Este resultado innovador allana el camino para la entrada de GaN en el rango de alta tensión de SiC
Imec y AIXTRON presentan epitaxia de GaN de 200 mm en AIX G5+ C para aplicaciones de 1200 V con una ruptura por encima de 1800 V
Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y AIXTRON, el principal proveedor de sistemas de recubrimiento para materiales semiconductores de unión, han presentado el crecimiento epitaxial de capas de amortiguamiento de nitruro de galio…








