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Todas las publicaciones de Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Vera de 4 pulgadas de GaN sobre obleas de SiC de la tecnología GaN07 del Fraunhofer IAF. Las obleas se fabrican y prueban completamente en la línea de semiconductores interna de la institución, incluyendo diseño, epitaxia, procesamiento de obleas y caracterización. © Fraunhofer IAF / Oblea de 4 pulgadas de GaN sobre SiC procesada por la parte frontal de la tecnología GaN07 del Fraunhofer IAF. Las obleas se fabrican y prueban completamente en la línea de procesos III-V del Fraunhofer IAF, incluyendo el diseño y la fabricación de conjuntos de máscaras de procesamiento, epitaxia, procesamiento de obleas y caracterización. © Fraunhofer IAF
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  • Conocimientos, Instituto

EuMW 2025: Fraunhofer IAF presenta transistor GaN de 70 nm para satélites de alto rendimiento

Tecnología de semiconductores para comunicaciones satelitales de banda ancha alcanza una eficiencia récord

Investigadores del Fraunhofer IAF han desarrollado una tecnología de transistores de GaN con una longitud de puerta de 70 nm, que alcanza valores récord en eficiencia bajo condiciones típicas de satélites. Se espera que esta tecnología permita en el futuro antenas activas compactas para transferenci…
El Secretario de Estado Dr. Patrick Rapp (dcha.), Ministerio de Asuntos Económicos, Trabajo y Turismo, entrega a la dirección del instituto Fraunhofer IAF, la Dra. Patricie Merkert (izq.) y el Prof. Dr. Rüdiger Quay (centro), el cheque simbólico por la cantidad de financiación de 4,35 millones de euros. © Fraunhofer IAF / El Secretario de Estado Dr. Patrick Rapp, Ministerio de Asuntos Económicos, Trabajo y Turismo, entrega el cheque simbólico por la cantidad de 4,35 millones de euros a la dirección del instituto Fraunhofer IAF, la Dra. Patricie Merkert y el Prof. Dr. Rüdiger Quay. © Fraunhofer IAF Después de la entrega del cheque, el Secretario de Estado Dr. Patrick Rapp conversa en el lugar sobre la línea piloto APECS y las actividades planificadas del Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / After handing over the cheque, State Secretary Dr. Patrick Rapp discusses the APECS pilot line and the planned activities of Fraunhofer IAF on site. © Fraunhofer IAF Dentro de la línea piloto APECS, se está ampliando el área de tecnología de grabado en seco en la sala limpia del Fraunhofer IAF para obleas de 6''. © Fraunhofer IAF Chiplets de sensores de presión post-CMOS con encapsulado a nivel de oblea antes de su separación. © Fraunhofer ISIT / Chiplets de sensores de presión post-CMOS con encapsulado a nivel de oblea antes de su corte. © Fraunhofer ISIT
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  • Conocimientos, Instituto

Baden-Württemberg participa con 4,35 millones de euros en la financiación en el marco del EU Chips Act

Fraunhofer IAF amplía las capacidades tecnológicas para innovaciones en chiplets en el marco de la línea piloto APECS

El Fraunhofer IAF amplía sus capacidades tecnológicas en el campo de los semiconductores de unión III-V y contribuye de manera valiosa a la creación de la línea piloto APECS en el marco del EU Chips Act. El Ministerio de Economía, Trabajo y Turismo de Baden-Württemberg participa en la financiación c…
Investigadores del Fraunhofer IAF han logrado cultivar heteroestructuras de AlYN/GaN en un reactor MOCVD sobre sustratos de SiC de 4 pulgadas. © Fraunhofer IAF / Researchers at Fraunhofer IAF have succeeded in growing AlYN/GaN heterostructures in a MOCVD reactor on 4-inch SiC substrates. © Fraunhofer IAF Las diferentes tonalidades de color de los obleas de AlYN/GaN resultan de diferentes concentraciones de itrio y condiciones de crecimiento. © Fraunhofer IAF / Las diferentes tonalidades de color de las obleas de AlYN/GaN resultan de diferentes concentraciones de itrio y condiciones de crecimiento. © Fraunhofer IAF Con su trabajo sobre la epitaxia y caracterización de heteroestructuras de AlYN/GaN, el equipo de investigación del Fraunhofer IAF logró un avance en el campo de los materiales semiconductores. © Fraunhofer IAF
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Hito en el desarrollo de semiconductores

Nuevo material semiconductor: AlYN promete una electrónica más eficiente en energía y de mayor rendimiento

Investigadores del Fraunhofer IAF han logrado un avance en el campo de los materiales semiconductores: con el nitruro de itrio y aluminio (AlYN), han conseguido fabricar y caracterizar un nuevo y prometedor material semiconductor mediante el proceso MOCVD. Debido a sus excelentes propiedades materia…
El probador criogénico en oblea en Fraunhofer IAF realiza caracterizaciones completamente automáticas de hasta 25 obleas completas de 200 mm o 300 mm con dispositivos para computación y detección cuántica. © Fraunhofer IAF / El probador criogénico en oblea en Fraunhofer IAF permite caracterizaciones totalmente automáticas de hasta 25 obleas completas de 200 mm o 300 mm con dispositivos para computación y detección cuántica. © Fraunhofer IAF Configuración para la caracterización RF bajo condiciones criogénicas. © Fraunhofer IPMS / Configuración para la caracterización RF bajo condiciones criogénicas. © Fraunhofer IPMS El consorcio ARCTIC. © imec / El consorcio ARCTIC. © imec © imec
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  • Ciencia

Fraunhofer IPMS y IAF trabajan con 34 socios europeos en el proyecto »ARCTIC«

Proyecto de la UE agrupa esfuerzos en el camino hacia la era de los procesadores cuánticos escalables

Para hacer que una computadora cuántica sea utilizable, el desarrollo de la controladora para sistemas escalables es esencial, pero aún está en pañales. El proyecto «ARCTIC» reúne a 36 socios internacionales de la industria, la ciencia y las principales instituciones de investigación para construir…
El probador de obleas criogénico en la línea en el Fraunhofer IAF caracteriza de forma totalmente automática hasta 25 obleas completas de 200 mm o 300 mm con dispositivos para computación y detección cuántica. © Fraunhofer IAF / El probador de obleas criogénico en el Fraunhofer IAF permite caracterizaciones totalmente automáticas de hasta 25 obleas completas de 200 mm o 300 mm con dispositivos para computación y detección cuántica. © Fraunhofer IAF Vista en la cámara principal con una oblea de 200 mm en el centro sobre el portapiezas, que se mueve debajo de la tarjeta de prueba. El sistema está probando una oblea del proyecto »QUASAR», en el que investigadores están desarrollando transistores de un solo electrón (SET) basados en pozos cuánticos de silicio para ser utilizados como dispositivo para qubits de espín. © Fraunhofer IAF / Vista en la cámara principal con una oblea de 200 mm en el centro sobre el portapiezas, que se mueve debajo de la tarjeta de prueba. El sistema está probando una oblea del proyecto QUASAR, en el que investigadores están desarrollando transistores de un solo electrón (SET) basados en pozos cuánticos de silicio para ser utilizados como dispositivo para qubits de espín. © Fraunhofer IAF 1-K-Kryostat con líneas conducidas para mediciones de corriente continua y de alta frecuencia. © Fraunhofer IAF / 1 K cryostat with conducted lines for direct current and high-frequency measurements. © Fraunhofer IAF
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  • Ciencia

Proyecto «KryoproPlus» completado con éxito

El probador en oblea criogénico determina la calidad de los componentes de qubits para computación cuántica y sensores cuánticos

La primera planta criogénica de Alemania para la medición estadística de calidad de componentes de qubits en obleas completas de 200 y 300 mm ha comenzado a operar en el Fraunhofer IAF. El probador en la oblea puede caracterizar componentes basados en puntos cuánticos semiconductores y topes cuántic…
Secretario de Estado de Economía, Dr. Patrick Rapp, y el director interino del instituto, Prof. Dr. Rüdiger Quay, en la sala limpia del Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF En la sala de capacitación de computación cuántica del Fraunhofer IAF se presentaron los avances en la optimización de algoritmos cuánticos. © Fraunhofer IAF En el laboratorio de aplicaciones de sensores cuánticos del Fraunhofer IAF están disponibles los sistemas de medición cuántica más avanzados. © Fraunhofer IAF
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  • Ciencia

El Dr. Patrick Rapp y el Prof. Dr. Rüdiger Quay hablan sobre oportunidades industriales y posibilidades de cooperación en Baden-Württemberg

El Secretario de Estado de Economía se informa en el Fraunhofer IAF sobre tecnologías cuánticas

Durante su visita al Fraunhofer IAF el 31 de marzo de 2023, el secretario de Estado de Economía de Baden-Württemberg, Dr. Patrick Rapp, y el director interino del instituto, Prof. Dr. Rüdiger Quay, hablaron sobre oportunidades industriales y posibilidades de cooperación en el campo de las tecnología…
El Fraunhofer IAF ha ampliado su infraestructura de investigación de vanguardia para tecnologías de semiconductores con una nueva sala MOCVD (delante) y un nuevo edificio de laboratorios (detrás). © Fraunhofer IAF / Fraunhofer IAF ha ampliado su infraestructura de investigación de vanguardia para tecnologías de semiconductores con una nueva sala MOCVD (delante) y un nuevo edificio de laboratorios (detrás). © Fraunhofer IAF El 30 de junio de 2022, se inauguraron oficialmente los nuevos edificios de investigación del Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / El 30 de junio de 2022, se inauguraron oficialmente los nuevos edificios de investigación del Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF
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  • Ciencia

Nuevos edificios para medición optoelectrónica, sensores cuánticos y epitaxia

Fraunhofer IAF amplía la infraestructura de investigación para tecnologías de semiconductores

El Fraunhofer IAF ha ampliado su infraestructura de investigación de vanguardia y ha mejorado las condiciones para el desarrollo de tecnologías semiconductoras con futuro. Con el apoyo de la Bundes, del estado de Baden-Württemberg y del BMVg, se construyeron un edificio de laboratorios y una sala MO…
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