Uroczyste zakończenie budowy Centrum Zaawansowanych Technologii CMOS i Heterointegracji Saksonia

Wizualizacja nowego budynku na północy Drezna. © heinlewischer Architekten Dresden

Klasa czysta Centrum Zaawansowanego CMOS i Heterointegracji Saksonia. © Fraunhofer IPMS

Dr Manuela Junghähnel, kierownik Fraunhofer IZM-ASSID, Dr Wenke Weinreich, kierownik Centrum Technologii Nanoelektronicznych, premier Michael Kretschmer oraz prof. Harald Schenk, dyrektor instytutu Fraunhofer IPMS, symbolicznie wbija ostatnie gwoździe. © Fraunhofer IPMS

Ode do kamienia węgielnego została dokonana przez firmę Karl Köhler. © Fraunhofer IPMS

Premier Michael Kretschmer wygłosił przemówienie powitalne. © Fraunhofer IPMS

Centrum zaawansowanej technologii CMOS i heterointegracji Saksonii (w skrócie: CEASAX) świętuje wmurowanie kamienia węgielnego swojego nowego budynku biurowego. CEASAX jest latarnią w dziedzinie badań nad półprzewodnikami i opiera się na połączeniu kompetencji Fraunhofer IPMS i Fraunhofer IZM-ASSID. Instytuty te oferują tutaj pełen łańcuch wartości w mikroelektronice 300 mm, a tym samym stanowią podstawę do badań wysokotechnologicznych dla technologii przyszłości w kraju Saksonia.

Wydarzenie rozpoczęło się serdecznym powitaniem przez dyrektorów instytutów Fraunhofer IPMS, prof. dr. Harald Schenk i prof. dr. Hubert Lakner. Na miejscu była również kierownik lokalizacji Fraunhofer IZM-ASSID, dr Manuela Junghähnel, która widzi w wzmocnieniu wspólnej kompetencji Fraunhofer w wspólnie użytkowanym budynku dużą szansę na dalszy rozwój technologii wafli 300 mm. Lakner podkreśla znaczenie rozbudowy dla lokalizacji technologicznej Saksonii: „W CEASAX łączą się siły dwóch jedynych niemieckich centrów badawczych zajmujących się mikroelektroniką stosowaną, które badają na podstawie przemysłowego standardu wafli 300 mm. W ramach Europejskiego Aktu Chipów te siły są ważniejsze niż kiedykolwiek. Nowy budynek umożliwia nam w dosłownym i przenośnym znaczeniu miejsce na wybitne badania mikroelektroniczne.”

Premier Saksonii, Michael Kretschmer, podkreślił: „Społeczność Fraunhofer jest ważnym elementem krajobrazu badawczego Saksonii. Szczególnie Centrum Nanotechnologii Elektronicznych reprezentuje kreatywność, nowe pomysły i współpracę. Dobrze, że powstaje tutaj wspólna przestrzeń dla badań obu instytutów IPMS i IZM-ASSID, które mają unikalne kompetencje w zakresie wafli 300 mm w standardzie przemysłowym na poziomie krajowym. Praca tutaj wykonana pomoże nam rozpocząć i skutecznie rozwijać wiele kolejnych projektów w Silicon Saxony. W ten sposób na stałe wzmacniamy badania w Saksonii, ale także naszą gospodarkę jako całość. To właśnie z tych powodów Wolne Państwo wspiera ten ważny projekt.”

Minister nauki Sebastian Gemkow dodał: „Ten powstający nowy budynek i wsparcie dla przyszłościowych tematów badawczych, takich jak mikroelektronika, przez Wolne Państwo Saksonię, ściśle ze sobą współgrają, gdy chodzi o rozwój regionu. Rozwijanie naukowej doskonałości i jednoczesne skupienie na transferze wyników do praktyki jest naszym głównym celem. Do tego potrzebna jest przestrzeń i komunikacja. Oba te elementy zapewni nowy budynek tutaj, na miejscu.”

Po przemówieniach nastąpiła tradycyjna przysięga, podczas której symbolicznie świętowano postęp budowy.

O Centrum zaawansowanej technologii CMOS i heterointegracji Saksonii

W składzie znajdują się dwie unikalne w kraju instytucje badawcze w dziedzinie mikroelektroniki w Saksonii: Fraunhofer IZM-ASSID i Fraunhofer IPMS, działający w ramach Centrum Nanotechnologii Elektronicznych CNT. Są to dziś jedyne niemieckie centra badawcze zajmujące się mikroelektroniką stosowaną, które korzystają z przemysłowego standardu wafli 300 mm.

Połączenie kompetencji i utworzenie Centrum zaawansowanej technologii CMOS i heterointegracji Saksonii tworzy znakomite perspektywy przyciągnięcia i związania z Silicon Saxony firm półprzewodnikowych, systemowych użytkowników oraz producentów materiałów i urządzeń na całym świecie. Dla przemysłu i badań kluczowe jest nie tylko wybitne personel i wiedza, ale także wyposażenie w nowoczesny park maszynowy i urządzenia.

W zakresie przyszłego rozwoju niezbędnych kompetencji w mikroelektronice i mikrosystemach, oferta R&D Fraunhofer IZM-ASSID i Fraunhofer IPMS w zakresie kompetencji procesów 300 mm jest tak projektowana i rozwijana, aby lokalny i krajowy przemysł, od MŚP po duże przedsiębiorstwa (np. GlobalFoundries, Infineon, Bosch), mógł korzystać z najnowocześniejszych technologii w jak najlepszym stopniu. Platforma integracyjna będzie również wykorzystywana w projektach dostosowanych do potrzeb klientów w ramach Centrum Doskonałości „Integracja funkcji dla mikro-/nanoelektroniki” oraz w Fabryce Badawczej Mikroelektroniki Niemiec (FMD).