Ce résultat révolutionnaire ouvre la voie à l'entrée du GaN dans la gamme de haute tension en SiC
Imec et AIXTRON présentent une épitaxie de GaN de 200 mm sur AIX G5+ C pour des applications de 1200 V avec une tension de claquage supérieure à 1800 V
Imec, un centre de recherche et d'innovation de renommée mondiale dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, et AIXTRON, le principal fournisseur d'équipements de dépôt pour les matériaux semi-conducteurs liés, ont présenté la croissance épitaxiale de couches de buffer en…








