Nouveau centre de recherche sur les semi-conducteurs à Dresde ouvert

4000 m² de salle blanche du Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. © Fraunhofer IPMS / 4000 m² de salle blanche du Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. © Fraunhofer IPMS

Vue extérieure du Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony à Dresde. © Fraunhofer IPMS / Vue extérieure du Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony à Dresde. © Fraunhofer IPMS

Remise symbolique de la plaquette lors de l'inauguration officielle du "Centre pour l'Intégration Avancée CMOS & Hétéro-integration en Saxe" à Dresde. Parmi les personnes (de gauche à droite) : Prof. Harald Schenk (Directeur de l'institut Fraunhofer IPMS), Sebastian Gemkow (Ministre d'État saxon pour la Science), Dr. Manuela Junghähnel (Responsable du site du nouveau centre), Prof. Reimund Neugebauer (Président de la société Fraunhofer), Prof. Hubert Lakner (Directeur de l'institut Fraunhofer IPMS), Wenke Weinreich (Responsable du site du nouveau centre), Dr. Manfred Horstmann (Vice-président de GlobalFoundries Dresden), Prof. Martin Schneider-Ramelow (Directeur de l'institut Fraunhofer IZM), Dirk Hilbert (Maire de Dresde). © Christian Schneider-Bröcker

Dr. Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, Directrice du site © Fraunhofer IPMS / Dr. Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, Directrice de division CNT © Fraunhofer IPMS

Dr. Manuela Junghähnel, Fraunhofer IZM-ASSID, Directrice du site © Silvia Wolf / Dr. Manuela Junghähnel, responsable du Fraunhofer IZM-ASSID. © Silvia Wolf

Un phare de la recherche en semi-conducteurs avec une portée internationale naît à Dresde. Avec l'établissement du Centre pour l'Advanced CMOS & Hétérointégration Saxony, le Fraunhofer IPMS et le Fraunhofer IZM-ASSID unissent leurs compétences. Ils offriront à l'avenir la chaîne de valeur complète dans la microélectronique 300 mm, créant ainsi les conditions pour la recherche de haute technologie pour les technologies futures.

Avec le Fraunhofer IZM-ASSID et le Fraunhofer IPMS, domaine Center Nanoelectronic Technologies CNT, deux établissements de recherche uniques en Allemagne dans le domaine de la microélectronique sont implantés en Saxe. Aujourd'hui, ce sont les deux seuls centres de recherche allemands pour la recherche appliquée en microélectronique, qui utilisent des équipements standards de l'industrie pour wafers de 300 mm.

Grâce à la concentration des compétences et à la création du Center for Advanced CMOS & Hétérointégration Saxony, d'excellentes perspectives s'ouvrent pour attirer des entreprises de semi-conducteurs, des utilisateurs de systèmes ainsi que des fabricants de matériaux et d'équipements dans le monde entier et à fidéliser dans Silicon Saxony. Pour les commandes industrielles et de recherche, en plus d'un personnel exceptionnel et d'un savoir-faire, un équipement moderne avec un parc de machines et d'installations est essentiel.

Investissements pour les technologies d'avenir

Avec un volume d'investissement d'environ 140 millions d'euros dans des installations de salles blanches, le Fraunhofer IPMS est unique en Allemagne dans le domaine de la recherche appliquée sur la norme industrielle moderne de wafers de 300 mm dans la fabrication CMOS en front-end. Le Fraunhofer IZM-ASSID complète cette expertise avec des technologies innovantes d'emballage et d'intégration de systèmes. Le centre sera désormais dirigé par le Dr. Wenke Weinreich, responsable du domaine au CNT et directrice adjointe de l'institut du Fraunhofer IPMS, ainsi que par le Dr. Manuela Junghähnel, directrice du site à l'IZM-ASSID.

»Le centre commun avec une salle blanche de 4000 m² permet une coopération étroite et une intégration des compétences scientifiques et techniques des deux établissements de recherche. Cela crée une plateforme technologique de R&D exceptionnelle ainsi qu'une augmentation de l'efficacité et une complétude de la chaîne de valeur, tout en ouvrant de nouveaux domaines de recherche«, explique le Dr. Manuela Junghähnel. Le Dr. Wenke Weinreich ajoute : »La norme industrielle de wafers de 300 mm est cruciale, car elle permet d'une part un transfert rapide des résultats de la recherche dans l'industrie des semi-conducteurs en Saxe, au niveau national et mondial. D'autre part, cette norme de wafer est également une condition préalable à la recherche de haute technologie pour les technologies d'avenir, telles que le neuromorphique et le calcul quantique.«

Cérémonie d'ouverture officielle

Le Center for Advanced CMOS & Hétérointégration Saxony sera officiellement inauguré aujourd'hui. Il sera situé sur le site du Fraunhofer IPMS, An der Bartlake 5 à Dresde, dans une nouvelle salle blanche de 4000 m². Le président de la Saxe, Michael Kretschmer : »La Saxe est l'un des principaux sites de microélectronique en Europe. Un tiers des puces européennes est produit dans cet État libre. Avec le European Chips Act, l'UE a posé les jalons pour de nouveaux investissements. La Saxe mise sur un réseau étroit entre l'économie, la science et la recherche. Le nouveau centre Fraunhofer pour la recherche sur les semi-conducteurs est unique en Allemagne et apportera une contribution décisive à l'innovation dans Silicon Saxony. À Dresde, la recherche appliquée en microélectronique se déroulera désormais avec des wafers de 300 mm de niveau mondial. La recherche de haute technologie pour les technologies d'avenir garantit la puissance d'innovation et la prospérité de l'État libre. Je remercie la société Fraunhofer pour son engagement clair envers le site de la Saxe.«

Le président de la société Fraunhofer, le Prof. Dr. Reimund Neugebauer, exprime également son enthousiasme : »Le nouveau Center for Advanced CMOS & Hétérointégration Saxony est un excellent exemple d'une conception proactive du développement européen des technologies de semi-conducteurs et contribue de manière importante à la sécurisation de notre souveraineté technologique. Grâce à la fusion des compétences scientifiques et techniques exceptionnelles, le centre représentera à l'avenir toute la chaîne de valeur des technologies de semi-conducteurs de manière efficace - de la recherche à la fabrication pilote sur des wafers en silicium de 300 millimètres, jusqu'à la contactation et l'assemblage final.«

Pour le développement futur des compétences nécessaires en microélectronique et en microsystèmes, les offres de R&D du Fraunhofer IZM-ASSID et du Fraunhofer IPMS seront conçues et développées de manière à ce que l'industrie locale et nationale, des PME aux grandes entreprises (par exemple, Globalfoundries, Infineon, Bosch), puissent bénéficier au mieux des technologies les plus modernes. La plateforme d'intégration sera également utilisée dans des projets spécifiques pour les clients dans le cadre du centre de compétences »Intégration fonctionnelle pour la micro-/nanoélectronique« et dans l'usine de recherche Microélectronique Allemagne (FMD).

Avec une vision optimiste de cette mise en réseau, le ministre de la Science, Sebastian Gemkow, conclut : »Pour l'avenir de la recherche en microélectronique et du développement technologique en Dresde, en Saxe, en Allemagne et en Europe, l'ouverture du CNT est une étape majeure. Par un effort commun de la société Fraunhofer, du gouvernement fédéral et de l'État libre de Saxe, il a été possible de sécuriser durablement l'une des principales institutions de recherche dans le domaine de la technologie 300 mm. IPMS-CNT et IZM-ASSID s'appuient dans le cadre du Center for Advanced CMOS & Hétérointégration sur une collaboration stratégique et approfondie. Ainsi, « Silicon Saxony » sera renforcé et pourra à l'avenir apporter des contributions importantes pour traiter les enjeux futurs en microélectronique.«

À propos du Center Nanoelectronic Technologies

Le Center Nanoelectronic Technologies (CNT) est une branche commerciale de l'Institut Fraunhofer pour les microsystèmes photonique IPMS. Il mène des recherches appliquées sur des wafers de 300 mm pour les fabricants de microprocesseurs, les fournisseurs, les fabricants d'appareils et les partenaires en R&D. Sur une surface de 4000 m² de salles blanches de classe 6 et 3 (selon ISO 14644-1), ainsi que des laboratoires pour plus de 80 outils de traitement et d'analyse, sont disponibles. La flotte d'équipements comprend notamment des systèmes de dépôt, de gravure, ainsi que des appareils d'inspection et d'analyse pour détecter les défauts et mesurer les propriétés des couches.

À propos du Fraunhofer IZM-ASSID

Le Fraunhofer IZM-ASSID, une division de l'Institut Fraunhofer IZM, dispose d'une ligne technologique conforme aux normes modernes de 200-300 mm pour l'intégration de systèmes en 3D au niveau du wafer, basée sur la technologie via par cuivre à travers le silicium (Cu-TSV). La ligne de processus du Fraunhofer IZM-ASSID est spécialement conçue pour un développement et un traitement proches de la production (ISO 9001). Les composants de la ligne comprennent des modules de processus pour la formation de TSV, le traitement post-TSV, le pré-assemblage (découpage et séparation), et la formation de stacks 3D. La conception de la ligne permet à la fois un développement de processus axé sur l'application et la qualification ainsi que la fabrication de prototypes pour les systèmes 3D sur wafers dans des packages.