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Wafer da 4 pollici in GaN su SiC della tecnologia GaN07 del Fraunhofer IAF. I wafer sono completamente prodotti e testati nella linea di produzione di semiconduttori interna, inclusi design, epitassia, lavorazione del wafer e caratterizzazione. © Fraunhofer IAF / Wafer da 4 pollici in GaN su SiC lavorato frontalmente della tecnologia GaN07 del Fraunhofer IAF. I wafer sono completamente fabbricati e testati nella linea di processo III-V del Fraunhofer IAF, inclusi la progettazione e la fabbricazione di set di maschere di lavorazione, epitassia, lavorazione del wafer e caratterizzazione. © Fraunhofer IAF
  • Sapere Come, Istituto

EuMW 2025: Fraunhofer IAF presenta il transistor GaN da 70 nm per satelliti ad alta capacit�

Tecnologia dei semiconduttori per le comunicazioni satellitari a banda larga raggiunge un'efficienza record

Ricercatori dell'Istituto Fraunhofer IAF hanno sviluppato una tecnologia di transistor GaN con una lunghezza di gate di 70 nm, che raggiunge valori record di efficienza in condizioni tipiche satellitari. La tecnologia dovrebbe consentire in futuro antenne attive compatte per trasferimenti di dati ad…

Controlli di qualità nel processo di produzione dei wafer. © Fraunhofer IPMS / Quality inspection in the wafer manufacturing process. © Fraunhofer IPMS
  • Mezzi di reintegro (acqua, gas, ...)

Acqua pura per una produzione sostenibile di semiconduttori

Fraunhofer IPMS, AlixLabs e NSS Water rivoluzionano la gestione sostenibile dell'acqua di ricircolo nella produzione di semiconduttori

AlixLabs e NSS Water annunciano una collaborazione strategica per lo sviluppo di soluzioni sostenibili ed economicamente efficienti per la gestione dell'acqua ultrapura (it. acqua ultra-pura, UWP) nella produzione di chip. A causa della crescente preoccupazione per l'aumento costante del consumo di…

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