Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
ClearClean HJM MT-Messtechnik Systec & Solutions GmbH
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje od Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

4-calowy wafer GaN na SiC technologii GaN07 Fraunhofer IAF. Wafle są w pełni produkowane i testowane na własnej linii półprzewodnikowej firmy, obejmując projektowanie, epitaksję, obróbkę waferów i charakteryzację. © Fraunhofer IAF / Frontside processed 4-inch GaN-on SiC wafer of Fraunhofer IAF's GaN07 technology. Wafle są całkowicie wykonane i testowane na linii procesowej III-V Fraunhofer IAF, w tym projektowanie i produkcja zestawów masek do obróbki, epitaksja, obróbka waferów i charakteryzacja. © Fraunhofer IAF
  • ‌
  • Know How, Instytut

EuMW 2025: Fraunhofer IAF prezentuje 70-nm tranzystor GaN dla satelitów wysokoprzepustowych

Technologia półprzewodników dla szerokopasmowej komunikacji satelitarnej osiąga rekordową wydajność

Badacze z Fraunhofer IAF opracowali technologię tranzystorów GaN z bramką o długości 70 nm, która w warunkach typowych dla satelitów osiąga rekordowe wartości pod względem wydajności. Technologia ta ma umożliwić w przyszłości kompaktowe aktywne anteny do szybkich transferów danych w…
Sekretarz stanu Dr. Patrick Rapp (z prawej), Ministerstwo Gospodarki, Pracy i Turystyki, wręcza kierownictwu instytutu Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert (z lewej) i prof. dr. Rüdigerowi Quayowi (z lewej), symboliczny czek na kwotę dofinansowania w wysokości 4,35 mln euro. © Fraunhofer IAF / Sekretarz stanu Dr. Patrick Rapp, Ministerstwo Gospodarki, Pracy i Turystyki, wręcza symboliczny czek na kwotę dofinansowania w wysokości 4,35 miliona euro kierownictwu instytutu Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert i prof. dr. Rüdigerowi Quayowi. © Fraunhofer IAF Po przekazaniu czeku sekretarz stanu dr Patrick Rapp omawia na miejscu linię pilotażową APECS oraz planowane działania Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / After handing over the cheque, State Secretary Dr. Patrick Rapp discusses the APECS pilot line and the planned activities of Fraunhofer IAF on site. © Fraunhofer IAF W ramach linii pilotażowej APECS, obszar technologii suchych wytrawiania w czystym pomieszczeniu Fraunhofer IAF dla wafli 6-calowych jest rozbudowywany. © Fraunhofer IAF / As part of the APECS pilot line, the area of dry etching technology in the Fraunhofer IAF clean room for 6′′ wafers is being expanded. © Fraunhofer IAF Post-CMOSowe chipy czujników ciśnienia z pakowaniem na poziomie wafla przed oddzieleniem. © Fraunhofer ISIT / Post-CMOSowe chipy czujników ciśnienia z pakowaniem na poziomie wafla przed cięciem. © Fraunhofer ISIT
  • ‌
  • Know How, Instytut

Baden-Württemberg uczestniczy kwotą 4,35 mln euro w finansowaniu w ramach EU Chips Act

Fraunhofer IAF rozszerza możliwości technologiczne dla innowacji chipletów w ramach pilotażowej linii APECS

Fraunhofer IAF rozszerza swoje możliwości technologiczne w dziedzinie półprzewodników III-V i wnosi cenny wkład w budowę linii pilotażowej APECS w ramach EU Chips Acts. Ministerstwo Gospodarki, Pracy i Turystyki Badenii-Wirtembergii uczestniczy w finansowaniu kwotą 4,35 mln euro. 16 grudnia…
Badaczom z Fraunhofer IAF udało się wyhodować heterostruktury AlYN/GaN w reaktorze MOCVD na 4-calowych podłożach SiC. © Fraunhofer IAF / Researchers at Fraunhofer IAF have succeeded in growing AlYN/GaN heterostructures in a MOCVD reactor on 4-inch SiC substrates. © Fraunhofer IAF Różne odcienie kolorów wafli AlYN/GaN wynikają z różnych stężeń itru oraz warunków wzrostu. © Fraunhofer IAF / Różne odcienie kolorów wafli AlYN/GaN wynikają z różnych stężeń itru oraz warunków wzrostu. © Fraunhofer IAF Dzięki swoim pracom nad epitaksją i charakteryzacją heterostruktur AlYN/GaN, zespół badawczy Fraunhofer IAF dokonał przełomu w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych. © Fraunhofer IAF / With their work on the epitaxy and characterization of AlYN/GaN heterostructures, the Fraunhofer IAF research team achieved a breakthrough in the field of semiconductor materials. © Fraunhofer IAF
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Kamień milowy w rozwoju półprzewodników

Nowy materiał półprzewodnikowy: AlYN obiecuje bardziej energooszczędną i wydajniejszą elektronikę

Badacze z Fraunhofer IAF dokonali przełomu w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych: dzięki aluminiumyttriowemu azotkowi (AlYN) udało im się wyprodukować i scharakteryzować nowy i obiecujący materiał półprzewodnikowy za pomocą metody MOCVD. Ze względu na jego doskonałe właściwo…
Sekretarz stanu ds. gospodarczych Dr Patrick Rapp oraz pełniący obowiązki dyrektora instytutu Prof. Dr Rüdiger Quay w pomieszczeniu czystym Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF W sali szkoleniowej do nauki komputerów kwantowych Fraunhofer IAF przedstawiono postępy w optymalizacji algorytmów kwantowych. © Fraunhofer IAF W Laboratorium aplikacyjnym sensorów kwantowych Fraunhofer IAF dostępne są najnowocześniejsze systemy pomiarowe kwantowe. © Fraunhofer IAF
  • ‌
  • Nauka

Dr. Patrick Rapp i Prof. Dr. Rüdiger Quay rozmawiają o szansach przemysłowych i możliwościach współpracy w Badenii-Wirtembergii

Sekretarz stanu ds. gospodarki zapoznaje się z technologiami kwantowymi w Fraunhofer IAF

Podczas swojej wizyty w Fraunhofer IAF 31 marca 2023 r. sekretarz stanu ds. gospodarki Badenii-Wirtembergii Dr Patrick Rapp oraz tymczasowy dyrektor instytutu Prof. Dr. Rüdiger Quay rozmawiali o przemysłowych szansach i możliwościach współpracy w dziedzinie technologii kwantowych. Wizyta obejm…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

Hydroflex Piepenbrock PMS Buchta