Cerimonia di posa della prima pietra per il Center for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony

Visualizzazione per la nuova costruzione nel nord di Dresda. © heinlewischer Architekten Dresda

Camera anecoico del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. © Fraunhofer IPMS

Dr. Manuela Junghähnnel, Direttrice del Fraunhofer IZM-ASSID, Dr. Wenke Weinreich, Direttrice del settore Center Nanoelectronic Technologies, il Presidente del Consiglio Michael Kretschmer e il Prof. Harald Schenk, Direttore dell'istituto Fraunhofer IPMS, battono simbolicamente gli ultimi chiodi. © Fraunhofer IPMS

L'atto di posa è stato eseguito dalla ditta Karl Köhler. © Fraunhofer IPMS

Presidente del Consiglio Michael Kretschmer ha pronunciato un discorso. © Fraunhofer IPMS

Il Center for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony (in breve: CEASAX) celebra il Topping-Out del suo nuovo edificio uffici. CEASAX è un faro della ricerca sui semiconduttori e si basa sulla concentrazione delle competenze del Fraunhofer IPMS e del Fraunhofer IZM-ASSID. Gli istituti offrono qui l'intera catena del valore nella microelettronica a 300 mm e quindi le premesse per la ricerca high-tech per le tecnologie future nel Land Sachsen.

La manifestazione è iniziata con un caloroso benvenuto da parte dei direttori degli istituti Fraunhofer IPMS, Prof. Dr. Harald Schenk e Prof. Dr. Hubert Lakner. Era presente anche la responsabile della sede del Fraunhofer IZM-ASSID, Dr. Manuela Junghähnel, che vede nella valorizzazione delle competenze congiunte dei due istituti nel edificio condiviso una grande opportunità per lo sviluppo delle tecnologie di wafer a 300 mm. Lakner sottolinea l'importanza dell'espansione per il polo tecnologico della Sassonia: »Nel CEASAX si uniscono i punti di forza dei due unici centri di ricerca tedeschi per la microelettronica applicata, che operano sulla base dello standard industriale dei wafer a 300 mm. Nell'ambito del European Chips Acts, queste competenze sono più importanti che mai. La nuova costruzione ci permette, nel vero e nel figurato, di avere spazio per la ricerca eccezionale nel campo della microelettronica.«

Il presidente del governo Michael Kretschmer ha sottolineato: »La Gesellschaft Fraunhofer è una componente importante del panorama della ricerca sassone. Proprio il Center Nanoelectronic Technologies rappresenta creatività, nuove idee e collaborazione. È positivo che qui si crei uno spazio condiviso per le ricerche dei due istituti IPMS e IZM-ASSID, che possiedono una competenza unica nel panorama della ricerca nazionale nel settore dei wafer a 300 mm secondo lo standard industriale. Il lavoro svolto qui aiuterà a lanciare e portare avanti con successo molti altri progetti nel nostro Silicon Saxony. In questo modo rafforziamo in modo duraturo la ricerca della Sassonia, ma anche la nostra economia nel suo complesso. Per queste ragioni, lo Stato libero sostiene questo importante progetto.«

Il ministro della Scienza Sebastian Gemkow ha aggiunto: »Questo nuovo edificio in fase di realizzazione e il supporto a temi di ricerca innovativi come la microelettronica da parte dello Stato libero della Sassonia lavorano strettamente insieme per promuovere lo sviluppo della regione. Sviluppare l'eccellenza scientifica e allo stesso tempo mantenere ben presente il trasferimento dei risultati nella pratica è una nostra priorità centrale. Per farlo, sono necessari spazio e comunicazione. Entrambi saranno garantiti dal nuovo edificio qui nella sede.«

Dopo gli interventi, si è svolta la tradizionale benedizione del tetto, durante la quale simbolicamente si festeggiava il progresso della costruzione.

Informazioni sul Center for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony

Con il Fraunhofer IZM-ASSID e il Fraunhofer IPMS, settore Center Nanoelectronic Technologies CNT, sono presenti in Sassonia due istituzioni di ricerca uniche a livello nazionale nel campo della microelettronica. Sono oggi i due unici centri di ricerca tedeschi per la microelettronica applicata che operano con attrezzature secondo lo standard industriale dei wafer a 300 mm.

Con la concentrazione delle competenze e la fondazione del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony, si creano prospettive eccellenti per attrarre e fidelizzare aziende di semiconduttori, utilizzatori di sistemi, nonché produttori di materiali e impianti in tutto il mondo. Per ordini industriali e di ricerca, oltre a personale e know-how di alto livello, è fondamentale un equipaggiamento con un parco di strumenti e impianti moderni.

Per lo sviluppo futuro delle competenze necessarie nella microelettronica e nella tecnologia dei microsistemi, le offerte R&D del Fraunhofer IZM-ASSID e del Fraunhofer IPMS relative alle competenze di processo a 300 mm sono progettate e sviluppate in modo che l'industria locale e nazionale, dalle PMI alle grandi aziende (ad esempio GlobalFoundries, Infineon, Bosch), possa beneficiare al massimo delle tecnologie più avanzate. La piattaforma di integrazione sarà inoltre utilizzata anche in progetti su misura nell'ambito del centro di eccellenza »Integrazione funzionale per la micro-/Nanoelettronica« e nella fabbrica di ricerca sulla microelettronica in Germania (FMD).