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Todas las publicaciones de IMEC Belgium

Una oblea de silicio de 300 mm que contiene miles de dispositivos de GaAs con un primer plano de múltiples chips y una micrografía de barrido electrónico de una matriz de nano-ribetes de GaAs después de la epitaxia. Una oblea de silicio de 300 mm que contiene miles de dispositivos de GaAs con un primer plano de múltiples chips y una micrografía de barrido electrónico de una matriz de nano-cumbres de GaAs después de la epitaxia.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Imec registra un éxito rotundo en la fotónica de silicio y allana el camino para componentes ópticos económicos y de alto rendimiento.

Primera fabricación completa de láseres de nano-ribera basados en GaAs con bombeo eléctrico en obleas de silicio de 300 mm a escala de oblea

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, ha alcanzado un hito importante en la fotónica de silicio con la demostración exitosa de diodos láser de nanoridge multicapa basados en GaAs, alimentados eléctricamente, fabricados completamen…
Figura 1 – Representación conceptual de (a) un CFET de una sola fila y (b) un CFET de doble fila. La disposición de un flip-flop (flip-flop tipo D o DFF) muestra una reducción de la altura y el área de la celda en 24 nm (o 12,5%) al pasar de un CFET de una sola fila a uno de doble fila (H. Kuekner et al., IEDM 2024). Figura 2 – Flujo de proceso virtual para la construcción de una arquitectura CFET de doble fila. El flujo de proceso, simulado con 3D Coventor, partió de las especificaciones de una fábrica CFET
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

La nueva arquitectura de celda estándar ofrece el compromiso óptimo entre el uso del área y la complejidad del proceso para lógica y SRAM

Imec apuesta por la tecnología CFET de doble fila para el nodo tecnológico A7

Imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 una nueva arquitectura de celdas estándar basada en CFET, que consiste en dos filas de CFETs con una línea común intermedia p…
Si qubits de espín, fabricados con los procesos de integración de vanguardia de 300 mm. / Si spin qubits manufactured with state-of-the-art 300mm integration flows.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Los resultados demuestran la madurez de los procesos de qubit en obleas de 300 mm, que permiten la fabricación de computadoras cuánticas a gran escala.

Imec logra el menor ruido de carga para puntos cuánticos de Si-MOS, fabricados en una plataforma CMOS de 300 mm

Imec, un centro mundial de investigación e innovación líder en nanoelectrónica y tecnologías digitales, anunció hoy la exitosa demostración de un procesamiento de qubits de espín en puntos cuánticos basados en silicio de alta calidad de 300 mm, con componentes que conducen a un nivel de ruido de car…
Figura 1 - Imagen SEM de sección transversal de un dispositivo de prueba híbrido soldado de chip a oblea con una separación de 2 µm entre las almohadillas de soldadura. Figura 2 - A) Visión de un sistema de computación multi-XPU interconectado ópticamente a nivel de oblea; y B) sistema de prueba demostrado que consiste en chips PIC con guías de onda SiN integradas (WG) y acopladores evanescentes unidos a una oblea PIC inferior con acopladores evanescentes de SiN complementarios.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Proceso mejorado de montaje Die-to-Wafer abre puertas a apilamientos de lógica/memoria sobre lógica y a sistemas interconectados ópticamente sobre wafers

Imec demuestra el ensamblaje híbrido Die-a-Wafer con un paso de interconexión de cobre de 2 µm

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en la IEEE Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 2024 un proceso de unión Die-to-Die de Cu a Cu y SiCN a SiCN, que conduce a una distancia de Cu en el pad de…
Figura 1: Imagen del citómetro de flujo en chip. Figura 2: (izquierda) Sección transversal esquemática de la pila de capas del chip, que muestra la acoplamiento de luz en el chip, la iluminación de las células, así como la captura y detección de las señales de dispersión celular. (derecha) Diagrama de dispersión experimental de una muestra completa de monocitos de sangre periférica, medida con el citómetro de flujo en el chip.
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  • Ciencia

Citómetro de flujo en chip con fotónica integrada allana el camino para análisis celulares de alto rendimiento

Imec y Sarcura presentan detección escalable en chip de glóbulos blancos humanos

Imec, un centro de investigación e innovación líder a nivel mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y Sarcura GmbH, una startup tecnológica austriaca, presentan su prueba de concepto de un citómetro de flujo en chip con fotónica integrada.

Esta innovación, publicada el 20.05.2024 en Scien…
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  • Nueva construcción

Firma de una declaración de intenciones para la creación de una línea de investigación y desarrollo de 300 mm para tecnologías de chips especiales en Málaga

El gobierno español, la región de Andalucía y imec firman una declaración de intenciones (MoU: Memorando de Entendimiento), en la que se trata de establecer una nueva línea de investigación y desarrollo de 300 mm para tecnologías de chips especiales en Málaga.

La nueva línea de fabricación complement…
Montaje de una herramienta EUV de alta NA en el laboratorio conjunto de High-NA de imec y ASML en la sede central de ASML en Veldhoven, Países Bajos. (Crédito: ASML) / Ensamblaje de una herramienta EUV de alta NA en el laboratorio conjunto de High-NA de imec-ASML en la sede de ASML en Veldhoven, Países Bajos. (Crédito: ASML)
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  • Conferencia

Los avances en procesos, máscaras y tecnología de medición permiten aprovechar al máximo el progreso en la resolución que ofrece el primer escáner EUV 0.55NA de ASML.

Imec demuestra la disposición del ecosistema de patrón de EUV de alta NA

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en la Conferencia de Litografía Avanzada + Patterning 2024 los avances en procesos EUV, máscaras y metrología, desarrollados para la litografía ultravioleta extrema (EUV) con…
El camino de diseño PDK permite diseños digitales con tecnología Gate All Around (GAA) de 2 nm, incluyendo conectividad trasera. El camino de diseño PDK permite diseños digitales con tecnología Gate All Around (GAA) de 2 nm, incluyendo conectividad trasera.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

El kit de diseño Pathfinding PDK reduce la barrera de entrada para la ciencia y la industria en las tecnologías de semiconductores más avanzadas

Imec presenta el primer Kit de Diseño de Procesos de Pathfinding para N2 Node

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en la IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2024 su Open Process Design Kit (PDK) con un programa de formación complementario, ofrecido a través de EUROPRACTICE…
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