxe. Ce sont aujourd’hui les deux seuls centres de recherche allemands pour la recherche appliquée en microélectronique, qui utilisent des équipements standards industriels pour wafers de 300 mm.

Grâce à la mise en commun des compétences et à la création du Centre for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony, d’excellentes perspectives s’ouvrent pour attirer et fidéliser des entreprises de semi-conducteurs, des utilisateurs de systèmes ainsi que des fabricants de matériaux et d’équipements dans le monde entier. Pour répondre aux commandes industrielles et de recherche, en plus d’un personnel exceptionnel et d’un savoir-faire, il est crucial de disposer d’un parc d’équipements et de machines modernes.

Pour le développement futur des compétences nécessaires en microélectronique et en microsystèmes, les offres R&D du Fraunhofer IZM-ASSID et du Fraunhofer IPMS seront conçues et développées de manière à ce que les compétences en processus de 300 mm profitent au mieux à l’industrie locale et nationale, des PME aux grandes entreprises (par exemple, GlobalFoundries, Infineon, Bosch). La plateforme d’intégration sera également utilisée dans des projets spécifiques dans le cadre du centre de performance « Fonctionnalité pour la micro-/nanoélectronique » et dans la Microelectronics Research Factory Germany (FMD).