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Galette de 4 pouces en GaN sur SiC de la technologie GaN07 du Fraunhofer IAF. Les galettes sont entièrement fabriquées et testées dans la ligne de fabrication de semi-conducteurs interne, y compris la conception, l'épitaxie, le traitement des galettes et la caractérisation. © Fraunhofer IAF / Galette de 4 pouces en GaN sur SiC traitée en frontside de Fraunhofer IAF, utilisant la technologie GaN07. Les galettes sont entièrement fabriquées et testées dans la ligne de processus III-V du Fraunhofer IAF, y compris la conception et la fabrication des masques de traitement, l'épitaxie, le traitement des galettes et la caractérisation. © Fraunhofer IAF
  • Savoir-faire, Institut

EuMW 2025 : Fraunhofer IAF présente le transistor GaN de 70 nm pour satellites à haut débit

Technologie des semi-conducteurs pour la communication par satellite à large bande atteint une efficacité record

Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont développé une technologie de transistor en GaN avec une longueur de porte de 70 nm, atteignant des valeurs record en termes d'efficacité dans des conditions typiques de satellites. La technologie doit permettre à l'avenir la fabrication d'antennes actives com…

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