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Todas las publicaciones de IMEC Belgium

01.07.2023
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Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

ASML participa significativamente en la futura línea de producción de píldoras de alta tecnología de imec

Imec y ASML firman un Memorando de Entendimiento (MoU) para promover la investigación en semiconductores y la innovación sostenible en Europa

Imec, un centro de investigación e innovación líder en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y ASML Holding N.V. (ASML), un proveedor líder en la industria de semiconductores, anuncian hoy que desean intensificar su colaboración durante la próxima fase de desarrollo de una línea de litografía de…

Figura 1 - Resistencia térmica medida y predicha en función del ancho de las aletas de HEMTs GaN-on-Si de dos aletas. / Figure 1 - Resistencia térmica medida y predicha en función del ancho de los dedos de HEMTs GaN-on-Si de dos dedos.

Figura 2 - Geometría del HBT de nanorriel de InP utilizado en la simulación 3D.

Figura 3 - Impacto de los efectos de transporte térmico no difusivo (como se captura en la simulación de Monte Carlo de imec) en HBTs de nanoridge de InP. / Figure 3 – Impacto de los efectos de transporte térmico no difusivo (como se captura en la simulación de Monte Carlo de imec) en HBTs de nanoridge de InP.

07.12.2022
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Congreso

Imec presenta herramienta de simulación para una mejor predicción del flujo de calor en componentes RF para 5G y 6G

Esta semana, imec, líder mundial en centros de investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en el International Electron Devices Meeting 2022 (IEEE IEDM 2022) un marco de modelado Monte Carlo-Boltzmann que, por primera vez, utiliza distribuciones microscópicas de p…

Secciones transversales TEM de líneas de Ru con un paso metálico de 18 nm: (izquierda) AR 3, (derecha) AR 6. Los TEMs muestran un perfil casi vertical de las líneas de Ru y la escalabilidad del esquema actual hacia ARs más altos.

17.07.2022
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Conferencia

Imec muestra un camino para reducir a la mitad la resistencia de conducción mediante Semi-Damascene con procesamiento de alta relación de aspecto

Imec, un centro de investigación e innovación líder en todo el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presentó en la IEEE International Interconnect Technology Conference 2022 (IITC 2022) tecnologías para reducir la resistencia de las líneas metálicas en pitches metálicos estrechos, con e…

09.07.2022
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Automatización

La memoria Macronix Octaflash de la serie UW ofrece soluciones de memoria Flash de alta densidad para los procesadores en tiempo real NXP S32Z y S32E

Macronix International Co., Ltd. (TSE: 2337) anunció hoy que la familia de memorias Octaflash de alta eficiencia Macronix MX25UW de NXP® Semiconductor fue seleccionada para los procesadores en tiempo real S32Z y S32E, para la integración segura de aplicaciones en tiempo real. La elección marca el si…

EnergyVille 2 edificio de investigación en Genk / EnergyVille 2 edificio de investigación en Genk

Huw Hampson Jones (Solithor) y -Olivier Rousseaux (imec)

28.05.2022
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Batería

Un enfoque innovador para las baterías de estado sólido romperá los límites de la electrificación del transporte

La spin-off de Imec, SOLiTHOR, cierra una ronda de financiación inicial de 10 millones de euros para desarrollar nuevas tecnologías innovadoras para baterías de estado sólido

SOLiTHOR, la recién fundada empresa spin-off de imec - Socia en el centro europeo líder de innovación en I+D para energía, Energyville - está a la vanguardia del desarrollo, fabricación y comercialización de tecnología innovadora de celdas de baterías de litio (Li), para ofrecer soluciones confiable…

20.03.2022
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Ciencia

Imec.xpand II da un paso importante en el camino hacia uno de los fondos de fases tempranas más efectivos del mundo para innovaciones en semiconductores

Imec.xpand, el inversor en etapas tempranas que aprovecha el conocimiento, la experiencia, la infraestructura y la red de imec, el centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnología digital, anunció hoy la primera cierre de su segundo fondo con 150 millones de euros e…

El microprocesador flexible de 8 bits de Imec junto a una moneda de 2 euros.

Captura de pantalla del juego Snake en acción y marcas de tiempo.

24.02.2022
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TI, Hardware, Software

Imec, KU Leuven y PragmatIC Semiconductor demuestran el microprocesador flexible de 8 bits más rápido para aplicaciones de bajo consumo

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, junto con KU Leuven y PragmatIC Semiconductor, una empresa líder mundial en electrónica flexible, presentarán en la Conferencia Internacional de Circuitos en Estado Sólido (2022 ISSCC…

El nuevo chip transmisor de radio impulsiva de banda ultra ancha de Imec permite tasas de transferencia de datos de hasta 1,66 Gb/s para aplicaciones en el interior del cuerpo y de corto alcance. / El nuevo chip transmisor de radio impulsiva de banda ultra ancha de Imec admite tasas de transferencia de datos de hasta 1,66 Gb/s para aplicaciones en el interior del cuerpo y de corto alcance.

24.02.2022
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Feria

La contribución a ISSCC '22 confirma que la tecnología UWB es capaz de soportar aplicaciones de bajo consumo y alta velocidad de bits, desde gafas inteligentes que permiten las experiencias AR/VR del mañana, hasta T inalámbrico

Imec desarrolla un chip transmisor de ultra banda ancha que permite tasas de datos de hasta 1,66 Gb/s con un consumo de energía en el rango de milivatios

En la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) que se celebra esta semana, imec - un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales - presenta un nuevo chip transmisor de radio de impulso ultran ancho de banda (IR-UWB), que podría…

05.01.2022
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Corona

Estudio longitudinal muestra una alta carga viral en el aire exhalado desde las primeras etapas de una infección por SARS-CoV-2

Investigadores de la KU Leuven, UZ Leuven y del imec advierten que el resultado de una prueba rápida de antígenos en los primeros dos días después de una infección es menos confiable de lo esperado. Un estudio longitudinal, en el que también se realizaron pruebas moleculares de aerosoles sin precede…

Secciones transversales del proceso de los componentes de alta tensión fabricados en sustratos GaN sobre SOI de 200 mm (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) diodo de barrera Schottky. Todos los dispositivos incluyen placas de campo metálicas basadas en capas metálicas de front-end e interconexión y separadas por capas dieléctricas.

12.12.2021
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Ciencia

La integración garantiza una mejora significativa en el rendimiento de los sistemas de potencia GaN

Imec muestra una integración monolítica exitosa de diodos Schottky y HEMTs en modo de agotamiento con GaN-IC de 200 V

Esta semana, imec, el principal centro de investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en el International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) la exitosa co-integración de diodos Schottky de alto rendimiento y HEMTs en modo de agotamiento en una platafor…

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