Nowe centrum badań nad półprzewodnikami we Dreznie otwarte

4000 m² czysta strefa Centrum Zaawansowanego CMOS i Heterointegracji Saksonia. © Fraunhofer IPMS / 4000 m² czysta strefa Centrum Zaawansowanego CMOS i Heterointegracji Saksonia. © Fraunhofer IPMS

Widok z zewnątrz Centrum Zaawansowanej Technologii CMOS i Heterointegracji Saksonia w Dreźnie. © Fraunhofer IPMS / Widok z zewnątrz Centrum Zaawansowanej Technologii CMOS i Heterointegracji Saksonia w Dreźnie. © Fraunhofer IPMS

Symboliczne przekazanie wafla z okazji uroczystego otwarcia "Centrum Zaawansowanego CMOS i Heterointegracji Saksonia" w Dreźnie. Od lewej do prawej: Prof. Harald Schenk (dyrektor Fraunhofer IPMS), Sebastian Gemkow (Saksoński Minister Stanu ds. Nauki), Dr. Manuela Junghähnel (dyrektor lokalizacji nowego Centrum), Prof. Reimund Neugebauer (prezes Fraunhofer-Gesellschaft), Prof. Hubert Lakner (dyrektor Fraunhofer IPMS), Wenke Weinreich (dyrektor lokalizacji nowego Centrum), Dr. Manfred Horstmann (Wiceprezes GlobalFoundries Dresden), Prof. Martin Schneider-Ramelow (dyrektor Fraunhofer IZM), Dirk Hilbert (burmistrz Drezna). © Christian Schneider-Bröcker

Dr. Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, kierownik oddziału © Fraunhofer IPMS / Dr. Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, dyrektor działu CNT © Fraunhofer IPMS

Dr. Manuela Junghähnel, Fraunhofer IZM-ASSID, kierownik placówki © Silvia Wolf / Dr. Manuela Junghähnel, kierownik Fraunhofer IZM-ASSID. © Silvia Wolf

Latarnia morska badań nad półprzewodnikami o międzynarodowym zasięgu powstaje w Dreźnie. Dzięki utworzeniu Centrum Zaawansowanej Integracji CMOS i Hetero-integration Saxony, Fraunhofer IPMS i Fraunhofer IZM-ASSID łączą swoje kompetencje. W przyszłości oferują pełen łańcuch wartości w mikroelektronice 300 mm, zapewniając tym samym warunki do badań wysokotechnologicznych dla technologii przyszłości.

Wraz z Fraunhofer IZM-ASSID i Fraunhofer IPMS, działem Center Nanoelectronic Technologies CNT, w Saksonii znajdują się dwie unikalne na skalę krajową instytucje badawcze w dziedzinie mikroelektroniki. Obecnie są to jedyne niemieckie centra badawcze zajmujące się stosowaną mikroelektroniką, które korzystają z przemysłowego standardu sprzętu do wafli 300 mm.

Łącząc kompetencje i zakładając Centrum Zaawansowanej Integracji CMOS i Hetero-integration Saxony, powstają znakomite perspektywy przyciągnięcia firm półprzewodnikowych, użytkowników systemów oraz producentów materiałów i urządzeń na całym świecie i związania ich z Silicon Saxony. Dla zamówień przemysłowych i badawczych kluczowe jest nie tylko wyśmienite personel i wiedza, ale także wyposażenie w nowoczesny park maszynowy i urządzenia.

Inwestycje w technologie przyszłości

Przy inwestycji o wartości około 140 mln € w urządzenia do czystych pomieszczeń, Fraunhofer IPMS jest w Niemczech unikalny w zakresie badań stosowanych na nowoczesnym standardzie przemysłowym wafli 300 mm w fazie front-end produkcji CMOS. Fraunhofer IZM-ASSID uzupełnia tę ekspertyzę innowacyjnymi technologiami pakowania i integracji systemów. Kierownictwo centrum obejmą w przyszłości dr Wenke Weinreich, kierownik działu w CNT i zastępczyni dyrektora instytutu Fraunhofer IPMS, oraz dr Manuela Junghähnel, kierownik lokalizacji w IZM-ASSID.

»Wspólne centrum z czystym pomieszczeniem o powierzchni 4000 m² umożliwia ścisłą współpracę i powiązanie kompetencji naukowo-technicznych obu instytucji badawczych. W ten sposób powstaje wybitna platforma technologiczno-badawcza, a także wzrost efektywności i uzupełnienie łańcucha wartości, które jednocześnie otwierają nowe dziedziny badań«, wyjaśnia dr Manuela Junghähnel. Dr Wenke Weinreich dodaje: »Standard przemysłowy wafli 300 mm jest kluczowy, ponieważ tylko w ten sposób można zapewnić szybki transfer wyników badań do przemysłu półprzewodnikowego Saksonii, na skalę krajową i międzynarodową. Z drugiej strony, ten standard wafli jest także podstawą badań wysokotechnologicznych dla technologii przyszłości, takich jak neuromorficzne i kwantowe komputery.«

Uroczyste otwarcie

Centrum Zaawansowanej Integracji CMOS i Hetero-integration Saxony zostanie dziś uroczyście otwarte. Powstaje ono na miejscu Fraunhofer IPMS, przy ulicy An der Bartlake 5 w Dreźnie, w nowym czystym pomieszczeniu o powierzchni 4000 m². Premier Saksonii, Michael Kretschmer, powiedział: »Saksonia jest jednym z wiodących ośrodków mikroelektroniki w Europie. Trzeci europejski chip jest produkowany w Wolnym Państwie. Dzięki Europejskiemu Aktowi Chipów UE wyznaczyła kierunki dalszych inwestycji. Saksonia stawia na ścisłe powiązanie gospodarki, nauki i badań. Nowe Centrum Fraunhofer ds. badań nad półprzewodnikami jest unikalne w Niemczech i odegra kluczową rolę w innowacjach w Silicon Saxony. W Dreźnie od przyszłości będzie się prowadzić stosowane badania nad mikroelektroniką na najwyższym światowym poziomie z użyciem nowoczesnych wafli 300 mm. Badania wysokotechnologiczne dla technologii przyszłości zapewniają innowacyjność i dobrobyt w Wolnym Państwie. Dziękuję stowarzyszeniu Fraunhofer za jasne zobowiązanie wobec lokalizacji w Saksonii.«

Również prezes stowarzyszenia Fraunhofer, prof. dr Reimund Neugebauer, wyraził entuzjazm: »Nowe Centrum Zaawansowanej Integracji CMOS i Hetero-integration Saxony jest doskonałym przykładem proaktywnego kształtowania rozwoju technologii półprzewodnikowych w Europie i wnosi istotny wkład w zapewnienie naszej suwerenności technologicznej. Dzięki połączeniu wybitnych kompetencji naukowo-technicznych centrum będzie w przyszłości efektywnie odzwierciedlać cały łańcuch wartości technologii półprzewodnikowych – od badań, przez pilotażową produkcję na dużych waflach 300 mm, po kontaktowanie i końcowy montaż.«

W zakresie przyszłego rozwoju niezbędnych kompetencji w mikroelektronice i mikrosystemach, oferty R&D Fraunhofer IZM-ASSID i Fraunhofer IPMS dotyczące procesów na skalę 300 mm są tak projektowane i rozwijane, aby lokalny i krajowy przemysł, od małych i średnich przedsiębiorstw po duże firmy (np. Globalfoundries, Infineon, Bosch), mógł korzystać z najnowocześniejszych technologii w jak najlepszym stopniu. Platforma integracyjna będzie również wykorzystywana w projektach dostosowanych do potrzeb klientów w ramach centrum usług »Funkcjonalna integracja dla mikro- i nanoelektroniki« oraz w fabryce badawczej mikroelektroniki w Niemczech (FMD).

Patrząc pozytywnie na tę sieć, minister nauki Sebastian Gemkow stwierdził: »Otwarcie CNT jest kamieniem milowym dla przyszłości badań i rozwoju technologii mikroelektronicznych w Dreźnie, Saksonii, Niemczech i Europie. Wspólnym wysiłkiem stowarzyszenia Fraunhofer, federalnego rządu i Wolnego Państwa Saksonia udało się trwale zabezpieczyć jedną z wiodących instytucji badawczych w dziedzinie technologii 300 mm. IPMS-CNT i IZM-ASSID opierają się w ramach Centrum Zaawansowanej Integracji CMOS i Hetero-integration na strategicznej i pogłębionej współpracy. W ten sposób »Silicon Saxony« zostanie dalej wzmocnione i będzie odgrywać ważną rolę w przyszłościowych tematach mikroelektroniki.«

O Centrum Nanoelectronic Technologies

Centrum Nanoelectronic Technologies (CNT) jest działem instytutu Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS. Prowadzi badania stosowane na waflach 300 mm dla producentów mikroczipów, dostawców, producentów urządzeń i partnerów R&D. Na powierzchni czystego pomieszczenia o wielkości 4000 m² klasy 6 i 3 (wg ISO 14644-1) oraz w laboratoriach dostępnych jest ponad 80 narzędzi do procesowania i analizy. Park maszynowy obejmuje między innymi urządzenia do osadzania, trawienia oraz inspekcji i analizy defektów i właściwości warstw.

O Fraunhofer IZM-ASSID

Fraunhofer IZM-ASSID, będący częścią instytutu Fraunhofer IZM, dysponuje linią technologiczną zgodną z najnowszym stanem techniki dla technologii 200-300 mm do 3D-Integracji na poziomie wafli, opartą na technologii Cu-Through-Silicon-Via (Cu-TSV). Linia procesowa w Fraunhofer IZM-ASSID jest szczególnie dostosowana do rozwoju i procesowania bliskiego produkcji (ISO 9001). Elementami linii są moduły procesowe do formowania TSV, do obróbki po TSV, do przedmontażu (docięcie i rozdzielenie), oraz do formowania stosów 3D. Koncepcja linii umożliwia zarówno rozwój procesów związanych z zastosowaniami, jak i kwalifikację i prototypowanie systemów 3D na poziomie wafli w pakietach.«