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Toutes les publications de Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Galette de 4 pouces en GaN sur SiC de la technologie GaN07 du Fraunhofer IAF. Les galettes sont entièrement fabriquées et testées dans la ligne de fabrication de semi-conducteurs interne, y compris la conception, l'épitaxie, le traitement des galettes et la caractérisation. © Fraunhofer IAF / Galette de 4 pouces en GaN sur SiC traitée en frontside de Fraunhofer IAF, utilisant la technologie GaN07. Les galettes sont entièrement fabriquées et testées dans la ligne de processus III-V du Fraunhofer IAF, y compris la conception et la fabrication des masques de traitement, l'épitaxie, le traitement des galettes et la caractérisation. © Fraunhofer IAF
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  • Savoir-faire, Institut

EuMW 2025 : Fraunhofer IAF présente le transistor GaN de 70 nm pour satellites à haut débit

Technologie des semi-conducteurs pour la communication par satellite à large bande atteint une efficacité record

Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont développé une technologie de transistor en GaN avec une longueur de porte de 70 nm, atteignant des valeurs record en termes d'efficacité dans des conditions typiques de satellites. La technologie doit permettre à l'avenir la fabrication d'antennes actives compact…
Secrétaire d'État Dr. Patrick Rapp (à droite), Ministère de l'Économie, du Travail et du Tourisme, remet à la direction de l'institut Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert (à gauche) et le Prof. Dr. Rüdiger Quay (au centre), le chèque symbolique pour le montant de la subvention de 4,35 millions d'euros. © Fraunhofer IAF / Le secrétaire d'État Dr. Patrick Rapp, Ministère de l'Économie, du Travail et du Tourisme, remet le chèque symbolique pour le montant de 4,35 millions d'euros à la direction de l'institut Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert et Prof. Dr. Rüdiger Quay. © Fraunhofer IAF Après la remise du chèque, le secrétaire d'État Dr. Patrick Rapp discute sur place de la ligne pilote APECS et des activités prévues du Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF Dans le cadre de la ligne pilote APECS, le domaine de la technologie de gravure à sec dans la salle blanche du Fraunhofer IAF pour les wafers de 6′′ est en cours d'expansion. © Fraunhofer IAF / Dans le cadre de la ligne pilote APECS, la zone de la technologie de gravure à sec dans la salle blanche du Fraunhofer IAF pour les wafers de 6′′ est en cours d'expansion. © Fraunhofer IAF Post-CMOS puces capteurs de pression avec emballage au niveau du wafer avant la découpe. © Fraunhofer ISIT / Post-CMOS pressure sensor chiplets with wafer level packaging before dicing. © Fraunhofer ISIT
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  • Savoir-faire, Institut

Bade-Wurtemberg participe avec 4,35 millions d'euros au financement dans le cadre de l'EU Chips Act

Fraunhofer IAF étend ses capacités technologiques pour les innovations en matière de chiplets dans le cadre de la ligne pilote APECS

Le Fraunhofer IAF étend ses capacités technologiques dans le domaine des semi-conducteurs à connexion III-V et contribue ainsi de manière précieuse à la mise en place de la ligne pilote APECS dans le cadre du EU Chips Act. Le ministère de l’Économie, du Travail et du Tourisme du Bade-Wurtemberg part…
Les chercheurs du Fraunhofer IAF ont réussi à faire croître des hétérostuctures AlYN/GaN dans un réacteur MOCVD sur des substrats SiC de 4 pouces. © Fraunhofer IAF / Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont réussi à faire croître des hétérostuctures AlYN/GaN dans un réacteur MOCVD sur des substrats SiC de 4 pouces. © Fraunhofer IAF Les différentes nuances de couleur des wafers AlYN/GaN résultent de différentes concentrations en yttrium ainsi que des conditions de croissance. © Fraunhofer IAF / Les différentes nuances de couleur des wafers AlYN/GaN résultent de différentes concentrations en yttrium ainsi que des conditions de croissance. © Fraunhofer IAF Grâce à leurs travaux sur l'épitaxie et la caractérisation des hétérostuctures AlYN/GaN, l'équipe de recherche du Fraunhofer IAF a réalisé une avancée majeure dans le domaine des matériaux semi-conducteurs. © Fraunhofer IAF / Avec leur travail sur l'épitaxie et la caractérisation des hétérostuctures AlYN/GaN, l'équipe de recherche du Fraunhofer IAF a réussi une percée dans le domaine des matériaux semi-conducteurs. © Fraunhofer IAF
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  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Étape importante dans le développement des semi-conducteurs

Nouveau matériau semi-conducteur : AlYN promet une électronique plus économe en énergie et plus performante

Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont réalisé une avancée dans le domaine des matériaux semi-conducteurs : avec l’aluminiumyttriure nitrure (AlYN), ils ont réussi à produire et à caractériser un nouveau matériau semi-conducteur prometteur en utilisant la technique MOCVD. En raison de ses excellentes…
Le prober cryogénique sur wafer au Fraunhofer IAF permet de caractériser de manière entièrement automatique jusqu'à 25 wafers entiers de 200 mm ou 300 mm avec des dispositifs pour l'informatique quantique. © Fraunhofer IAF / The cryogenic on-wafer prober at Fraunhofer IAF enables fully automatic characterizations of up to 25 whole 200-mm or 300-mm wafers with devices for quantum computing and sensing. © Fraunhofer IAF Configuration pour la caractérisation RF sous conditions cryogéniques. © Fraunhofer IPMS / Configuration pour la caractérisation RF dans des conditions cryogéniques. © Fraunhofer IPMS Le consortium ARCTIC. © imec / Le consortium ARCTIC. © imec © imec
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  • Science

Fraunhofer IPMS et IAF collaborent avec 34 partenaires européens dans le projet <i>ARCTIC</i>

Projet de l'UE rassemble les forces sur la voie de l'ère des processeurs quantiques évolutifs

Pour rendre un ordinateur quantique utilisable, le développement des commandes pour des systèmes évolutifs est essentiel, mais en est encore à ses débuts. Le projet ARCTIC rassemble 36 partenaires internationaux issus de l'industrie, de la science et d'instituts de recherche de premier plan, afin de…
Le prober cryogénique sur wafer au Fraunhofer IAF permet de caractériser entièrement automatiquement jusqu'à 25 wafers entiers de 200 mm ou 300 mm avec des dispositifs pour l'informatique quantique. © Fraunhofer IAF / Le prober cryogénique sur wafer au Fraunhofer IAF permet des caractérisations entièrement automatiques de jusqu'à 25 wafers entiers de 200 mm ou 300 mm avec des dispositifs pour le calcul et la détection quantiques. © Fraunhofer IAF Vue dans la chambre principale avec une galette de 200 mm au centre sur le plateau, qui est déplacée sous la carte de sondes. Le système teste une galette du projet « QUASAR », dans lequel des chercheurs développent des transistors à électron unique (SET) basés sur des puits quantiques en silicium, destinés à être utilisés comme dispositif pour les qubits de spin. © Fraunhofer IAF / Vue dans la chambre principale avec une galette de 200 mm au centre sur le plateau, qui est déplacée sous la carte de sondes. Le système teste une galette du projet « QUASAR », dans lequel des chercheurs développent des transistors à électron unique (SET) basés sur des puits quantiques en silicium, destinés à être utilisés comme dispositif pour les qubits de spin. © Fraunhofer IAF 1-K-Kryostat avec lignes conductrices pour mesures en courant continu et en haute fréquence. © Fraunhofer IAF / 1 cryostat K avec lignes conductrices pour mesures en courant continu et en haute fréquence. © Fraunhofer IAF
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  • Science

Projet « KryoproPlus » terminé avec succès

Le prober sur wafer cryogénique détermine la qualité des composants qubit pour l'informatique quantique et la détection quantique

La première installation cryogénique en Allemagne pour la mesure statistique de la qualité des composants de qubits sur des wafers de 200 et 300 mm a été mise en service à l'Institut Fraunhofer IAF. Le prober sur wafer peut caractériser des composants basés sur des points quantiques semi-conducteurs…
Secrétaire d'État à l'Économie, Dr. Patrick Rapp, et le directeur par intérim de l'institut, Prof. Dr. Rüdiger Quay, dans la salle blanche du Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF Dans la salle de formation en calcul quantique du Fraunhofer IAF, les progrès dans l'optimisation des algorithmes quantiques ont été présentés. © Fraunhofer IAF Dans le laboratoire d'applications de la détection quantique du Fraunhofer IAF, des systèmes de mesure quantique de pointe sont disponibles. © Fraunhofer IAF
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  • Science

Dr. Patrick Rapp et Prof. Dr. Rüdiger Quay parlent des opportunités industrielles et des possibilités de coopération en Bade-Wurtemberg

Secrétaire d'État à l'économie s'informe au Fraunhofer IAF sur les technologies quantiques

Lors de sa visite au Fraunhofer IAF le 31 mars 2023, le secrétaire d'État à l'économie du Bade-Wurtemberg, Dr Patrick Rapp, et le directeur par intérim de l'institut, Prof. Dr Rüdiger Quay, ont discuté des opportunités industrielles et des possibilités de coopération dans le domaine des technologies…
Le Fraunhofer IAF a étendu son infrastructure de recherche de pointe pour les technologies des semi-conducteurs avec une nouvelle halle MOCVD (à l'avant) et un nouveau bâtiment de laboratoire (à l'arrière). © Fraunhofer IAF / Fraunhofer IAF a étendu son infrastructure de recherche de pointe pour les technologies des semi-conducteurs avec une nouvelle halle MOCVD (à l'avant) et un nouveau bâtiment de laboratoire (à l'arrière). © Fraunhofer IAF Le 30 juin 2022, les nouveaux bâtiments de recherche du Fraunhofer IAF ont été officiellement inaugurés. © Fraunhofer IAF / On June 30, 2022, the new research buildings of Fraunhofer IAF were officially inaugurated. © Fraunhofer IAF
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  • Science

Nouveaux bâtiments pour la mesure optoélectronique, la quantorésistance et l'épitaxie

Fraunhofer IAF étend l'infrastructure de recherche pour les technologies des semi-conducteurs

Le Fraunhofer IAF a développé son infrastructure de recherche ultramoderne et amélioré davantage les conditions pour le développement de technologies de semi-conducteurs d'avenir. Avec le soutien du gouvernement fédéral, du Land de Bade-Wurtemberg ainsi que du BMVg, un bâtiment de laboratoire et une…
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