Nuovo centro di ricerca sui semiconduttori aperto a Dresda

4000 m² di camera bianca del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. © Fraunhofer IPMS / 4000 m² di camera pulita del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. © Fraunhofer IPMS

Vista esterna del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony a Dresda. © Fraunhofer IPMS / Vista esterna del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony a Dresda. © Fraunhofer IPMS

Consegna simbolica del wafer per l'inaugurazione solenne del "Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony" a Dresda Tra le persone (da sinistra a destra): Prof. Harald Schenk (Direttore dell'Istituto Fraunhofer IPMS), Sebastian Gemkow (Ministro statale sassone per la Scienza), Dr. Manuela Junghähnel (Responsabile della sede del nuovo Centro), Prof. Reimund Neugebauer (Presidente della Gesellschaft Fraunhofer), Prof. Hubert Lakner (Direttore dell'Istituto Fraunhofer IPMS), Wenke Weinreich (Responsabile della sede del nuovo Centro), Dr. Manfred Horstmann (Vicepresidente di GlobalFoundries Dresda), Prof. Martin Schneider-Ramelow (Direttore dell'Istituto Fraunhofer IZM), Dirk Hilbert (Sindaco di Dresda). © Christian Schneider-Bröcker

Dott.ssa Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, Responsabile della sede © Fraunhofer IPMS / Dott.ssa Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, Direttrice della Divisione CNT © Fraunhofer IPMS

Dott.ssa Manuela Junghähnel, Fraunhofer IZM-ASSID, Responsabile della sede © Silvia Wolf / Dott.ssa Manuela Junghähnel, Responsabile di Fraunhofer IZM-ASSID. © Silvia Wolf

Un faro della ricerca sui semiconduttori con raggio d'azione internazionale nasce a Dresda. Con l'istituzione del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony, il Fraunhofer IPMS e il Fraunhofer IZM-ASSID uniscono le loro competenze. Offriranno in futuro l'intera catena del valore nell'elettronica micro a 300 mm, creando le condizioni per la ricerca high-tech sulle tecnologie del futuro.

Con il Fraunhofer IZM-ASSID e il Fraunhofer IPMS, settore Center Nanoelectronic Technologies CNT, sono presenti in Sassonia due strutture di ricerca uniche a livello nazionale nel campo dell'elettronica micro. Oggi sono i due unici centri di ricerca tedeschi per la ricerca applicata nell'elettronica micro, che operano con attrezzature standard industriali per wafer da 300 mm.

Con la concentrazione delle competenze e la creazione del Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony, si aprono prospettive eccellenti per attrarre aziende di semiconduttori, utenti di sistemi, nonché produttori di materiali e impianti in tutto il mondo, e per fidelizzarli a Silicon Saxony. Per ordini industriali e di ricerca, oltre a personale di alta qualità e know-how, è fondamentale dotarsi di un parco strumenti e impianti moderni.

Investimenti per le tecnologie del futuro

Con un volume di investimenti di circa 140 milioni di euro in impianti per ambienti puliti, il Fraunhofer IPMS si distingue in Germania nel settore della ricerca applicata, posizionandosi nello standard industriale moderno dei wafer da 300 mm nel frontend della produzione CMOS. Il Fraunhofer IZM-ASSID integra questa expertise con tecnologie innovative di packaging e integrazione di sistemi. Il centro sarà guidato in futuro da Dr. Wenke Weinreich, responsabile del settore presso il CNT e vicepresidente del Fraunhofer IPMS, e da Dr. Manuela Junghähnel, responsabile della sede presso l'IZM-ASSID.

»Il centro comune con un ambiente pulito di 4000 m² permette una stretta collaborazione e integrazione delle competenze scientifico-tecniche di entrambe le strutture di ricerca. Ciò crea una piattaforma tecnologica R&D di livello eccezionale, oltre a un aumento dell'efficienza e al completamento della catena del valore, aprendo contemporaneamente nuovi campi di ricerca«, spiega Dr. Manuela Junghähnel. Dr. Wenke Weinreich aggiunge: »Lo standard industriale dei wafer da 300 mm è decisivo, perché permette da un lato un rapido trasferimento dei risultati della ricerca nell'industria dei semiconduttori della Sassonia, a livello nazionale e mondiale. Dall'altro, questo standard di wafer è anche una condizione fondamentale per la ricerca high-tech sulle tecnologie del futuro, come il neuromorfico e il calcolo quantistico.«

Cerimonia di inaugurazione

Oggi viene inaugurato ufficialmente il Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony. Si trova presso la sede del Fraunhofer IPMS, An der Bartlake 5 a Dresda, nel nuovo ambiente pulito di 4000 m². Il presidente della Sassonia, Michael Kretschmer, afferma: »La Sassonia è una delle principali sedi di microelettronica in Europa. Un chip su tre prodotto in Europa viene realizzato nello Stato libero. Con il European Chips Act, l'UE ha posto le basi per ulteriori investimenti. La Sassonia punta a una stretta rete tra economia, scienza e ricerca. Il nuovo centro Fraunhofer per la ricerca sui semiconduttori è unico in Germania e contribuirà in modo decisivo all'innovazione in Silicon Saxony. In futuro, a Dresda, si svolgerà la ricerca applicata nell'elettronica micro con wafer da 300 mm all'avanguardia mondiale. La ricerca high-tech per le tecnologie del futuro garantirà innovazione e benessere nello Stato libero. Ringrazio la Gesellschaft Fraunhofer per il suo chiaro impegno a favore della sede in Sassonia.«

Anche il presidente della Gesellschaft Fraunhofer, Prof. Dr. Reimund Neugebauer, si mostra entusiasta: »Il nuovo Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony è un esempio eccellente di come si possa proattivamente modellare lo sviluppo europeo delle tecnologie dei semiconduttori e contribuire in modo importante a garantire la nostra sovranità tecnologica. Grazie alla fusione delle eccellenti competenze scientifico-tecniche, il centro rappresenterà in futuro l'intera catena del valore delle tecnologie dei semiconduttori in modo efficiente - dalla ricerca alla produzione pilota su wafer di silicio da 300 mm, fino ai contatti e all'assemblaggio finale.«

Per lo sviluppo futuro delle competenze necessarie nell'elettronica micro e nei microsistemi, le offerte di R&D del Fraunhofer IZM-ASSID e del Fraunhofer IPMS, in relazione alle competenze sui processi a 300 mm, sono progettate e ampliate in modo che l'industria locale e nazionale, dalle PMI alle grandi aziende (ad esempio Globalfoundries, Infineon, Bosch), possa beneficiare al massimo delle tecnologie più avanzate. La piattaforma di integrazione sarà inoltre utilizzata anche in progetti su misura nel quadro del centro di eccellenza »Integrazione funzionale per l'elettronica micro/nano« e nella fabbrica di ricerca sull'elettronica micro in Germania (FMD).

Guardando positivamente a questa rete, il ministro della scienza Sebastian Gemkow afferma: »Per il futuro della ricerca e dello sviluppo tecnologico nell'elettronica micro a Dresda, in Sassonia, in Germania e in Europa, l'apertura del CNT rappresenta una pietra miliare. Con lo sforzo congiunto della Gesellschaft Fraunhofer, del governo federale e dello Stato libero di Sassonia, è stato possibile assicurare in modo sostenibile una delle principali strutture di ricerca nel settore della tecnologia a 300 mm. IPMS-CNT e IZM-ASSID, nell'ambito del Center for Advanced CMOS & Heterointegration, puntano a una collaborazione strategica e approfondita. In questo modo, 'Silicon Saxony' sarà ulteriormente rafforzata e potrà contribuire in futuro a trattare le tematiche future nell'elettronica micro.«

Informazioni sul Center Nanoelectronic Technologies

Il Center Nanoelectronic Technologies (CNT) è un settore di attività dell'Istituto Fraunhofer per i microsistemi fotonici IPMS. Svolge ricerca applicata su wafer da 300 mm per produttori di microchip, fornitori, produttori di dispositivi e partner R&S. Per la lavorazione dei clienti, dispone di un ambiente pulito di 4000 m² di classe 6 e 3 (secondo ISO 14644-1) e di laboratori con oltre 80 strumenti di processo e analisi. La flotta di impianti comprende tra l'altro sistemi di deposizione e incisione, nonché strumenti di ispezione e analisi per la rilevazione di difetti e la misurazione delle proprietà dei strati.

Informazioni sul Fraunhofer IZM-ASSID

Il Fraunhofer IZM-ASSID, una sezione dell'Istituto Fraunhofer IZM, dispone di una linea tecnologica di ultima generazione per wafer da 200-300 mm, compatibile con le tecnologie di integrazione di sistemi a livello di wafer 3D, basata sulla tecnologia Cu-TSV (Through Silicon Via in rame). La linea di processo dell'IZM-ASSID è progettata in modo particolare per uno sviluppo e una lavorazione industriale vicini alla produzione (ISO 9001). I componenti della linea includono moduli di processo per la formazione di TSV, per la post-TSV processing, per il pre-assemblaggio (duttile e singolo), e per la formazione di stack 3D. La progettazione della linea consente sia uno sviluppo di processi orientato alle applicazioni sia la qualificazione e la produzione di prototipi per sistemi 3D a livello di wafer in packages.