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Alle Veröffentlichungen von IMEC Belgium

01.07.2023
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Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

ASML beteiligt sich maßgeblich an der zukünftigen hochmodernen Pilotlinie von imec

Imec und ASML unterzeichnen Memorandum of Understanding (MoU) zur Förderung von Halbleiterforschung und nachhaltiger Innovation in Europa

Imec, ein führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und ASML Holding N.V. (ASML), ein führender Ausrüster der Halbleiterindustrie, kündigen heute an, dass sie ihre Zusammenarbeit während der nächsten Phase der Entwicklung einer hochmodernen High-Numbe…

Abbildung 1 - Gemessener und vorhergesagter Wärmewiderstand in Abhängigkeit von der Lamellenbreite von GaN-on-Si-HEMTs mit zwei Lamellen. / Figure 1 - Measured and predicted thermal resistance vs. finger width of two-finger GaN-on-Si HEMTs.

Abbildung 2 - Geometrie des in der 3D-Simulation verwendeten InP-Nanoridge-HBT. / Figure 2 – Geometry of the InP nanoridge HBT used in the 3D simulation.

Abbildung 3 - Auswirkungen von nicht-diffusiven thermischen Transporteffekten (wie in der Monte-Carlo-Simulation von imec erfasst) in InP-Nanoridge-HBTs. / Figure 3 – Impact of non-diffusive thermal transport effects (as captured by imec’s Monte Carlo simulation) in InP nanoridge HBTs.

07.12.2022
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Tagung

Imec präsentiert Simulationswerkzeug zur besseren Vorhersage des Wärmeflusses in RF-Bausteinen für 5G und 6G

Diese Woche präsentiert imec, weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem International Electron Devices Meeting 2022 (IEEE IEDM 2022) einen Monte-Carlo-Boltzmann-Modellierungsrahmen, der zur Vorhersage des 3D-Wärmetransports in hochent…

17.07.2022
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Konferenz

Imec zeigt einen Weg zur Halbierung des Leitungswiderstands durch Semi-Damascene mit High-Aspect-Ratio Processing

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, präsentierte auf der IEEE International Interconnect Technology Conference 2022 (IITC 2022) Technologien zur Verringerung des Metallleitungswiderstands bei engen Metal Pitches, um den Anstie…

09.07.2022
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Automation

Macronix Octaflash Speicher der UW-Serie bietet High-Density-Flash-Lösungen für NXP S32Z- und S32E-Echtzeitprozessoren

Macronix International Co., Ltd. (TSE: 2337) gab heute bekannt, dass die hocheffiziente Macronix MX25UW Octaflash-Speicherfamilie von NXP® Semiconductor für die Echtzeitprozessoren S32Z und S32E zur sicheren Integration von Echtzeitanwendungen ausgewählt wurde. Die Wahl kennzeichnet den nächsten Sch…

EnergyVille 2 Forschungsgebäude in Genk / EnergyVille 2 research building in Genk

Huw Hampson Jones (Solithor) and -Olivier Rousseaux (imec)

28.05.2022
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Batterie

Ein bahnbrechender Ansatz für Festkörperbatterien wird die Grenzen für die Elektrifizierung des Verkehrs durchbrechen

Imec-Spin-off SOLiTHOR schließt eine 10 Mio. € Startkapitalrunde ab, um neue bahnbrechende Technologie für Festkörperbatterien zu entwickeln

SOLiTHOR , das neu gegründete Spin-Off-Unternehmen von imec - Partner im führenden europäischen F&E-Innovationszentrum für Energie, Energyville - steht an der Spitze der Entwicklung, Herstellung und Kommerzialisierung innovativer Lithium-(Li)-Batteriezellentechnologie, um zuverlässig und wirtsch…

20.03.2022
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Wissenschaft

Imec.xpand II nimmt einen bedeutenden Schritt auf dem Weg zu einem der weltweit wirkungsvollsten Frühphasenfonds für Halbleiterinnovationen

Imec.xpand, der Frühphasen-Investor, der das Wissen, die Expertise, die Infrastruktur und das Netzwerk von imec, dem weltweit führenden Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologie, nutzt, gab heute den ersten Abschluss seines zweiten Fonds mit 150 Millionen Euro an…

Der flexible 8-Bit-Mikroprozessor von Imec neben einer 2-Euro-Münze.

Screenshot des Snake-Spiels in Aktion und Zeitangaben.

24.02.2022
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EDV, Hardware, Software

Imec, KU Leuven und PragmatIC Semiconductor demonstrieren schnellsten flexiblen 8-Bit-Mikroprozessor für stromsparende Anwendungen

Diese Woche stellen imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, die KU Leuven und PragmatIC Semiconductor, ein weltweit führendes Unternehmen für flexible Elektronik, auf der 2022 International Solid-State Circuits Conference (2022 IS…

Der neue Impulsradio-Ultrabreitband-Senderchip von Imec ermöglicht Datenübertragungsraten von bis zu 1,66 Gb/s für In-Body- und Kurzstrecken-Anwendungen. / Imec’s new impulse-radio ultra-wideband transmitter chip accommodates data transfer rates up to 1.66Gb/s for in-body and short-range applications.

24.02.2022
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Messe

Der Beitrag zur ISSCC '22 bestätigt, dass die UWB-Technologie in der Lage ist, Anwendungen mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Bitrate zu unterstützen - von intelligenten Brillen, die die AR/VR-Erlebnisse von morgen ermöglichen, bis hin zu drahtlosen T

Imec entwickelt Ultra-Breitband-Senderchip, der Datenraten von bis zu 1,66 Gb/s mit einer Leistungsaufnahme im Milliwatt-Bereich ermöglicht

Auf der diese Woche stattfindenden International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) stellt imec - ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien - einen neuen Impulsradio-Ultrabreitband (IR-UWB)-Senderchip vor, der die Zukunft der UWB-Tech…

05.01.2022
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Corona

Längsschnittstudie zeigt hohe Viruslast in der Ausatemluft schon früh im Verlauf einer SARS-CoV-2-Infektion

Wissenschaftler der KU Leuven, der UZ Leuven und des imec warnen, dass das Ergebnis eines Antigen-Schnelltests in den ersten zwei Tagen nach einer Infektion weniger zuverlässig ist als erwartet. Eine Längsschnittstudie, bei der auch noch nie dagewesene molekulare Tests an Aerosolen durchgeführt wurd…

Prozessquerschnitte der auf 200 mm GaN-auf-SOI-Substraten hergestellten Hochspannungsbauelemente (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky-Barrier-Diode. Alle Bauelemente enthalten metallische Feldplatten, die auf Front-End- und Interconnect-Metallschichten basieren und durch dielektrische Schichten getrennt sind. / Process cross-sections of the high-voltage components fabricated on 200 mm GaN-on SOI substrates (a) e-mode pGaN-HEMT (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky barrier diode. All devices include metal field plates based on front-end and interconnect metal layers and separated by dielectric layers.

12.12.2021
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Wissenschaft

Die Integration sorgt für eine deutliche Leistungssteigerung von GaN-Leistungssystemen

Imec zeigt erfolgreiche monolithische Integration von Schottky-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs mit 200 V GaN-IC

Diese Woche präsentiert imec, das führende Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) die erfolgreiche Co-Integration von Hochleistungs-Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs auf eine…

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