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Corriente de fuga de buffer vertical en dirección de paso, medida en 1200V GaN-on-QST® a dos temperaturas diferentes: (izquierda) 25°C y (derecha) 150°C. El buffer de 1200V de Imec muestra una corriente de fuga vertical por debajo de 1µA/mm² a 25°C y por debajo de 10µA/mm² a 150°C hasta 1200V, con una ruptura por encima de 1800V tanto a 25°C como a 150°C, lo que lo hace adecuado para el procesamiento de componentes de 1200V. / Corriente de fuga de buffer frontal vertical medida en 1200V GaN-on-QST® a dos temperaturas diferentes: (izquierda) 25°C y (derecha) 150°C. El buffer de 1200V de Imec muestra una corriente de fuga vertical por debajo de 1µA/mm² a 25°C y por debajo de 10µA/mm² a 150°C hasta 1200V, con una ruptura por encima de 1800V tanto a 25°C como a 150°C, lo que lo hace adecuado para el procesamiento de dispositivos de 1200V.

Este resultado innovador allana el camino para la entrada de GaN en el rango de alta tensión de SiC

Imec y AIXTRON presentan epitaxia de GaN de 200 mm en AIX G5+ C para aplicaciones de 1200 V con una ruptura por encima de 1800 V

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y AIXTRON, el principal proveedor de sistemas de recubrimiento para materiales semiconductores de unión, han presentado el crecimiento epitaxial de capas de amortiguamiento de nitruro de galio…

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