Ceremonia de colocación de la primera piedra para el Centro de CMOS Avanzados e Heterointegración de Sajonia

Visualización para la nueva construcción en el norte de Dresde. © heinlewischer Architekten Dresden

Sala limpia del Centro de CMOS Avanzado e Heterointegración de Sajonia. © Fraunhofer IPMS

La Dra. Manuela Junghähnnel, directora del Fraunhofer IZM-ASSID, la Dra. Wenke Weinreich, directora del área de Tecnologías Nanoelectrónicas, el Ministro Presidente Michael Kretschmer y el Prof. Harald Schenk, director del instituto Fraunhofer IPMS, clavan simbólicamente los últimos clavos. © Fraunhofer IPMS

La declaración de la sentencia fue realizada por la empresa Karl Köhler. © Fraunhofer IPMS

Ministro Presidente Michael Kretschmer pronunció un discurso. © Fraunhofer IPMS

El Centro para la CMOS Avanzada y la Heterointegración de Sajonia (en breve: CEASAX) celebra la ceremonia de la estructura de su nuevo edificio de oficinas. CEASAX es un faro de la investigación en semiconductores y se basa en la unión de las competencias del Fraunhofer IPMS y del Fraunhofer IZM-ASSID. Los institutos ofrecen aquí toda la cadena de valor en microelectrónica de 300 mm y, por tanto, la condición previa para la investigación de alta tecnología para tecnologías futuras en el estado de Sajonia.

El evento comenzó con una cálida bienvenida por parte de los directores de los institutos del Fraunhofer IPMS, Prof. Dr. Harald Schenk y Prof. Dr. Hubert Lakner. También estuvo presente la directora del sitio del Fraunhofer IZM-ASSID, Dra. Manuela Junghähnel, quien ve en el fortalecimiento de la competencia conjunta del Fraunhofer en el edificio compartido una gran oportunidad para el desarrollo de las tecnologías de obleas de 300 mm. Lakner destaca la importancia de la expansión para la ubicación tecnológica de Sajonia: «En CEASAX se reúnen las fortalezas de los dos únicos centros de investigación alemanes en microelectrónica aplicada, que investigan en base al estándar industrial de obleas de 300 mm. Dentro del marco del European Chips Acts, estas fortalezas son más importantes que nunca. La nueva construcción nos permite, en el sentido literal y figurado, espacio para una investigación sobresaliente en microelectrónica.»

El presidente del gobierno, Michael Kretschmer, enfatizó: «La Sociedad Fraunhofer es una parte importante del panorama de investigación sajón. Especialmente, el Centro de Tecnologías Nanoelectrónicas representa creatividad, nuevas ideas y colaboración. Es bueno que aquí surja un espacio común para las investigaciones de los dos institutos, IPMS y IZM-ASSID, que poseen una competencia única en el ámbito de las obleas de 300 mm en estándar industrial a nivel nacional. El trabajo realizado aquí ayudará a iniciar y avanzar con éxito muchos otros proyectos en Silicon Saxony. Así, fortalecemos de manera duradera la investigación en Sajonia, así como nuestra economía en general. Por estas razones, el Estado libre apoya este importante proyecto.»

El ministro de Ciencia, Sebastian Gemkow, añadió: «Esta nueva construcción y el apoyo a temas de investigación innovadores, como la microelectrónica, por parte del Estado libre de Sajonia trabajan en estrecha colaboración para impulsar el desarrollo en la región. Desarrollar la excelencia científica y, al mismo tiempo, mantener firmemente el traslado de resultados a la práctica, es una de nuestras prioridades principales. Para ello, se necesita espacio y comunicación. La nueva construcción aquí en el sitio proporcionará ambos.»

Tras los discursos, siguió la tradicional bendición, en la que simbólicamente se celebró el avance exitoso de la construcción.

Sobre el Centro para la CMOS Avanzada y la Heterointegración de Sajonia

Con el Fraunhofer IZM-ASSID y el Fraunhofer IPMS, área Centro de Tecnologías Nanoelectrónicas CNT, están ubicados en Sajonia dos instituciones de investigación únicas a nivel nacional en el campo de la microelectrónica. Hoy en día, son los dos únicos centros de investigación alemanes en microelectrónica aplicada que investigan en base a equipos estándar industrial de obleas de 300 mm.

Con la unión de competencias y la fundación del Centro para la CMOS Avanzada y la Heterointegración de Sajonia, surgen perspectivas excelentes para atraer y vincular a nivel mundial a empresas de semiconductores, usuarios de sistemas, así como a fabricantes de materiales y equipos en Silicon Saxony. Para encargos industriales y de investigación, además de personal y conocimientos excelentes, es decisivo contar con un equipamiento con una moderna gama de dispositivos y plantas.

Para el desarrollo futuro de las competencias necesarias en microelectrónica y microsistemas, las ofertas de I+D del Fraunhofer IZM-ASSID y del Fraunhofer IPMS en cuanto a competencias de proceso de 300 mm se diseñan y expanden de modo que la industria local y nacional, desde pymes hasta grandes empresas (por ejemplo, GlobalFoundries, Infineon, Bosch), puedan beneficiarse de las tecnologías más modernas en la mejor medida posible. La plataforma de integración también se utilizará en proyectos específicos de clientes en el marco del centro de excelencia «Integración funcional para la micro y nanoelectrónica» y en la fábrica de investigación en microelectrónica de Alemania (FMD).