Nuevo centro de investigación en semiconductores abierto en Dresde

4000 m² de sala limpia del Centro para CMOS Avanzado e Heterointegración Sajonia. © Fraunhofer IPMS / 4000 m² de sala limpia del Centro para CMOS Avanzado e Heterointegración Sajonia. © Fraunhofer IPMS

Vista exterior del Centro de CMOS Avanzado e Heterointegración de Sajonia en Dresde. © Fraunhofer IPMS / Vista exterior del Centro de CMOS Avanzado e Heterointegración de Sajonia en Dresde. © Fraunhofer IPMS

Entrega simbólica de obleas para la inauguración solemne del "Centro para la CMOS Avanzada y la Heterointegración Sajonia" en Dresde. De izquierda a derecha: Prof. Harald Schenk (Director del Fraunhofer IPMS), Sebastian Gemkow (Ministro de Estado Sajón para la Ciencia), Dra. Manuela Junghähnel (Directora del nuevo Centro), Prof. Reimund Neugebauer (Presidente de la Sociedad Fraunhofer), Prof. Hubert Lakner (Director del Fraunhofer IPMS), Wenke Weinreich (Directora del nuevo Centro), Dr. Manfred Horstmann (Vicepresidente de GlobalFoundries Dresden), Prof. Martin Schneider-Ramelow (Director del Fraunhofer IZM), Dirk Hilbert (Alcalde de Dresde). © Christian Schneider-Bröcker

Dra. Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, Directora del sitio © Fraunhofer IPMS / Dra. Wenke Weinreich, Fraunhofer IPMS, Directora de División CNT © Fraunhofer IPMS

La Dra. Manuela Junghähnel, Fraunhofer IZM-ASSID, Directora del sitio © Silvia Wolf / La Dra. Manuela Junghähnel, Jefa de Fraunhofer IZM-ASSID. © Silvia Wolf

Un faro de la investigación en semiconductores con alcance internacional surge en Dresde. Con la creación del Centro para la CMOS Avanzada e Heterointegración Sajonia, el Fraunhofer IPMS y el Fraunhofer IZM-ASSID unen sus competencias. Ofrecen en el futuro toda la cadena de valor en la microelectrónica de 300 mm y, por tanto, la base para la investigación de alta tecnología para tecnologías futuras.

Con el Fraunhofer IZM-ASSID y el Fraunhofer IPMS, área Centro de Tecnologías Nanoelectrónicas CNT, están ubicadas dos instituciones de investigación únicas a nivel nacional en el campo de la microelectrónica en Sajonia. Actualmente, son los dos únicos centros de investigación alemanes en microelectrónica aplicada que investigan con equipos estándar de la industria de obleas de 300 mm.

Con la unión de competencias y la fundación del Centro para la CMOS Avanzada e Heterointegración Sajonia, surgen perspectivas excelentes para atraer a empresas de semiconductores y usuarios de sistemas, así como a fabricantes de materiales y equipos en todo el mundo y vincularlos a Silicon Saxony. Para encargos industriales y de investigación, además de personal y conocimientos excelentes, es decisivo contar con un equipamiento con un parque de maquinaria y equipos moderno.

Inversiones para tecnologías futuras

Con un volumen de inversión de aproximadamente 140 millones de euros en instalaciones de salas limpias, el Fraunhofer IPMS está posicionado en Alemania de manera única en el campo de la investigación aplicada en el estándar moderno de la industria de obleas de 300 mm en la etapa frontal de la fabricación CMOS. El Fraunhofer IZM-ASSID complementa esta experiencia con tecnologías innovadoras de empaquetado e integración de sistemas. El centro será dirigido en el futuro por la Dra. Wenke Weinreich, jefa del área en el CNT y subdirectora del instituto del Fraunhofer IPMS, así como por la Dra. Manuela Junghähnel, directora del sitio en el IZM-ASSID.

»El centro conjunto, con una sala limpia de 4000 m², permite una estrecha cooperación y vinculación de las competencias científico-técnicas de ambas instituciones de investigación. Esto crea una plataforma tecnológica de I+D sobresaliente, así como un aumento de la eficiencia y una finalización de la cadena de valor, que a la vez abre nuevos campos de investigación«, explica la Dra. Manuela Junghähnel. La Dra. Wenke Weinreich añade: »El estándar de la industria de obleas de 300 mm es decisivo, ya que solo así se puede garantizar, por un lado, una rápida transferencia de resultados de investigación a la industria de semiconductores en Sajonia, a nivel nacional y también mundial. Por otro lado, este estándar de oblea también es un requisito fundamental para la investigación de alta tecnología en tecnologías futuras, como la computación neuromórfica y cuántica.«

Ceremonia de inauguración

Hoy se inaugura oficialmente el Centro para la CMOS Avanzada e Heterointegración Sajonia. Se ubica en la sede del Fraunhofer IPMS, en An der Bartlake 5 en Dresde, en la nueva sala limpia de 4000 m². El presidente de Sajonia, Michael Kretschmer, afirma: »Sajonia es uno de los principales centros de microelectrónica en Europa. Cada tercer chip europeo se produce en el Estado Libre. Con el European Chips Act, la UE ha establecido las bases para futuras inversiones. Sajonia apuesta por una estrecha red entre economía, ciencia e investigación. El nuevo centro Fraunhofer para la investigación en semiconductores es único en Alemania y contribuirá de manera decisiva a la innovación en Silicon Saxony. En Dresde, en el futuro, se realizará investigación aplicada en microelectrónica con obleas de 300 mm de nivel mundial. La investigación en alta tecnología para tecnologías futuras garantiza la innovación y la prosperidad en el Estado Libre. Agradezco a la Sociedad Fraunhofer su clara declaración de compromiso con el sitio en Sajonia.«

El presidente de la Sociedad Fraunhofer, Prof. Dr. Reimund Neugebauer, también se muestra entusiasmado: »El nuevo Centro para la CMOS Avanzada e Heterointegración Sajonia es un excelente ejemplo de una gestión proactiva del desarrollo europeo de tecnologías de semiconductores y realiza una contribución importante para garantizar nuestra soberanía tecnológica. Al reunir las excelentes competencias científico-técnicas, el centro representará en el futuro toda la cadena de valor de las tecnologías de semiconductores de manera eficiente, desde la investigación hasta la producción piloto en obleas de silicio de 300 mm y hasta la conexión y el montaje final.«

Para el desarrollo futuro de las competencias necesarias en microelectrónica y micromecánica, las ofertas de I+D del Fraunhofer IZM-ASSID y del Fraunhofer IPMS en cuanto a las competencias de proceso de 300 mm están diseñadas y ampliadas de modo que la industria local y nacional, desde pymes hasta grandes empresas (por ejemplo, Globalfoundries, Infineon, Bosch), puedan beneficiarse de las tecnologías más modernas. Además, la plataforma de integración también se utilizará en proyectos específicos de clientes en el marco del centro de excelencia »Integración funcional para la micro y nanoelectrónica« y en la fábrica de investigación en microelectrónica de Alemania (FMD).

Con una mirada positiva hacia esta red, el ministro de Ciencia, Sebastian Gemkow, concluye: »Para el futuro de la investigación y el desarrollo tecnológico en microelectrónica en Dresde, Sajonia, Alemania y Europa, la apertura del CNT es un hito. En un esfuerzo conjunto de la Sociedad Fraunhofer, el gobierno federal y el Estado Libre de Sajonia, se ha logrado asegurar de manera sostenible una de las principales instituciones de investigación en tecnología de 300 mm. IPMS-CNT y IZM-ASSID apuestan en el marco del Centro para la CMOS Avanzada e Heterointegración por una colaboración estratégica y profunda. Así, »Silicon Saxony« se fortalecerá aún más y en el futuro aportará contribuciones importantes en la resolución de los temas futuros en microelectrónica.«

Sobre el Centro de Tecnologías Nanoelectrónicas

El Centro de Tecnologías Nanoelectrónicas (CNT) es una división del Instituto Fraunhofer para Microsistemas Fotónicos IPMS. Realiza investigación aplicada en obleas de 300 mm para productores de microchips, proveedores, fabricantes de dispositivos y socios de I+D. Para atender los encargos de los clientes, dispone de una superficie de sala limpia de 4000 m² de clase 6 y 3 (según ISO 14644-1), así como laboratorios con más de 80 herramientas de proceso y análisis. El parque de equipos incluye, entre otros, sistemas de deposición y grabado, así como instrumentos de inspección y análisis para determinar defectos y medir propiedades de capas.

Sobre el Fraunhofer IZM-ASSID

El Fraunhofer IZM-ASSID, una división del Fraunhofer IZM, cuenta con una línea tecnológica de 200-300 mm de última generación para la integración de sistemas a nivel de obleas 3D basada en la tecnología Cu-Through Silicon Via (Cu-TSV). La línea de procesos en el Fraunhofer IZM-ASSID está especialmente diseñada para un desarrollo y procesamiento cercano a la fabricación y compatible con la industria (ISO 9001). Los componentes de la línea incluyen módulos de proceso para la formación de TSV, procesamiento post-TSV, preensamblaje (donde se recortan y separan las obleas) y formación de pilas 3D. La concepción de la línea permite tanto un desarrollo de procesos orientado a aplicaciones como la calificación y fabricación de prototipos para sistemas 3D a nivel de obleas en paquetes.